集成电路芯片封装技术第2章

第二章封装工艺流程当前1页，总共104页。2.1.1为什么要学习封装工艺流程熟悉封装工艺流程是认识封装技术的前提，是进行封装设计、制造和优化的基础。芯片封装和芯片制造不在同一工厂完成它们可能在同一工厂不同的生产区、或不同的地区，甚至在不同的国家。许多工厂将生产好的芯片送到几千公里以外的地方去做封装。芯片一般在做成集成电路的硅片上进行测试。在测试中，先将有缺陷的芯片打上记号（打一个黑色墨点），然后在自动拾片机上分辨出合格的芯片。第二章封装工艺流程当前2页，总共104页。2.1.2封装工艺流程概况流程一般可以分成两个部分：在用塑料封装之前的工序称为前段工序，在成型之后的操作称为后段工序。成型工序是在净化环境中进行的，由于转移成型操作中机械水压机和预成型品中的粉尘达到1000级以上（空气中0.3μm粉尘达1000个/m3以上）。现在大部分使用的封装材料都是高分子聚合物，即所谓的塑料封装。第二章封装工艺流程当前3页，总共104页。概述硅片减薄芯片互连硅片切割芯片帖装成型技术打码去飞边毛刺上焊锡切筋成型芯片封装技术（一级）当前4页，总共104页。2.2芯片切割、为什么要减薄

半导体集成电路用硅片4吋厚度为520μm，6吋厚度为670μm。这样就对芯片的切分带来困难。因此电路层制作完成后，需要对硅片背面进行减薄，使其达到所需要的厚度，然后再进行划片加工，形成一个个减薄的裸芯片。第二章封装工艺流程当前5页，总共104页。减薄工艺硅片背面减技术主要有：磨削、研磨、化学抛光干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀等离子增强化学腐蚀、常压等离子腐蚀等第二章封装工艺流程减薄厚硅片粘在一个带有金属环或塑料框架的薄膜（常称为蓝膜）上，送到划片机进行划片。现在划片机都是自动的，机器上配备激光或金钢石的划片刀具。切割分部分划片（不划到底，留有残留厚度）和完全分割划片。对于部分划片，用顶针顶力使芯片完全分离。划片时，边缘或多或少会存在微裂纹和凹槽这取决于刀具的刃度。这样会严重影响芯片的碎裂强度。当前6页，总共104页。减薄工艺先划片后减薄和减薄划片两种方法第二章封装工艺流程

DBG(dicingbeforegrinding)在背面磨削之前，将硅片的正面切割出一定深度的切口，然后再进行磨削。

DBT(dicingbythinning)在减薄之前先用机械的或化学的方法切割出一定深度的切口，然后用磨削方法减薄到一定厚度后，采用常压等离子腐蚀技术去除掉剩余加工量。。这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起的硅片翘曲以及划片引起的边缘损害，大大增强了芯片的抗碎能力。当前7页，总共104页。芯片切割DBG法（先划片后减薄）第二章封装工艺流程当前8页，总共104页。芯片贴装（diemount/bonding/attachment)目的：实现芯片与底座（chipcarrier）的连接.要求：机械强度化学性能稳定导电、导热热匹配可操作性第二章封装工艺流程当前9页，总共104页。2.3芯片贴装芯片贴装，也称芯片粘贴，是将芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。

第二章封装工艺流程共晶粘贴法焊接粘贴法导电胶粘贴法玻璃胶粘贴法贴装方式当前10页，总共104页。共晶粘贴法

一般工艺方法陶瓷基板芯片座上镀金膜-将芯片放置在芯片座上-热氮气氛中（防氧化）加热并使粘贴表面产生摩擦（去除粘贴表面氧化层）-约425℃时出现金-硅反应液面，液面移动时，硅逐渐扩散至金中而形成紧密结合。第二章封装工艺流程优点：金-硅共晶焊接机械强度高、热阻小、稳定性好、可靠性高,高温性能好，不脆化。缺点：生产效率低，不适应高速自动化生产。当前11页，总共104页。共晶粘贴法

预型片法，此方法适用于较大面积的芯片粘贴。优点是可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不完全的影响。第二章封装工艺流程当前12页，总共104页。2.3.2焊接粘贴法焊接粘贴法是利用合金反应进行芯片粘贴的方法。优点是热传导性好。一般工艺方法将芯片背面淀积一定厚度的Au或Ni，同时在焊盘上淀积Au-Pd-Ag和Cu的金属层。然后利用合金焊料将芯片焊接在焊盘上。焊接工艺应在热氮气或能防止氧化的气氛中进行。

