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文档简介

武汉工程大学电子技术基础习题集模电答案武汉工程大学电子技术基础习题集模电答案

第一单元练习答案

一、填空题

1.+3，空穴，+5，自由电子，掺杂浓度，温度（或本征激发）2.单向导电性3.齐纳，雪崩，

4.双极结型晶体三级管，NPN,PNP,自由电子，空穴，电流，输入电流，输出电流

5．饱和区、放大区、截止区，发射结、集电结6．正向，反向7．1+β，小

8．集电极电流IC、发射极电流IE,集电极电流IC、基极电流IB9．左移，上移，增大

二、选择题

1.C、A2.A、E、B、D3.C4.A5.C6.A

三、简答与计算

12

武汉工程大学电子技术基础习题集模电答案

3

4．5．6．

图（a）D截止，VAO=-12V；

图（b）D1截止，D2导通，VAO=-6VVAVBD导通

UO1＝6V，UO2＝5V。

7．略（上课讲过）8．略9．解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为

IB=VBBUBE=26μA

Rb

IC=βIB=2.6mAUCE=VCCICRC=2V

所以输出电压UO＝UCE＝2V。（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

IC=

IB=

VCCUCES

=2.86mARc

IC

=28.6A

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