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文档简介

1、霍尔效应测量亥姆线圈磁霍尔片工作电流:Is 亥姆线圈励磁电流:Im线圈匝数 线圈半径XV2V4VV1V2V3 IS,IMIS,IMIS,IMIS,IM------------------------------------------------------------------0--5--------------------------------------------注意:由于各霍尔器件之间参数存在差异,以上数据参考实验目实验仪DH4501B 一实验原1、霍尔效图图示,磁场B位于Z的正向 图半导体材料ISX负向运动。fLY轴负方向偏转,并形成电向相反)fLfEYEH,相应的电势差称为霍尔电势VHfL

e为电子电量,B

fEeEHeVH

式中EH为霍尔电场强度,VHl为霍尔元件宽度。当达到动态平衡时fL

BVH

设霍尔元件宽度为l,厚度为d,载流子浓度为nIS

V

ISB

IS

ne H即霍尔电压 与IS,B的乘积成正比,与霍尔元件的厚度成反比,比例系1RH1

KHRH/dl/

H VHISBH

式中:KHmV/mA·TKH愈大愈好。(2 应强度B垂直,在其控制端输入恒定的工作电流IS,2、实验系统误差及其消测量霍尔电势VH时,不可避免的会产生一些副效应,由此而产生的附加电势叠加在霍不等位电势但间存在电势差Vo,VoISISXIS,ZBY轴分别向相反的两侧偏转,这些载流子的动能将转化为热同,电极和元件之间形成温差电偶,这一温差在间产生温差电动势VE,VEISB这一效应称爱廷豪森效应,VEISB的大小和方向有关,跟VHISBY方向上产生附加的电势差VN,且VN∝QB这一效应称为伦斯脱效应,由上式可知VNB的方向有关。如(3)XdT/dX,引起载流子沿梯度方向扩散而有QZBY方向引起类似爱廷效应的温差,由此产生的电势差VR∝QBBIS的方向IS,磁场B(即相应的励磁电流IM)的关系,采用对称(交换)测量法进量。IS,IMIS,IM时IS,IM时当ISIM时

V1VHVOVEVNV2VHVOVEVNVRV3VHVOVEVNVRV4VHVOVEVNVRV1V1V2V3V

V

VE的符号和霍尔电势VHISB的方向关系相同,故无法消3、亥 线

VE,因而VE亥姆B NI2(R2x2)3/

IM为通过线圈的电流强度,N为线圈的匝数,R为线圈平均半径,x

BO

80553

实验步1、将实验仪上的恒流源输出IS,IM分别对应接到亥姆线圈测试架上,导线和插孔的3ISIMIS=2.0mAIM4ISIMx110mmx110mm5mm测ISIM的极性(ISIM调到零再打换向开关5ISIM用霍尔效应测量磁场数据处1OBO

80553

2.042OB和VK

IS VH3、利用

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