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文档简介

4.3.1N沟道增强型MOSFET(EMOS)

4.3.3

各种FET的特性及使用注意事项

4.3.2N沟道耗尽型MOSFET(DMOS)

特性曲线及参数

结构

工作原理4.3金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）4.3.1N沟道增强型MOSFET1.N沟道增强型MOS管的结构P型衬底沟道区域绝缘层金属铝(a)VGS=VDS

＝0⑴

导电沟道形成(b)

VGS(th)>VGS>0,VDS

＝0当VGS为零或较小的正值时，源区和漏区之间均被空间电荷区隔断。4.3.1N沟道增强型MOSFET2.工作原理原始状态(c)VGS>VGS(th),VDS

＝0(d)VGS>VGS(th),VDS>0形成导电沟道N型导电沟道4.3.1N沟道增强型MOSFET2.工作原理（续）形成自漏区到源区的漏极电流。D端加有电压，导电沟道不均匀，(f)VGS>VGS(th),VDS=VGS-VGS(th)则VGD=VGS-VDS>VGS(th)(e)VGS>VGS(th),VGS-VGS(th)>VDS>0此时VDSVGD↓漏端沟道变窄ID基本不变预夹断VGA=VGS(th)VGD=

VGS-VDS=VGS（th）4.3.1N沟道增强型MOSFET（2）VDS对沟道的控制作用VDSID即

增强型MOS管的基本工作原理：在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。在漏极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。4.3.1N沟道增强型MOSFET与JFET相比，两者结构不同，产生沟道的方式不同。但都是利用沟道导电，且外特性都表现为栅源电压控制漏极电流。综上分析可知

输出特性转移特性3.特性曲线4.3.1N沟道增强型MOSFETP沟道增强型MOSFET1.耗尽型制造工艺

4.3.2N沟道耗尽型MOSFET简介在制造过程中，如果在氧化层中引入一些金属正离子，或者在半导体表面进行专门的掺杂，即可控制在P型半导体表面形成原始的反型层导电沟道。4.3.2N沟道耗尽型MOSFET简介2.导电机理与伏安特性由于具有原始导电通道，故当加电压VDS后，即使VGS＝0，也存在电流ID。只有当VGS加反向电压至一定大小，方可使反型层沟道消失。表现为伏安特性上ID=0时，VGS<0。伏安特性的变化形式及性质与增强型一样。N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)P.173的表4.3.1使用MOSFET中的注意事项结构上漏极和源极可以互换，前提是衬底有引线引出。原理上MOSFET是绝缘栅输入结构，没有电荷的泄放通道，极易造成静电击穿。存取时尤须注意。MOSFET在焊接时，静电击穿的危险更大。所以无论器件内部是否有静电保护，均须接地良好焊接或

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