实验22MOSFET的低频CV特性测量分析

西安电子科技大学微电子学院实验22MOSFET的低频CV特性测量MOSFET的低频CV特性测量就是通过对MOSFET的电容-电压(C-V)特性测试，进而得出氧化层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层电荷密度、耗尽层电荷密度以及阈值电压等参数。CV测试被广泛地应用在半导体参数的测量中，是一种能够得到许多工艺参数的重要测试手段，能够有效地评估工艺、材料及器件的性能。该方法是通过在栅极直流偏置条件下叠加小幅交流低频信号后，MOSFET栅电容变化而发生变随栅电压化，由此得出电容电压关系曲线，进而计算出各种工艺参数。具有原理简单、操作方便和测量精度高等优点。本实验目的是熟悉电容精密LCR表、直流稳压电识体系。-电压法测量MOSFET工艺和衬底参数的基本原理；学会源的使用方法；完善所学半导体物理、半导体工艺等理论知一、实验原理1.MOSFET电容模型MOSFET中的电容与施加电压可以通过上叠加幅度小得多的交流电压进栅电压从负值变到正值时，NMOS晶体管的能带结构、电有关。栅极与衬底之间的电容取决于栅极上所施加的行测量。图22.1给出了荷分布和等效电容模型。直流电压，在直流电压图22.1栅电压变化时NMOS结构的能带图、电荷分布和等效电容当衬底保持接地并在栅极施加负电压时，NMOSFET结构的电容效应将使衬底靠近N更高的空穴积累，这种氧化层一侧的表面开始存储正电荷。该表面将有比受主浓度A情形称为表面积累。在此条件下氧化层两面的可动电荷能迅速响应施加电压的变化，112第三篇半导体工艺检测实验NMOS器件就如同是一个厚度为t的平板电容器，采用C表示其值。OXOX当衬底保持接地并在栅极施加正电压时，随着栅极与衬底之间正电压的增加，更多受主暴露于衬底靠近氧化层一侧的表面，该表面附近的载流子被逐步耗尽，形成了电离受主离子在表面的积累，这就是所谓的表面耗尽。静电分析表明NMOS器件的总电容是C和衬底中耗尽区电容C的串联。OXd随着栅电压的进一步增加，NMOS结构中能带将在氧化层与衬底界面处发生显著弯曲。当耗尽区达到最大宽度x时，耗尽区中只剩下电离受主杂质离子。耗尽区远离dmax氧化层一侧的衬底中产生的载流子超了过复合区到达氧化层－硅界面。因此衬底总电荷就是这两种静电分析表明MOS器件总电容是串联的氧化层电容、并联的耗尽电容以及表面电荷电容C与耗尽电阻的串联组合，所产生的电子通过电场掠过耗尽层势垒电荷之和。这种情形称为表面反型，。i2.MOSFET参数计算MOS晶体管栅极与衬底之间的电容的测量极为重要，可以通过电容的测量，计算出许多衬底及工艺参数，如衬底掺杂浓度N、平带电压V、氧化层电荷密度Q、耗subFBSS尽层电荷密度Q以及阈值电压V等。bTH1.)氧化层厚度t：OX在表面积累情况下，MOS结构电容可视为平板电容器，可以表示为：rCA10ox/tOXpF8(22-1)0式中，A表示栅极区面积，单位为μm2；ε为真空介电常数，其值为8.854×10F/cm；ε-140r为SiO2的相对介电常数，其值为3.9；C是重累积时的被测电容，对应于V=V时OXGSDD的测量值。根据上式，可以求出t，其值为：OXrtA10OX/C3.45105A/Cox8μm(22-2)0ox2.)衬底杂质浓度N和费米势Φ：subf根据半导体物理理论，衬底杂质浓度N和费米势Φ可由下面两个公式给出：subf2CN4108subfcm-3(22-3)(22-4)SminAqrSi0NNKTlnq0.0258*lnVsubsubnnfii式中，n是本征载流子浓度，单位为cm；费米势的符号由沟道中掺杂的类型确定，N-3i型掺杂为正，P型掺杂为负，单位为V；C表示最小耗尽层电容，单位为pF；ε为硅Smin的相对介电常数，其值为11.9；q是电子电荷，其值为1.602×10rSi，单位为C；K是玻尔兹-19曼常数，其值为1.38×10式(22-3)和式(22-4)的联立方程组没有闭合解，通过给C赋初值反复迭代，最后得到N和φ值。这种方法计算复杂度较大，，单位为J/K；T是绝对温度，单位为K。-23形式的解，可以使用计算机编程迭代求Sminsubf需要具有一定的数学功底和计算机编程能力才能顺利地完成。为简化实验难度，通常可以采用查图表法完成衬底掺杂浓度的求解。113西安电子科技大学微电子学院根据半导体表面理论，在CV测试曲线上找出最小电容C，计算出最小电容和氧Smin化层电容的比值C/C，由归一化极小电容C/C与氧化层厚度t的关系图表，SminOXSminOXOX可查得衬底的掺杂浓度N，下图给出了C/C、t与N之间的对应关系。subSminOXOXsub图22.2CS/C、t与N之间的对应关系minOXOXsub3.)平带电容C和平带电压V：FBFB压使衬底一侧形成了电离受主离子在表面的积累，此时栅电压能够克服栅极当栅电与衬底间的功函数差以及栅氧化层中的固定电荷引起衬底一侧能带的弯曲，使得界面处沟道一侧能带不再弯曲，称为平带状态。