第二章封装工艺流程所用材料硬质焊料：金-硅、金-锡、金锗；（塑变应力高，抗疲劳抗潜变特性好）软质焊料：铅-锡、铅-锡-铟.当前13页，总共104页。2.3.3导电胶粘贴法导电胶是银粉与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物。银粉起导电作用，而环氧树脂起粘接作用。第二章封装工艺流程导电胶有三种配方：（1）各向同性材料，能沿所有方向导电。（2）导电硅橡胶，能起到使器件与环境隔绝，防止水、汽对芯片的影响，同时还可以屏蔽电磁干扰。（3）各向异性导电聚合物，电流只能在一个方向流动。在倒装芯片封装中应用较多。无应力影响。三种导电胶的特点是：化学接合、具有导电功能。当前14页，总共104页。导电胶贴装工艺第二章封装工艺流程膏状导电胶：用针筒或注射器将粘贴剂涂布到芯片焊盘上（不能太靠近芯片表面，否则会引起银迁移现象），然后用自动拾片机（机械手）将芯片精确地放置到焊盘的粘贴剂上，在一定温度下固化处理（150℃1小时或186℃半小时）。固体薄膜：将其切割成合适的大小放置于芯片与基座之间，然后再进行热压接合。采用固体薄膜导电胶能自动化大规模生产。导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好，高温下会引起粘接可靠度下降，因此不适合于高可靠度封装。当前15页，总共104页。玻璃胶粘贴法与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（后面我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃粉。它是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu等）与低温玻璃粉和有机溶剂混合，制成膏状。优点：所得芯片封装无空隙、热稳定性优良、低结合应力以及湿气含量低；缺点：有机成分与溶剂必须除去，否则危害可靠性。

第二章封装工艺流程在芯片粘贴时，用盖印、丝网印刷、点胶等方法将胶涂布于基板的芯片座中，再将芯片置放在玻璃胶之上，将基板加温到玻璃熔融温度以上即可完成粘贴。由于完成粘贴的温度要比导电胶高得多，所以它只适用于陶瓷封装中。在降温时要控制降温速度，否则会造成应力破坏，影响可靠度。当前16页，总共104页。2.4芯片互连芯片互连是将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属焊区相连接。

芯片互连常见的方法：第二章封装工艺流程打线键合（WBwirebonding）倒装芯片键合(FCBflipchipbonding，C4)载带自动键合（TABtapeautomatebonding）这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路芯片集成度的限制各有不同的应用范围。

打线键合适用引脚数为3-257；载带自动键合的适用引脚数为12-600；倒装芯片键合适用的引脚数为6-16000。可见C4适合于高密度组装。当前17页，总共104页。2.4.1打线键合技术第二章封装工艺流程打线键合技术超声波键合（UltrasonicBonding,U/Sbonding）热压键合（ThermocompressionBondingT/Cbonding）热超声波键合（ThermosonicBonding,T/Sbonding）当前18页，总共104页。提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。

引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，两键合接点形状可以相同或不同。WB技术作用机理当前19页，总共104页。球形键合第一键合点第二键合点

楔形键合第一键合点第二键合点

当前20页，总共104页。2.4.1打线键合技术介绍（1）超声波键合第二章封装工艺流程优点：键合点尺寸小，回绕高度低，适合于键合点间距小、密度高的芯片连接。缺点：所有的连线必须沿回绕方向排列（这不可能），因此在连线过程中要不断改变芯片与封装基板的位置再进行第2根引线的键合。从而限制了打线速度。当前21页，总共104页。2.4.1打线键合技术介绍（2）热压键合第二章封装工艺流程先将金属线穿过毛细管状的键合工具（称为瓷嘴或焊针），该工具是由碳化钨或氧化铝等耐高温材料制成；然后再电子点火或氢焰将金属线烧断并利用熔融金属的表面张力作用使线的末端灼烧成球（直径约为金属线直径的2-3倍），键合工具再将金属球压至已经预热到150-250℃的第一金属焊垫上进行球形键合。此时球形键合点受压稍有变形，其目的一是增加键合面积，二是穿破表面氧化层，以形成紧密键合。球形键合完成后，键合工具升起并引导金属线至第二键合点上进行楔形接合（不需烧成金属球，而是将金属线直接压到焊区上）。由于键合工具顶端是圆锥形的，所以得到的焊点通常为新月状。由于热压焊是在高温下进行的，通常使用的金属线为金线（抗氧化性强）。为降低成本有时也用铝线。铝线的2个焊接点是楔形的。原因是铝线不易在线的末端灼烧成球。当前22页，总共104页。（3）热超声波键合

