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文档简介

本文格式为Word版,下载可任意编辑——模拟电路复习资料2023

复习资料一

一、填空题

1.P型半导体中的少数载流子是。

2.对于PNP型晶体管,当其工作在放大区时,发射结,集电结。3.稳压管工作在状态下,能够稳定电压。

4.在直流电源中,整流电路是利用二极管特性将交流电转换成单方向脉动的直流电。5.当放大电路的负载电阻增大时,放大电路的输出电阻。

6.某差动放大器的两个输入信号分别为uI1=40mV,uI2=10mV,电路的差模输入信号为。

7.甲类功放双极型晶体管BJT的导通角为;乙类功放BJT的导通角为。8.放大电路在低频信号作用时,放大倍数数值下降的主要原因是。二、判断题(正确,用“√〞错误用“〞填入空内)1.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。()

2.在N型半导体中假使掺入足够量的三价元素,可将其改为P型半导体。()3.耗尽型MOS管在栅源电压uGS为正或为负时均能实现压控电流的作用。()4.直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,它只能放大直流信号。()5.所有放大电路都必需引入反馈,否则无法正常工作。()

6.输入电压在单调变化的过程中,单限比较器和滞回比较器的输出电压均只可能跃变一次。()

7.共漏极场效应管放大电路,其输出电压与输入电压同相。()8.运算电路中一般均引入负反馈。()

9.电路只要满足AF1,就一定会产生正弦波振荡。()

10.若放大电路中引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。()三、单项选择题

1.某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为12V、11.7V、6V,则这个三极管为()。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管2.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,简单产生()。A.截止失真B.饱和失真C.双向失真D.线性失真

3.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA,3.6mA,则该管的为()。A.60B.80C.100D.50

4.欲得到电压——电流转换电路,可在放大电路中引入()。

A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈5.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比,通频带()。

A.变宽B.变窄C.不变D.不确定6.某场效应管的开启电压UGS(th)=2V,则该管是()。A.N沟道加强型MOS管B.P沟道加强型MOS管C.N沟道耗尽型MOS管D.P沟道耗尽型MOS管

7.有两个放大电路A1和A2分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时,A1和A2输出电压一致;当接入一致负载电阻后,Uo1Uo2。由此可知,A1比A2的()。A.输出电阻大B.输出电阻小C.输入电阻大D.输入电阻小8.为了抑制2kHz以下的信号,应采用()电路。

A.带通滤波B.低通滤波C.带阻滤波D.高通滤波

9.桥式整流电路输出电压的平均值是半波整流电路输出电压的平均值的()倍。A.1B.2C.3D.410.长尾式差动放大电路中,Re越大,则()。

A.Ad越大B.Ad越小C.KCMR越大D.KCMR越小四、分析计算题

1.图1所示(a)、(b)两个电路中晶体管参数一致:100,rbe2k,电容的容抗可忽略不计。

(1)求每个电路的电压放大倍数Au,输出电阻Ro;

(2)两个电路分别接上大小一致的输入电压Ui和负载(Ui500mV,RL3k),分别求各电路的输出电压Uo;

(3)说明哪个电路带负载能力强。

(+12V)

2kus+

O

-

2kus+uO-

(a)(b)图1

2.放大电路如图2所示。假设T1管的gm2ms,rds;T2管的参数100,UBE=0.7V,

rbb'300,rce;所有电容对交流信号可视为短路。

(1)估算T2管的静态工作电流ICQ和管压降UCEQ;

(2)指出T1、T2各组成什么组态的基本放大电路;(3)画出微变等效电路。

CC(+12V)

+uO-

图2

3.电路如图3所示,设A1、A2、A3均为理想运放,其最大输出电压幅度为15V(1)A1~A3各组成何种基本应用电路?

(2)若uI9sin(t)V,试画出与之对应的uO1、uO2和uO的波形。

20kΩ

uI

O

图3

4.图4所示电路

(1)指出电路中级间交流反馈的极性和类型(反馈组态);(2)设满足深度负反馈条件,试估算电压增益Auf。

.

