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4.1三极管的基本结构NPN集电区发射区基区发射极集电极基极ECB发射结集电结1.基区很薄2.发射区掺杂浓度>>基区掺杂浓度3.集电区尺寸>发射区尺寸，集电区掺杂浓度<发射区掺杂浓度结构特点：集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高基区：较薄，掺杂浓度低1类型及符号NPN型PNP型BECNNP基极发射极集电极PNP集电极基极发射极BCE2三极管放大的条件①内部条件发射区高掺杂(故管子E、C极不能互换)

基区很薄(几个m)

②外部条件发射结(EB结)正偏集电结(CB结)反偏

4.2三极管的工作原理3发射结正偏，集电结反偏VC>VB>VEVC<VB<VEB（P）C（N）iBiEiCNPN型三极管E（N）iBiEiCPNP型三极管C（P）B（N）E（P）41.放大状态BECNNPEBRBEcRCEB保证发射结正偏，EC>EB保证集电结反偏。5进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB

，多数扩散到集电结。BECNNPEBRBEc发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IEIBRCIB电流分配6从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成IC。BECNNPEBRBEcIEICIBICRCIB发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB

，多数扩散到集电结。电流分配7IC与IB之比称为电流放大系数静态电流放大系数：动态电流放大系数：通常：电流放大系数82.饱和状态当三极管的UCE<UBE时，BC结处于正向偏置，此时，即使再增加IB，IC也不会增加了。饱和状态饱和的三极管相当于一个闭合的开关3.截止状态当三极管的UBE<

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