热超声波键合是热压键合与超声波键合的混合技术。在工艺过程中，先在金属线末端成球，再使用超声波脉冲进行金属线与金属接垫之间的接合。此过程中接合工具不被加热，仅给接合的基板加热(温度维持在100-150℃)。其目的是抑制键合界面的金属间化合物（类似于化学键，金属原子的价电子形成键）的成长，和降低基板高分子材料因高温产生形变。第二章封装工艺流程当前23页，总共104页。不同键合方法采用的键合材料也有所不同：热压键合和金丝球键合主要选用金（Au）丝，超声键合则主要采用铝（Al）丝和Si-Al丝（Al-Mg-Si、Al-Cu等）键合金丝是指纯度约为99.99％，线径为l8～50μm的高纯金合金丝，为了增加机械强度，金丝中往往加入铍(Be)或铜。WB线材及其可靠度当前24页，总共104页。打线键合技术(WB)影响因素：金铝金属间化合物（AuAl2或Au5Al2)是主因；线材、键合点与金属间化合物之间的交互扩散产生的孔洞；其他，键合点金属化工艺与封装材料之间的反应，亦可生成金属间化合物。当前25页，总共104页。2.4.2载带自动键合技术第二章封装工艺流程载带自动健合技术是在类似于135胶片的柔性载带粘结金属薄片，（像电影胶片一样卷在一带卷上，载带宽度8-70mm。在其特定的位置上开出一个窗口。窗口为蚀刻出一定的印刷线路图形的金属箔片。引线排从窗口伸出，并与载带相连，载带边上有供传输带用的齿轮孔。当载带卷转动时，载带依靠齿孔往前运动，使带上的窗口精确对准带下的芯片。再利用热压模将导线排精确键合到芯片上。可见TAB技术与一般的压丝引线技术不同。后者的特点是将一根、一根的引线先后分立的快速的键合到搭接片上。TAB技术中内引线键合后还要作后道工序，包括电学测试、通电老化，外引线键合、切下，最后进行封装工艺。当前26页，总共104页。当前27页，总共104页。当前28页，总共104页。过去，TAB技术不受重视的原因：（1）TAB技术初始投资大；（2）开始时TAB工艺设备不易买到，而传统的引线工艺已得到充分的发展，且其生产设备也容易买到；（3）有关TAB技术资料和信息少。但是随着芯片信息容量及随之而来的引脚数的增加，传统的分立引线工艺显得力不从心。为降低引线成本的需要，TAB技术越来越受到人们的青睐，促使许多半导体厂家积极开发研究。第二章封装工艺流程当前29页，总共104页。TAB技术较之常用的引线工艺的优点：1）TAB结构轻、薄、短、小，封装高度<1mm2）TAB电极尺寸、电极与焊区间距较之WB小3）TAB容纳I/O引脚数更多，安装密度高4）TAB引线电阻、电容、电感小，有更好的电性能5）可对裸芯片进行筛选和测试6）采用Cu箔引线，导电导热好，机械强度高7）TAB键合点抗键合拉力比WB高（3-10倍）8）TAB采用标准化卷轴长带，对芯片实行多点一次焊接，自动化程度高第二章封装工艺流程当前30页，总共104页。TAB技术分类

TAB按其结构和形状可分为：Cu箔单层带、Cu-PI双层带、Cu-粘接剂-PI三层带和Cu-PI-Cu双金属带等四种。当前31页，总共104页。2.4.2载带自动键合技术TAB技术的关键材料

基带材料：要求耐高温，与金属箔粘贴性好，热匹配性好，抗化学腐蚀性强，机械强度高，吸水率低。例如，聚酰亚胺（PI）、聚乙烯对本二甲酸脂（PET）和苯并环丁烯（BCB）

TAB金属材料：要求导电性能好，强度高，延展性、表面平滑性良好，与各种基带粘贴牢固，不易剥离，易于用光刻法制作出精细复杂的图形，易电镀Au、Ni、Pb/Sn焊接材料，例如，Al、Cu。

芯片凸点金属材料：一般包括金属Au、Cu、Au/Sn、Pd/Sn。第二章封装工艺流程当前32页，总共104页。2.4.2载带自动键合技术TAB的关键技术芯片凸点制作技术

TAB载带制作技术载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线焊接技术第二章封装工艺流程当前33页，总共104页。2.4.2载带自动键合技术

TAB的关键技术--芯片凸点制作技术第二章封装工艺流程IC芯片制作完成后其表面均镀有钝化保护层，厚度高于电路的键合点，因此必须在IC芯片的键合点上或TAB载带的内引线前端先长成键合凸块才能进行后续的键合，通常TAB载带技术也据此区分为凸块化载带与凸块化芯片TAB两大类。

