光刻缺陷检查培训

光刻缺陷检查培训第一页，共四十七页，2022年，8月28日XY05Crosssection(bipolar):第二页，共四十七页，2022年，8月28日LayerCodeIn-linehold货如是defect原因，请按照右表格式keyincomment.第三页，共四十七页，2022年，8月28日AC：Arcing外观：金属表面呈烧焦及熔岩状，而且沿着金属线路熔毁。或圆形爆炸状成因：在电浆（Plasma）环境中，高浓度的带正电离子经由电弧（ARC）对晶片表面容易蓄积电荷或导电部位放电时所产生的高热熔毁金属线路。OMfigure:M1AC第四页，共四十七页，2022年，8月28日BC/BV：BlindContact/BlindVIA外观：Contact（连接M1/Poly)/VIA(连接M1/M2)的大小变小或完全消失不见。成因：a,Photo焦距偏差（defocus），以至于contact/VIA部位曝光不足，而无法曝开；

b,Photo光阻涂布不良，使底层被蚀刻掉。OMfigure:COBCV1BV第五页，共四十七页，2022年，8月28日BR：bridge外观：图形桥接成因：PHOTOdefocusOMfigure:第六页，共四十七页，2022年，8月28日C1：Taperesidue外观：胶带残留，只发生在最上层，可以擦掉。（背面磨薄制程中，胶带粘表面）成因：透明胶状物OMfigure:Remark:目前SinoMOS尚未涉及到晶背研磨，故不会出现C1的defect.第七页，共四十七页，2022年，8月28日C2：Foreigncontamination外观：不规则状，非透明物，一般呈现条状。成因：晶片后续操作中引入，多数在可以清洗掉OMfigure:PAC2第八页，共四十七页，2022年，8月28日CR：corrosion外观：MetalLine侧边有泡状/多颗泡状衍生物，造成金属凹陷。成因：a,金属蚀刻后的氯（Cl）残留，遇水气后形成盐酸（HCL）而继续腐蚀金属，包括制程异常造成大量氯残留，PR/Polymer残留氯，放置时间太久；

b,其它酸腐蚀（如BPSG中的P遇水气形成磷酸）。OMfigure:M1CRM2CR第九页，共四十七页，2022年，8月28日CK：Crack外观：非正常图形定义线条，如护层龟裂，破裂處金屬光澤較強烈（即較亮）成因：a.VIA龜裂可能SOG不均或护层结构异常b.護層龜裂护层应力不协调或外物DAMAGE。OMfigure:V1CK第十页，共四十七页，2022年，8月28日C3：Sifragment外观：有棱角，片岩状碎屑。成因：晶片破片，叠片以及刮伤等。OMfigure:PAC3第十一页，共四十七页，2022年，8月28日CO：contamination外观：不规则状物成因：晶片制程中引入（机台异常或人为操作不当），多数清洗不掉OMfigure:PACO第十二页，共四十七页，2022年，8月28日DC：Dis-color外观：强光灯或肉眼下可见WAFER表面颜色不均匀，OM下街道颜色不均匀成因：Film厚度不均匀OMfigure:OXDC第十三页，共四十七页，2022年，8月28日DM：Damaged（silicondamage）外观：圆圈状，水滴状，如出现在Silicon裸露的街道为聚集的水滴状，向街道交叉处聚集。成因：制程中Silicon裸露时，被氨水damageOMfigure:WADM第十四页，共四十七页，2022年，8月28日HL：Hillock外观：在金属表面或测边a,原形平顶突起b,尖顶状突起c,多角形平頂突起。成因：金属原子在热循环（ThermalCycle）中，因热膨胀系数不同而产生的应力之作用而形成的丘状突起。OMfigure:M2HLSize>3um,OOS.第十五页，共四十七页，2022年，8月28日HZ：Nitridehaze外观：发生在Nitride层，强光灯下可见雾状物，OM下为密集的细小PA（暗区检查较好）。成因：SIN反应中固体产物抽离不及，落在WAFER上。OMfigure:SNHZ第十六页，共四十七页，2022年，8月28日LD：localdefocus外观：OM下图形有基本形貌，但不同程度变形成因：defocus(机台异常或WAFER底部不平坦)OMfigure:第十七页，共四十七页，2022年，8月28日MA：mis-alignment外观：图形便移，与其他图形重叠全批/单片重复性缺陷成因：Layertolayermis-alignment或REWORK图形残留OMfigure:第十八页，共四十七页，2022年，8月28日NU：Non-uniform外观：VIA层有液滴或条状突起成因：（a,SOG涂布时湿度控制不良，造成泡沫状或条状突起。）？？