此时的耗尽层电容称为平带条件下的耗尽层电容，记为C，可以表示为FBSC1042ApF(22-5)(22-6)0rSILFBSD式中，DL称为德拜长度，其值为N2KT583Lcm0rSIq2NDsubsub带入上式，则有C1042A2.561011AN(22-7)0rSIpFLFBSsubD此时，MOS器件栅极与衬底之间的总电容是C和C的串联，记为平带电容C，OXFBSFB114第三篇半导体工艺检测实验表示如下CCCOXFBSpF(22-8)CCOXFBFBS在测量的CV特性曲线中，C对应的电压称为平带电压，记为V，单位为V。FBFB平带电压可以采用插值的方法计算得出，方法是在CV特性曲线中，平带电容CFB值附近，选取两组测试坐标点（C，V），依据线性插值方法求出平带电压V。FB4.)栅氧化层电荷密度Q、耗尽层电荷密度Q和阈值电压V：SSbTH由平带状态条件可知，平带电压包含功函数差和氧化层电荷两AQ部分，可以表示为VV(22-9)SSC10FBms12OX式中Φ为栅极与衬底之间的功函数差，其值为0.5~0.6，单位为V；Q为栅氧化层中msSS固定电荷密度，单位为C/μm。所以，Q也可以表示为2SSQVC1012msC/μm2(22-10)FBASSOX根据半导体QqNA1041.691035NA物理知识，耗尽层电荷密度可以由下式描述C/μm2(22-11)sub0rSIsubCCSminbSmin其中，Q的符号由沟道中掺杂的类型确定，N型掺杂为V的含义是施加在栅极上的用于克服栅极与衬底间的TH势和形成强反型层需要的两倍电势变化，由此，阈值电正，P型掺杂为负。b阈值电压功函数差、氧化层电荷电势、衬底中耗尽层电荷电压可以表示为VVAQb2fV(22-12)CTHFBOX本实验可以采用精密LCR表和直流偏执电源，对MOS晶体管设置偏置回路，并在信号，通过变更直流偏置条件形成CV特性曲线。栅源之间施加小幅低频测试二、实验内容1.建立MOS管测试回路，对MOS晶体管的栅源电容进行低频CV特性测量。2.根据测试结果，判断晶体管沟道掺杂类型。3.计算出MOS晶体管工艺参数。4.绘制MOS晶体管C-V特性曲线。三、实验步骤本实验采用的CV测试系统包括：安捷伦精密LCR表、安捷伦耦合器、直流稳压115西安电子科技大学微电子学院电源和测试盒等。下图为NMOS晶体管CV特性测试原理框图。图22.3NMOSCV特性测试原理框图具体操作步骤如下：系统连接与交流信号设置：1.按上图连接好测试系统，检查并确保连接正确后，接通精密LCR表电源。2.在LCR表中MEASDISPLAY页面区域填入如下字段，设置测量条件如下：1.)将光标移动到FREQ字段，并输入1KHz，设定交流信号频率。2.)将光标移动到LEVEL字段，并输入0.5V，设置交流信号幅度。3.)将光标移动到MEASTIME字段，选择MED，选择单一数据测试快慢。4.)按MeasSetup键，将光标移动到AVG字段，用数字键输入平均数（0~256），设置单一测试数据重复次数。电容测试误差修正：测试系统回路存在仪器和线路的残余电感和杂散电容，需要对测试回路分别进行开路修正和短路修正，具体操作如下。1.)开断回路开关或拔下器件，使精密LCR表处于开路状态2.)按MeasSetup键和CORRECTION功能键。3.)将光标移动到OPEN字段，切换“ON”态为“OFF”态，并按MEASOPEN功。能键。等待直到消息“OPENmeasurementinprogress”（“正在进行开路测量”）消失。4.)按ON功能键，启动开路修正并保存在设备内。5.)将短路线连接到耦合器两端或测试盒栅源两端，设置短路条件。6.)将光标移动到SHORT字段，切换“ON”态为“OFF”态，并按MEASSHORT功能键。等待直到消息“SHORTmeasurementinprogress”（“正在进行短路测量”）消失。7.)按ON功能键，启动短路修正并保存在设备内。测试步骤：1.修正完成后，将被测MOS器件连接到测试盒源端和栅端。2.接通直流偏置电源，按如下方式设置输出偏压。1.)按“Voltage/Current”键切换2.)按导航键切换至合适数据位置，旋转电流电压快速旋钮设置初始输入电压为零或5V。至电压模式。3.)按“off/on”按钮开始进行电压输出。4.)当LCR表显示电容器Cp值和D值（模值），电容值最大时，记录测试数据。116第三篇半导体工艺检测实验5.)按“off/on”按钮退出输出模式，使电容充分放电；6.)按照测试步长，重新按“Voltage/Current”键切换至电压模式，按导航键并旋转电流电压快速旋钮设置下一电压值；7.)待电压源显示稳定后，按“Voltage/Current”键接入测试回路，测试该次电容值；8.)重复上述5.)、6.)和7.)步骤，即可完成多次测试。3.测试完毕后，关闭LCR表和直流电源，取下被测器件。四、数据处理和分析1.对给定MOS晶体管的栅源电容，进行低频CV特性曲线的测量，直流电压范围-5V~+5V，取点不少于20个。2.根据测试结果，判断晶体管类型。3.计算出氧化层厚度、衬底掺杂浓度、费米势、氧化层电荷密度、耗尽层电荷密度以及阈值电压等参数。4.绘制MOS晶体管C-V特性曲线。五、思考题1.影响氧化层电荷密度大小的因素有哪些。2.解释MOS晶体管阈值电压变化范围较宽的原因。3.说明MOS器件类型与平带电压之间有什么关系？。六、注意问题1.