当前34页，总共104页。凸块式载带TAB；单层载带可配合铜箔引脚的刻蚀制成凸块，在双层与三层载带上，因为蚀刻的工艺容易致导带变形，而使未来键合发生对位错误，因此双层与三层载带较少应用于凸块载带TAB的键合。凸块式芯片TAB，先将金属凸块长成于IC芯片的铝键合点上，再与载带的内引脚键合。预先长成的凸块除了提供引脚所需要的金属化条件外，可避免引脚与IC芯片间可能发生短路，但制作长有凸块的芯片是TAB工艺最大的困难。当前35页，总共104页。当前36页，总共104页。2.4.2载带自动键合技术芯片凸点制作技术凸点因形状不同可分为两种第二章封装工艺流程蘑菇状凸点一般用光刻胶做掩膜制作，电镀时，光刻胶以上凸点除了继续升高以外，还横向发展，凸点越来越高，横向也越来越大，所以凸点形状像蘑菇。随着横向发展电镀电流密度的不均匀性使得最终得到的凸点顶部成凹形，且凸点的尺寸也难以控制。

直状凸点制作是使用厚膜抗腐蚀剂做掩膜，掩膜的厚度与要求的凸点高度一致，所以始终电流密度均匀，凸点的平面是平整的。当前37页，总共104页。金凸块制作的传统工艺金凸块制作的传统工艺:

第一步，对芯片进行清洁处理

第二步，通过真空溅散的方法，在芯片键合的上表面形成粘着层和阻挡层。粘着层提供IC芯片上的铝键合点与凸块间良好的键合力与低的接触电阻特性。常用的材料是Ti、Cr、和Al，这几种金属的与铝和氧化硅的粘着性很好。扩散阻挡层的作用是阻止芯片上的铝与凸块材料之间的扩散反应而形成金属间化合物。金属层做好后、接着涂25微米后的光刻胶，然后用电镀的方法制作金属凸块。凸块制作完成后在其顶面电镀一层25微米的金（凸块金属不是金的情况），目的是起抗氧化作用。第二章封装工艺流程当前38页，总共104页。第二章封装工艺流程金凸块制作的传统工艺当前39页，总共104页。当前40页，总共104页。凸块转移技术一般的凸块制作工艺流程，可以看出，它的制作工艺复杂，技术难度大，成本高。因此改进凸块制作技术成为一项研究的热门课题。日本Matsushita公司开发了凸块转移技术。这种技术分2次键合：第1次是将在玻璃基板上做成的凸块，转移到载带内引脚前端与芯片键合点相对应的位置。第2次键合。在引脚前端有凸点的载带由专门的制造商提供，这样就避免了在芯片焊区制作凸点的麻烦，降低了生产成本。第二章封装工艺流程当前41页，总共104页。第二章封装工艺流程凸块转移技术当前42页，总共104页。2.4.2载带自动键合技术第二章封装工艺流程（1）单层结构载带这仅为一铜带，其上腐蚀出引线图案以及支撑结构。方法是将光刻胶涂在铜带的两侧。将要刻蚀掉的部分曝光，腐蚀后留下引线图案。带上可事先制备出凸点，这种情况下可选用不带凸点的芯片。再将载带上的引线排与芯片的I/O键合点键合。单层结构的缺点是全部引线与金属支撑架相连接，妨碍了带上器件的测试检验和通电老化。当前43页，总共104页。2.4.2载带自动键合技术第二章封装工艺流程（2）双层结构载带双层结构载带可用两种方法制作。用液体聚酰亚胺涂敷铜带（1.4mil厚，1mil=25.4um），然后再干燥处理。聚酰亚胺的厚度为2-3mil。将聚酰亚胺进行光刻，然后窗口和齿孔用KOH或NaOH腐蚀出来，再用FeCl3铜标腐蚀液将铜带上所需图形腐蚀出来。当前44页，总共104页。2.4.2载带自动键合技术第二章封装工艺流程（3）三层结构载带所用载带厚度为5mil，比双层带厚，因而更稳定。它的制作方法是：用粘接剂涂敷12或24英寸的Kapton带，再将带条分裂成TAB产品所需要的合适宽度。窗口和齿孔用硬工具冲制而成。然后将铜带与Kapton带进行叠合处理，使铜带压合在齿孔机的Kapton。最后光刻铜带，形成引线排。三层结构的优点是胶带和铜之间有很高的结合强度，且绝缘性能好，吸湿性低。当前45页，总共104页。载带制作工艺实例—Cu箔单层带

