太阳能电池扩散工艺Tempress工艺指导书

Tempress集中工艺操作规程-1-序言tempress集中炉的生产正常进展，稳定生产工艺，提高集中工序产品质量，进一步保证电池产品性能，特制定本作业指导书，以使操作人员的工艺操作有章可循，标准统一，同时，还为员工的上岗培训供给教材参考。-2-名目一、工艺目的二、使用范围三、责任四、设备及工具五、材料与工艺气体六、工艺描述1、工艺原理2、工艺方案七、工艺预备1、工艺干净预备2、设备预备八、工艺操作1、手工装片2、机械手装片3、工艺循环九、留意事项十、测试及检查十一、集中工序不和格硅片产生缘由及相应预防措施1、四探针测试仪操作规程2、WT-2023〔少子寿命测试〕操作规程-3-集中工序工艺操作规程一、工艺目的：〔P〕原子，从而在硅片外表形成结深为0.3-0.5µmP－N二、适用范围：适用于电池车间Tempress三、责任本工艺作业指导书由工艺工程师负责制订、修改、解释。四、设备及工具：仪、R2D。五、材料与工艺气体：制绒后的多晶硅片，三氯氧磷，氮气〔40psi，氧气〔40psi，压缩空气冷却水0.4MPa200.2℃。(psi/平方英寸)。六、工艺描述：1、工艺原理：(POCL〔860℃〕与氧气〔O〕反响生成五氧化二磷〔PO，五3 2 25〔PO〕(Si)反响生成二氧化硅〔SiO〕和磷。磷原子(P)在高温下逐25 2P-N其反响方程为：4POCL3

+3O2

=2PO25

+6CL2

+4P25 22、工艺方案：〔1、进舟：将硅片用桨送进集中炉炉管内-4-、出桨：将硅片送到炉管内后桨退出炉管、升温：将炉管温度升到设定温度、稳定：将炉管温度稳定在一个稳定值、氧化：在硅片外表生成一层二氧化硅，起到净化外表的作用、淀积：在硅片外表淀积确定量的P原子、推动：通过把握温度将淀积在硅片外表的P深度的结深。、降温、进桨：、出舟：七、工艺预备：1、工艺干净治理严禁任凭开启门窗，以保持室内干净度。2、设备预备检查冷却水压力、特气压力及流量是否正常；确认源温把握器温度是否正常、源瓶液位是否正常和源瓶进、出口阀门是否正常翻开。八、工艺操作：1、机械手装片〔源面〕与非制绒面，使制绒面方向统一向片盒带传感器的一面放置。2、工艺循环-5-在工艺运行过程中不得跳步，如遇到特别状况需要跳步，则必需分步进展，一次只能跳一步。3、源瓶更换检查5〔源瓶水平放置〕必需更换源瓶。更换源瓶须专人负责，严格执行源瓶操作规程，未经过严格培训者不能更换，在更换时必需有两个人同时在场，更换完毕后要认真填写更换记录。九、留意事项5cm，这样即可保证石英舟架在放入到石52、石英舟及其它石英器件是否有破损，假设有破损要停顿使用，更换的。3、直线轨道上假设消灭滴落的残液要马上擦拭，避开腐蚀轨道及导轨滑块。需调整限位开关以及石英门。通知相关技术人员，以便作出妥当的处理。Tempress功能，选择正确的校温程序即可。更改记录及更改后效果。十、测试及检查12sourceload53、使用四探针测试仪对硅片的源面进展方块电阻测量，其测量标准如以以下图所示。把数据-6-按炉管进展汇总填入Excel表格〔包括测量日期、硅锭号、随工单号、测量温度等。112345678958±4Ω/sq，50-66Ω/sq，单452个点超出此范围，假设有一般状况下，假设电阻过大，应检查炉口是否密封，源液是否足够，工艺条件是否正常。-7-十一、附表1集中工序不合格硅片产生缘由及相应预防措施缺陷类别 缺陷可能产生的缘由 相应预防和处理措施阻低，Load区电阻高阻均匀性好，Load区电阻均匀性差整体均匀性较差

炉门密封或关闭不严废气排风压力过大假片较少炉门密封或关闭不严废气排风压力过大假片较少废气排风压力过大

进展调整适当减小排风压力增加局部假片进展调整适当减小排风压力增加局部假片小N2流量)3.Deposition阶段温度过高 2.适当减小排风压力3.Deposition阶段温度1.舟被污染扩后片电阻上低下 2.片源质量较差高 在炉管内位置偏高炉管和硅片温度低扩后片电阻中间高，同上边缘低

清洁舟使用优等硅片降低硅片在炉管内位置同上均匀性不连续

1.炉管和舟使用前未作饱和

重做饱和假片被污染 2.更换假片-8-片源质量差石英舟沾污气体流量低1.Deposition阶段温度低

使用优质片清洁石英舟N2O2流量适当提高Deposition阶段温度适当延长Deposition阶段时间电阻均值偏高

Deposition阶段时间短

Drivein阶段温度Drivein阶段时间Drivein阶段温度低Drivein阶段时间短

适当降低Deposition阶段温度适当缩短Deposition阶段时间电阻均值偏低

Deposition

Drivein阶段温度Drivein阶段时间DriveinDrivein原硅片带手印 1.通知硅片车间查找缘由

制绒工序装卸、载手污染集中工序扩前装载手污染

带隔板取放硅片硅片上下外表的手接触制绒碱槽液位低 1.按比例向碱槽补充碱液和水

制绒碱槽润洗压力低制绒碱槽滤芯堵塞环境干净度不够

加大碱槽润洗压力更换滤芯保持环境为正压，削减扬尘5.-9-5.扩前硅片存放时间过长5.扩前硅片存放时间过长削减硅片集中前的存放时间6.DI水压力缺乏6.DI水压力至工艺要求范围7.制绒润洗槽堵塞7.疏通堵塞润洗槽8.原硅片带油8.通知硅片车间查找缘由9.制绒风刀压缩空气带油9.更换制绒压缩空气滤芯1.硅片带水、带酸、带碱1.制绒工序严格把握带水、带散人员在装载硅片前进展严格扩后蓝斑硅片检查，避开带水、带酸液、带碱为污染-10-1四探针测试仪操作规程一.目的二.适用范围Model280三.设备主要性能及相关参数Model280设备构成：A单独完成对硅片的测量。四.运行前的检查主要检查设备各部件是否正常，电脑是否可正常使用。五.设备操作启动软件将测试仪把握器和PC启动软件。软件翻开时会自动进入登陆用户界面。