b,洗边时，洗边液IPA（压力流量控制不稳）滴入SOGfilm上。OMfigure:第十九页，共四十七页，2022年，8月28日OE：overetch外观：金属线路变窄成因：金属ETCH时，polymer未保护好侧壁导致金属线ETCH过多，变形OMfigure:第二十页，共四十七页，2022年，8月28日PA：particle典型PA1：COPA外观：a,多存在于T2位置，呈竖列分布；

b,簇状分布，颗粒size较小且分布相对集中；

c,metal会被particle顶起，且突起部分呈现metal色泽。成因：BPSGprocess中产生OMfigure:COPA（checkafterBPSG）第二十一页，共四十七页，2022年，8月28日PA：particle典型PA1：COPA外观：a,多存在于T2位置，呈竖列分布；

b,簇状分布，颗粒size较小且分布相对集中；

c,metal会被particle顶起，且突起部分呈现metal色泽。成因：BPSGprocess中产生OMfigure:COPA（checkafterMET）第二十二页，共四十七页，2022年，8月28日PA：particle典型PA2：M1PAM2PA外观：a,不规则块状金属残留，中央有黑色外来物；泪滴状金属残留；

b,PA附近MET1下CONTACT/MET2下VIA不变形

c,此种defect一般会造成金属桥接或者是线条扭曲。成因：METsputterchamber中产生或TIWTARGET产生，造成PHOTOPR定义不良，导致ETCHRE和图形变形。OMfigure:M1PAM2PA第二十三页，共四十七页，2022年，8月28日PA：particle典型PA3：PAPA外观：a,不会导致金属变形桥接

b,PA较大且于护层中引入，导致PAD定义时变形，且PA周围有护层残留。成因：Passivationprocess引入的particle.OMfigure:PAPA第二十四页，共四十七页，2022年，8月28日PA：particle典型PA4：V1PA外观：圆形突起,一般外围有凹痕成因：SOGprocess引入的particle.OMfigure:VIPA第二十五页，共四十七页，2022年，8月28日PB：PRburn外观：PR内缩，黑色残留物，不易去除。成因：高能量过程导致光阻烧焦。OMfigure:第二十六页，共四十七页，2022年，8月28日PI：Pits外观：金屬Pad或是線路上有凹洞,OM下为非凸起的小黑点。如Pits产生于ETCH前，ETCH后街道一定有RE，RE通常有顆粒狀核心存在。如Pits产生于ETCH后，街道CLEAR。

只在ALSICU制程中产生。MET2较易发生Pits，如在METPHOTO有疑似当层pits，请务必到ETCH后再CHECK。如有RE则为Pits，判断是否报废，如无RE，则非Pits请注意判断RE所在FILM，及MET1/MET2上是否有同样defect成因：在凹洞之中的顆粒狀核心即為ThetaPhase（AlOCu）析出。黄光显影液腐蚀，ACT槽腐蚀，或METFILMprocess温度过低。OMfigure:M2PIPITSONMETPitsonstreet第二十七页，共四十七页，2022年，8月28日PM：polymer外观：PadContact边缘有丝状或颗粒状残留物。成因：a,电浆蚀刻（PlasmaEtching）后作为侧壁保护或未饱和分子体（Unsaturated）形成的高分子聚合物（Polymer）未能去除干净而造成的残留。OMfigure:第二十八页，共四十七页，2022年，8月28日PC：Poorcoating外观：光阻覆盖不完全，可导致FILM在该处被ETCH掉。成因：光阻塗佈不良OMfigure:第二十九页，共四十七页，2022年，8月28日PL：PRlifting外观：Pattern（線路及其他結構）呈歪曲或移位現象成因：由光阻移位所造成的問題其外觀與薄膜本身移位不同。光阻移位後，是光阻Pattern重疊，所以在蝕刻後薄膜的Pattern交接處，仍在同一平面.OMfigure:P1PL第三十页，共四十七页，2022年，8月28日PR：PRremaining外观：薄膜上有深咖啡色、褐色或黑色的脏污残留；许多微小颗粒呈脉状网络分布。成因：PR去除不良OMfigure:PAPRM2PR第三十一页，共四十七页，2022年，8月28日PW：Powder外观:OM下颗粒状密集PA，SIZE较小成因：CVD机台副产物OMfigure:COPW第三十二页，共四十七页，2022年，8月28日RE：Residue(ETCH)外观:非正常图形的FILM图形。成因：a,蚀刻时终结点（etchingpoint）侦测错误或提早捉到；