1）冲制标准定位传送孔2）Cu箔清洗3）Cu箔涂光刻胶（双面）4）刻蚀形成Cu线图样5）导电图样Cu镀锡退火当前46页，总共104页。载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线焊接技术芯片上的凸点和载带制作完成后，接下来要进行引线的焊接，这又分内引线焊接和外引线焊接。内引线焊接是引线与芯片焊接，外引线焊接是将引线焊接到外壳或基板焊区。第二章封装工艺流程当前47页，总共104页。TAB内引线焊接技术将载带引线图形指端与芯片焊接到一起的方法主要有热压焊合再流焊。当芯片凸点是

Au、Au/Ni、Cu/Au，而载带Cu箔引线也是镀这类凸点金属时，使用热压焊；而载带Cu箔引线镀层为Pb/Sn时，或者芯片凸点具有Pb/Sn，而载带Cu箔引线是上述硬金属时就要用热压再流焊。完全使用热压焊焊接温度高，热压再流焊的温度低。这两种焊接方法都是使用自动或半就自动化的引线焊接机进行多点一次焊接的。主要工艺操作是对位、焊接、抬起、芯片传送4部分。第二章封装工艺流程当前48页，总共104页。2.4.2载带自动键合技术

内引线焊接第二章封装工艺流程TAB内引线焊接技术,焊接程序对位给做成电路的晶圆片上的芯片进行测试，给坏芯片打上标记—用划片机划片—将划过片的大圆片（晶圆片的背面有粘着层，经划片后仍呈大圆片状）放置在焊接机的承片台上—按设计程序将性能好的IC芯片置于载带引线图形下面，使载带引线图形对芯片凸点进行精确对位。焊接落下加热的热压焊头，加压一定时间，完成焊接。抬起抬起热压焊头，焊接机将压焊到载带上的IC芯片通过链轮步进卷绕到卷轴上，同时下一个载带引线图形也步进到焊接对位的位置上。芯片传送供片系统按设定程序将下一个好的IC芯片移到新的载带引线图形下方进行对位，从而完成了程序化的完整的焊接过程。当前49页，总共104页。焊接工艺条件：焊接温度T=450-500℃；焊接压力

P=50g；焊接时间t=0.5-1秒。此外，焊头的平行度、平整度要好，焊接时的倾斜度要合适，否则会影响焊接效果。凸点的高度和载带引线图形的厚度的一致性也会影响焊接质量。完成内引脚键合与电性能测试后，芯片与内引脚面或整个IC芯片必须再涂上一层高分子胶材料保护引脚、凸块与芯片，以避免外界的压力、震动、水汽等因素造成破坏。封胶的材料一般为环氧树脂(Epoxy)和硅橡胶(Silicone)。环氧树脂用盖印或点胶的方法涂布，可覆盖整个芯片或仅涂布完成内引脚键合的芯片表面。在烘烤硬化时应注意加温条件，避免气泡和预应力的产生。第二章封装工艺流程当前50页，总共104页。当前51页，总共104页。2.4.2载带自动键合技术外引线焊接技术第二章封装工艺流程经过老化、筛选、测试的载带芯片可以用于各种集成电路。对于微电子封装的引线框架或在生产线上连接安装载带芯片的电子产品，可使用外引线压焊机将卷绕的载带芯片连接进行外引线焊接，焊接时要及时应用切断装置，将每个焊点外沿处将引线和聚酰亚胺（PI）支撑框架以外的部分切断并焊接。当前52页，总共104页。parameterwirebondTABResistance0.38mΩ0.31mΩInductance10nH6.7nHCapacitance0.21pF0.11pF当前53页，总共104页。2.4.3倒装芯片键合技术

倒装焊（FCB，FlipChipBonding）芯片，芯片正面朝下。借助于凸点与基板焊区直接焊接。这样就省略了互连线，由互连线产生的杂散电容和电感要比WB和TAB小得多，因此适合于高频、高速电路和高密度组装的应用。

第二章封装工艺流程当前54页，总共104页。第二章封装工艺流程当前55页，总共104页。电子封装密度比较当前56页，总共104页。倒装焊的典型例子是IBM公司的C4(Controlled-CollapseChipConnection，可控塌陷芯片连接)技术。C4技术的凸缘制备主要通过电子束蒸发、溅散等工艺，将UBM(UnderBumpMetallurgy)沉积在芯片的铝焊盘上。UBM一般有三层，分别为铬/铬-铜（50%-50%）/铜。第二章封装工艺流程当前57页，总共104页。当前58页，总共104页。当前59页，总共104页。凸点芯片的类型。在多层化金属上可用多种方法形成不同尺寸和高度要求的凸点金属，其分类可按凸点材料分类，也可按凸点结构形状进行分类。按凸点材料分类：Au凸点、Ni/Sn凸点、Cu凸点、Cu/Pb-Sn凸点In凸点Pb/Sn凸点(C4)按凸点结构分类：周边形、面阵形按凸点形状分类：蘑菇状、直状、球形、叠层第二章封装工艺流程当前60页，总共104页。凸点芯片焊区多层金属化