图标，-11-通过输入不同的用户名和密码，可以进入不同的用户权限。用户主窗口主窗口分为四个单元；Utilities；Testing；Diagnostics；DataAnalysis-12-样品测试testing单元中消灭如图：ofmeasurement制造一个的测量过程。如图：-13-从这里选择一个测量程序。通常生产过程中，使用9点测量，就是POINT9程序。-14-此部编辑当前测试片ID这个ID值以便于测试后倒出测量结果，080601A12.12023-6-1121个炉管。OK进入测试界面就可以了，测试完第一片后，点击------UsePreviousIDID值，进展下一片的测量。操作留意事项被测片放于测试台，盖上盖子，以使测试准确。六.设备维护每次使用完毕保持设备的干净卫生-15-2—目的

WT-2023〔少子寿命测试〕操作规程二适用范围适用于similab公司的WT2023型号的椭偏仪硬件局部：1DOS主机〔上，windows主机〔下〕的电源。2、翻开真空泵。软件局部：O

WT-2023WS5.102、在菜单栏选择“Measure-Initialize〔DOS机Initialize”变为不行选〕3、在菜单栏“Measure-Mode”或主窗体的工具栏，选择测量模式为u-PCD。sample”，并弹出对话框要求放置样品。此时翻开测试箱盖OK”按钮，仪器将自动加载并对硅片扫描定位。5、在自动定位完成后，选择“Measure-Autosetting”，仪器进展-16-自校正。选择测量精度〔如右图中的Ｒaster〕为４ｍｍ，随后选择“Measure-Map”，便可对硅片扫描作图。留意事项：1、在仪器进展“初始化“、”自校正“等过程中不要进展其他操作，以免造成死机。2、在加载硅片时，留意探头不要与硅片接触，以免损坏探头。3、在”自校正“及作图时确定要盖上测试箱盖，以确保测量数据的准确。4、使用完毕后，检查测试箱内卫生状况保证其干净整齐。设计文件名称设计文件名称产品型号名称Tempress工艺操作规程156×156多晶绒面电池T-IS-021-17-1、工艺目的：在清洗后的硅片外表集中确定量的磷〔P〕原子，从而在硅片外表形成一层结深为0.3-0.5µmP－N2、适用范围：适用于电池制造部Tempress集中炉。3、责任本工艺作业指导书由工艺工程师负责调试、修改、解释。4、设备及工具：Tenpress测试仪、R2D5、材料与工艺气体：〔POCL〔40psi〔40psi〔5kg/cm2，3冷却水〔0.4MP。排风压力〔10-15mmHO。26、工艺描述：1、工艺原理：(POCL〔O〕反响生成五氧化二磷〔PO，所产生的五氧3 2 2525 2P-N其反响方程为：4POCL

+3O=2PO+6CL3 2 25 22PO+5Si=5SiO+4P25 2资料来源 编制校准审定标记处数

更改文件号 签字 日期

供给部门日期-18-设计文件名称 Tempress工艺操作规程

T-IS-021共4页 第2页27、工艺预备：1、工艺干净治理任凭开启门窗,以保持室内干净度。2、设备预备度正常(20℃)、源瓶液面正常和源瓶进、出口阀门翻开。3、原材料预备R2D合格片包括崩边、缺角、裂纹、锯痕、斑点、斑痕等。8、工艺操作：1、R2D操作人员需带上干净的橡胶手套，将载有合格硅片的载片舟装载到R2D的硅片清洗制绒面应向气源方向TenpressR2D1213500〔单面集中数量以保证石英舟内硅片集中的均匀。2、工艺循环点击开头按钮,设备自动进舟,依据设定工艺程序进展工艺循环,直至全过程完毕。在-19-在工艺运行过程中需不断有人对工艺、设备状况进展巡查。3、R2D蹦边、缺角、外表不合格等不合格片，还要留意取片时是否夹带片。必需将全部不合格硅片取出来单独包装，并记录到随工单上。设计文件名称 Tempress工艺操作规程

T-IS-021共4页 第3页-20-〕必需更换源瓶。更换源瓶须专人负责，严格执行源要认真填写更换记录。9、留意事项5cm，这样即可保证石英舟架在放入到52、石英舟及其它石英器件是否有破损，假设有破损要停顿使用，更换的。3、直线轨道上假设消灭滴落的残液要马上擦拭，避开腐蚀轨道及导轨滑块。4、检查石英门与石英管口是否还留有缝隙，如有密封不严，需调整限位开关以及石英门。马上通知相关技术人员，以便作出妥当的处理。6功能，选择正确的校温程序即可。720～25mmwater。10、测试及检查接班后对每个炉管的第一管扩后片进展测量，并记录下方块电阻的平均值和整体偏差及少子寿命。2sourceload10Excel〔包括测量日期、班组、硅锭号、硅片规格、随工单号、测量温度等相关信息。-21-设计文件名称 Tempress工艺操作规程

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