+O

-EE

图4

5.串联型稳压电路如图5所示,已知稳压管稳压值UZ=6V,(1)说明电路中T1管、运算放大器A、稳压管DZ的作用;

(2)在图中标出运放的同相、反相输入端以保证电路正常工作;(3)设电位器Rp在中间位置,试写出A、B、C各点的电压;(4)计算输出电压调理范围。

A

UO

-

图5

复习资料二

一、填空题

1.N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素,其多数载流子是。2.场效应管是通过来改变漏极电流,所以是控制型器件。3.放大电路中引入串联负反馈会使输入电阻。

4.在共射、共基、共集三种基本放大电路中,带负载能力最强的是放大电路。5.集成运放采用耦合方式,输入级采用放大电路。

6.在单管基本共射放大电路中为消除Q点上移。7.在阻容耦合放大电路中增加耦合电容,则中频电压放大倍数绝对值,上限截止频率fH。二、判断题

1.由于P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。()2.多级放大电路级数越多则上限频率fH越小。()

3.直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,它只能放大直流信号。()4.在甲类、乙类和甲乙类三种功放电路效率最高的是甲类电路。()5.产生高频正弦波一般采用RC振荡电路。()

6.串联型晶体管稳压电路是利用电压负反馈使输出电压保持稳定。()7.某场效应管的开启电压UGS(th)=2V,则该管是P沟道加强型MOS管。()8.负反馈能抑制反馈环外的干扰和噪声。()9.复合管的类型取决于第一个管子的类型。()

10.欲实现Au100的放大电路,可选用反相比例运算电路。()三、单项选择题

1.某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为15V、3.5V、2.8V,则这个三极管

为()。

A.PNP硅管B.NPN锗管C.NPN硅管D.PNP锗管

2.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过低,简单产生()。A.截止失真B.饱和失真C.双向失真D.线性失真3.场效应管的主要优点是()。

A.输出电阻小B.输入电阻大

C.是电流控制器件D.组成放大电路时电压放大倍数大4.欲得到电流——电压转换电路,应在放大电路中引入()。

A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈5.差动放大电路的两个输入端电压分别为uI1=20mV,uI2=10mV,则其共模输入电压为()。A.10mVB.20mVC.30mVD.15mV6.理想集成运放工作在非线性区时,具有两种特性,以下()表达是正确的。A.同相端电压和反相端电压相等,净输入电流为零

B.输出电压或为正向最大输出电压或为负向最大输出电压,净输入电流为零C.同相端电压和反相端电压相等,净输入电流不为零D.理性集成运放不可能工作在非线性区

7.有两个放大电路A1和A2分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时,A1和A2输出电压一致;当接入一致负载电阻后,Uo1Uo2。由此可知,A1比A2的()。

A.输出电阻大B.输出电阻小C.输入电阻大D.输入电阻小8.为了获得输入电压中的低频信号,应采用()电路。

A.带通滤波B.带阻滤波C.低通滤波D.高通滤波9.正弦波振荡的平衡条件()。

A.AF0B.AF1C.AFD.AF110.长尾式差动放大电路中,Re越大,则()。

A.Ad越大B.Ad越小C.KCMR越大D.KCMR越小四、计算题

1.放大电路如图1所示,已知三极管β=50,rbb’=200Ω,UBEQ=0.7V,C1、C2、C3对交流信号视为短路,RS=300Ω。

(1)计算静态工作点Q(UCEQ,ICQ);(2)画交流小信号等效电路;(3)求输入电阻Ri,输出电阻Ro;(4)求电压增益Au,源电压增益Aus

Uo

Us

CC

u+12V)+uO-

图1

2.差动放大电路如图2所示,T1、T2完全对称,各三极管β、UBE已知。(1)写出T1、T2静态工作点表达式;

(2)写出电压放大倍数Aud,输入电阻Ri与输出电阻Ro表达式。

-VEE

图2

3.理想集成运放构成图3所示电路,其中稳压管的稳定电压

UZ=4V。(1)试说明由运放A构成的电路名称,并画出其电压传输特性曲线。(2)设输入

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