当前61页，总共104页。第二章封装工艺流程凸点芯片的制作工艺蒸发/溅散凸点制作法电镀凸点制作法置球及模板印刷制作焊料凸点当前62页，总共104页。蒸发/溅散凸点制作法这是早期常用的方法，因为它与IC工艺兼容，工艺简单成熟。多层金属和凸点金属可以一次完成。

工艺流程：制作掩模板-Si圆片安装制作好的掩模板-Si圆片光刻掩模孔-蒸发/溅射各金属层-蒸发/溅射凸点金属-去掩模板、去除光刻胶，剥离多余的金属层-形成凸点。

缺点:是形成的凸点大且低。如果形成一定高度的凸点需要的时间长，真空溅散设备应是多源多靶的，价格贵。成本高效率低，不适合大批量生产。第二章封装工艺流程当前63页，总共104页。蒸发UBM和凸点流程当前64页，总共104页。电镀凸点制作法这是目前国际上普遍采用的方法，工艺成熟。加工过程少，工艺简单易行，适合大批量制作各种类型的凸点。基本工序：

Si3N4钝化，用激光烧毁不合格的芯片-蒸发/溅散Ti-W-Au-涂光刻胶-光刻电极窗口-腐蚀大面积Au-W-Ti-去胶，保留窗口多层电极-闪溅金属层（Au）-贴厚光刻胶（膜）-套刻出凸点窗口-电镀Au凸点-去除厚胶（膜）-腐蚀闪溅Au。第二章封装工艺流程当前65页，总共104页。第二章封装工艺流程当前66页，总共104页。第二章封装工艺流程当前67页，总共104页。置球及模板印刷制作焊料凸点在IC的Al焊区上形成多层金属后，通过掩模板定位放置焊料球，然后在H2或N2气氛保护下在回流炉中再流。焊料在掩模板的限制下，以底层金属为基面收缩成半球状的焊料凸点。将置焊料球换成印制焊膏也可以制作焊料凸点。由于使用了助焊剂，形成凸点后要认真去除焊剂残留物。工艺简单，成本较低适用于大尺寸，焊料凸点模板的制作精度要求高第二章封装工艺流程当前68页，总共104页。置球及模板印刷制作焊料凸点工艺流程钝化好的圆片-〉覆盖并固定掩模板-〉置Pb-Sn焊料球-〉

H2或N2保护气氛下焊料球再流-〉焊料冷却收球-〉取下掩模板-〉

Pb-Sn焊料芯片凸点形成-〉第二章封装工艺流程当前69页，总共104页。第二章封装工艺流程当前70页，总共104页。当前71页，总共104页。凸点芯片的FCB技术制作的凸点芯片既可用于厚膜陶瓷基板上进行FCB又可在薄膜陶瓷基板上进行FCB,还可在PWB上直接将芯片FCB。这些基板既可以是单层的，也可以是多层的，而凸点芯片要倒装在基板上层的金属化焊区上。（1）FCB互连基板的金属焊区制作要使FCB芯片与各类基板互连达到一定的可靠性要求，关键是安装互连FCB芯片的基板顶层金属焊区要与芯片凸点一一对应，与凸点金属具有良好的压焊或焊料浸润特性。薄膜陶瓷基板的金属化工艺：蒸发/溅射---光刻---电镀厚膜陶瓷基板的金属化工艺：印制—烧结PCB金属化：线宽/间距约数百微米第二章封装工艺流程当前72页，总共104页。凸点芯片的FCB技术

（2）FCB的工艺方法FCB的工艺方法主要有以下几种：

热压FCB法；再流FCB法(C4)；

环氧树脂光固化FCB法；

各向异性导电胶粘接FCB法。第二章封装工艺流程当前73页，总共104页。热压FCB法使用倒装焊接机完成对各种凸点，如Au凸点、Ni-Al凸点、Cu-Pb-Sn凸点的FCB。倒装焊接机是由光学摄像对位系统、检拾热压超声焊头、精确定位承片台及显示屏等组成的精密设备。