b,蚀刻前有异物或particle覆盖在光阻或薄膜上形成etchingmask，阻挡蚀刻的进行。

c,FILM厚度异常导致ETCH未净OMfigure:M2RE

第三十三页，共四十七页，2022年，8月28日RE：Residue(ETCH)典型RE：TIWRE外观:金属层非金属区域的异常图形块，无金属颜色。成因：金属蚀刻时，8330机台的ALSICU/TIW切换source时，POLYMAR掉到WAFER上，挡住TIWETCH。OMfigure:第三十四页，共四十七页，2022年，8月28日RP：Residue(PHOTO)外观:不规则块状、条状薄膜残留，边缘平缓，呈现液体流动状。成因：a,黄光制程中有particle掉落在晶片表面，阻挡曝光的进行；

b,显影不良造成pattern未显开。OMfigure:M1RPM2RP第三十五页，共四十七页，2022年，8月28日RD：repeatingdefect外观:在不同SHOT的相同位置重复发生。成因：光罩粘污OMfigure:第三十六页，共四十七页，2022年，8月28日RF：roughness典型RF1：OXRF外观:切割道或Chip内有黑点状或者是絮状残留，metalgate较易出现此类defect。严重时，强光灯下雾状。成因：ETCH导致OMfigure:第三十七页，共四十七页，2022年，8月28日RF：roughness典型RF2：M1/M2RF外观:金属表面有严重，凸凹不平滑现象经由护层的散射，使金属呈变色现象。成因：金属溅镀过程中温度越高，粗糙程度越高，而变色现象系由于光线经由金属粗糙化表面散射而使颜色变得更深。OMfigure:第三十八页，共四十七页，2022年，8月28日SC：scratch典型SC1：METfilmSC外观:a，金属FILM有损伤，刮伤中有金属拉伸现象；

b，刮伤区域较为干净，不会产生很多碎屑，刮伤大块金属堆积物ETCH后有RE。

c，注意区分Met-1和Met-2.成因：人为不规范操作，机台异常，叠片，斜插，OM操作不当。OMfigure:M1SC(checkatADI)第三十九页，共四十七页，2022年，8月28日SC：scratch典型SC2：显影后ETCH前SC外观:a,FILM无损伤，或损伤很轻（光阻厚）

b，ETCH后检查刮伤区域图形散乱，但在同一平面上

c，注意区分Met-1和Met-2.成因：人为不规范操作，机台异常，叠片，斜插，OM操作不当。OMfigure:M1SCPASC第四十页，共四十七页，2022年，8月28日SC：scratch典型SC3：METETCH后SC外观:a，金属线条有损伤，刮伤边缘有金属被带出；

b,刮伤区域较为干净，不会产生很多碎屑。

c,请注意区分MET1MET2成因：人为不规范操作，机台异常，叠片，斜插，OM操作不当。OMfigure:M1SC第四十一页，共四十七页，2022年，8月28日SC：scratch典型SC4：护层SC外观:a,3PSG的刮痕一般呈现细沙状，有较多细小颗粒被带出来；

b,PE-SIN的刮伤一般有应力的表现，且相对较为干净。

（请先确定刮伤是在最表层金属上的层次）成因：人为不规范操作，机台异常，叠片，斜插，OM操作不当。OMfigure:M1SC第四十二页，共四十七页，2022年，8月28日SN：