将欲FCB的基板放置在承片台上，用检拾焊头检拾带有凸点的芯片，面朝下对着基板，一路光学摄像头对着凸点芯片面，一路光学摄像头对着基板上的焊区，分别进行调准对位，并显示在屏上。待调准对位达到要求的精度后，即可落下压焊头进行压焊。压焊头可加热，并带有超声，同时承片台也对基板加热，在加热、加压、超声到设定的时间后就完成所有凸点与基板焊区的焊接。FCB与基板的平行度非常重要，如果它们不平行，焊接后的凸点形变将有大有小，致使拉力强度也有高有低，有的焊点可能达不到使用要求。第二章封装工艺流程当前74页，总共104页。再流FCB法这种焊接方法专对各类Pb-Sn焊料凸点进行再流焊接，俗称再流焊接法。这种FCB技术最早起源于于美国IBM公司，又称C4技术，即可控塌陷芯片连接。C4技术倒装焊的特点是：1）不但可与光滑平整的陶瓷/硅基板金属焊区互连，还能与PWB上的金属焊区互连。2）C4的芯片凸点使用高熔点的焊料（如90%Pb-10%Sn）,而PWB上的焊区使用低熔点的常规37%Pb-63%Sn焊料，倒装焊再流时，C4凸点不变形，只有低熔点的焊料熔化，这就可以弥补PWB基板的缺陷（如凹凸扭曲等）产生焊接不均匀问题。3）倒装焊时Pb-Sn焊料熔化再流时较高的表面张力会产生“自对准效果，这就使C4芯片倒装焊时对准精度要求大为宽松。第二章封装工艺流程当前75页，总共104页。再流FCB法

第二章封装工艺流程当前76页，总共104页。环氧树脂光固化倒装焊法这是一种微凸点FCB法。日本曾用这种方法对6mm×6mm芯片成功进行倒装焊，Au凸点仅为5μm×5μm，节距只有10μm，载有2320个微凸点。与一般倒装焊截然不同的是，这里利用光敏树脂光固化时产生的收缩力将凸点与基板上谨慎焊区牢固地互连在一起，不是“焊接”，而是“机械接触”。第二章封装工艺流程当前77页，总共104页。各向异性导电胶（AnisotropicConductiveAdhesive）在大量的液晶显示器(LCD)与IC芯片连接的应用中，典型的是使用各向异性导电胶薄膜（ACAF）将TAB的外引线焊接（OLB）到玻璃显示板的焊区上，但最小外引脚焊接（OLBouterleadbonding）的节距为70μm。而使用各向异性导电胶(ACA)可以直接倒装焊再玻璃基板上，称为玻璃上芯片(COG)技术。第二章封装工艺流程当前78页，总共104页。各向异性导电胶

ACA有热固型、热塑型和紫外光(UV)固化型几种，而以UV型最佳，热固型次之。

UV型的固化速度快，无温度梯度，故芯片和基板均不需加热，因此不需考虑由UV照射固化产生的微弱热量引起的热不匹配问题。

UV的光强可在1500mW/cm2以上，光强越强，固化时间越短。一般照射数秒后，让ACA达到“交联”，这时可去除压力，继续光照，方可达到完全固化。光照时需加压，100μm×100μm的凸点面积，需加压0.5N/凸点以上。第二章封装工艺流程当前79页，总共104页。为了制作更小、精度更高的LCD，就要不断缩小IC芯片的凸点尺寸、凸点节距或倒装焊节距。例如小于50μm凸点尺寸或节距，这样使用ACA常规倒装焊方法，将使横向短路的可能性随之增加。为了消除这种不良影响，使用ACA倒装焊方法要加以改进，其中设置尖峰状的绝缘介质坝就是一种有效的方法。第二章封装工艺流程当前80页，总共104页。各类倒装焊工艺方法的比较当前81页，总共104页。倒装焊接后的芯片下填充倒装焊后，在芯片与基板间填充环氧树脂，不但可以保护芯片免受环境如湿汽、离子等污染，利于芯片在恶劣环境下正常工作，而且可以使芯片耐受机械振动和冲击。特别是填充树脂后可以减少芯片与基板（尤其PWB）间膨胀失配的影响，即可减小芯片凸点连接处的应力和应变。第二章封装工艺流程当前82页，总共104页。倒装焊芯片下填充环氧树脂填料要求应小于倒装焊芯片与基板间的间隙，以达到芯片下各处完全填充覆盖。①填料应无挥发性，因为挥发能使芯片下产生间隙，从而导致机械失效。②应尽可能减小乃至消除失配应力，填料与倒装芯片凸点连接处的z方向CTE(CoefficientofThermalExpansion热膨胀系数)应大致匹配。③为避免PWB产生形变，填料的固化温度要低一些。④要达到耐热循环冲击的可靠性，填料应有高的玻璃转化温度。⑤对于存储器等敏感器件，填充α放射性低的填料至关重要。⑥填料的粒子尺寸⑦在填充温度操作条件下的填料粘滞性要低，流动性要好，即填料的粘滞性应随着温度的提高而降低。⑧为使倒装焊互连具有较小的应力，填料应具有较高的弹性模量和弯曲强度。⑨在高温高湿环境条件下，填料的绝缘电阻要高，即要求杂质离子（Cl-、Na＋、K＋等）数量要低。⑩填料抗各种化学腐蚀的能力要强。第二章封装工艺流程当前83页，总共104页。填料的填充方法

实际填充时，将倒芯片和基板加热到70-75℃，利用加有填料、形状如同“L”的注射器，沿着芯片的边缘双向注射填料。由于毛细管虹吸作用，填料被吸入，并向芯片-基板的中心流动。一个12.7mm见方的芯片，10分钟可完全充满缝隙，用料大约0.03ml。填充后要对环氧树脂进行固化。可在烘箱中分段升温，待达到固化温度后，保温3-4小时，即可达到完全固化。第二章封装工艺流程当前84页，总共104页。当前85页，总共104页。当前86页，总共104页。2.5成型技术芯片互连完成之后就到了塑料封装的步骤，即将芯片与引线框架包装起来。这种成型技术有金属封装、塑料封装、陶瓷封装等，但从成本的角度和其它方面综合考虑，塑料封装是最为常用的封装方式，它占据90%左右的市场。第二章封装工艺流程当前87页，总共104页。2.5成型技术1、塑料封装的种类和材料塑料封装的成型技术有多种，包括转移成型技术（TransferMolding）、喷射成型技术（InjectMolding）、预成型技术（Premolding）等，但最主要的是转移成型技术。转移成型使用的材料一般为热固性聚合物（ThermosettingPolymer）。

热固性聚合物是指低温时聚合物是塑性的或流动的，但将其加热到一定温度时，即发生所谓的交联反应（Cross-inking），形成刚性固体。若继续加热，则聚合物只能变软而不可能熔化、流动。第二章封装工艺流程当前88页，总共104页。2.5成型技术2、转移成型工艺流程将已贴装芯片并完成引线键合的框架带置于模具中;将塑封的预成型块在预热炉中加热（预热温度在90-95℃之间），然后放入转移成型机的转移罐中。在转移成型压力下，塑封料被挤压到浇道中，经过浇口注入模腔（整个过程中，模具温度保持在170-175℃）塑封料在模具中固化，经过一段时间的保压，使模块达到一定的硬度，然后用顶杆顶出模块，就完成成型过程。第二章封装工艺流程当前89页，总共104页。2.5成型技术3、转移成型设备在自动化生产设备中，产品的预热、模具的加热和转移成型操作都在同一台设备中完成，并由计算机实施控制。也就是说预热、框架带的放置、模具放置等工序都可以达到完全自动化。第二章封装工艺流程转移成型技术设备预加热器压机模具和固化炉当前90页，总共104页。当前91页，总共104页。转移成型技术的优缺点技术和设备成熟，工艺周期短，成本低，几乎没有后整理，适合于大批量生产塑封料的利用率不高，使用标准的框架材料，不利于应用到较先进的封装技术，对于高密度封装有限制当前92页，总共104页。2.6去飞边毛刺在塑料封装中的塑封料树脂溢出、贴带毛边、引线毛刺等统称为飞边毛刺现象。例如，塑封料只在模块外的框架上形成薄薄的一层，面积也很小，通常称为树脂溢出。若渗出部分较多、较厚，则称为毛刺或是飞边毛刺。它会给后续工序（如切筋成型）带来麻烦，甚至会损坏机器。第二章封装工艺流程当前93页，总共104页。2.6去飞边毛刺去飞边毛刺主要工序第二章封装工艺流程介质去飞边毛刺溶剂去飞边毛刺用介质去飞边毛刺时，是将研磨料（如颗粒状的塑料球）与高压空气一起冲洗模块。在去飞边毛刺过程中，介质会将框架引脚的表面轻微擦磨，这将有助于焊料和金属框架的粘连。水去飞边毛刺用水去飞边毛刺工艺是利用高压的水流来冲击模块，有时也会将研磨料与高压水流一起使用。用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于很薄的毛刺。溶剂包括N-甲基吡咯烷酮(NMP)或双甲基呋喃（DMF）。当前94页，总共104页。2.7上焊锡封装后要对框架外引线进行上焊锡处理，目的是在框架引脚上做保护层和增加其可焊性。上焊锡可用二种方法，电镀和浸锡。电镀工序：

清洗-在电镀槽中进行电镀-冲洗-吹干-烘干（在烘箱中）浸锡工序：

去飞边-去油-去氧化物-