电子技术第章半导体

主讲刘琼武科大信息学院janetliuqiong@163.com

第7章半导体器件7.2PN结及其单向导电特性7.3半导体二极管7.4稳压二极管7.1半导体的导电特性7.5双极型晶体管第7章半导体器件要点P型和N型半导体特点：多子，少子，参入几价元素2.PN结单向导电性：如何导通及截止3.二极管的符号；死区电压与导通压降区别；多个二极管导通原则4.稳压管的符号；稳压管正反向导通区别5.三极管的分类及极间电位；电流放大公式；三极管输出特性的三个分区及PN结状态7.1半导体的导电特性半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料常见半导体材料有硅、锗、硒及金属的氧化物和硫化物等。半导体材料多以晶体的形式存在。半导体材料的特性：纯净半导体的导电能力很差；温度升高——导电能力增强（如钴、锰、镍的氧化物做成的热敏电阻）；光照增强——导电能力增强（如镉、铅等硫化物做成的光敏电阻）；掺入少量杂质——导电能力增强。7.1.1

本征半导体完全纯净、具有晶体结构的半导体最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价元素，每个原子最外层电子数为4。++SiGe共价键7.1.1

本征半导体在本征半导体的晶体结构中，每个原子与相邻的四个原子结合。每个原子的一个外层价电子与另一原子的一个价电子组成一个电子对，电子对由相邻两原子共有，构成共价键结构。共价键价电子共价键价电子自由电子和空穴同时产生7.1.1

本征半导体激发自由电子温增和光照外加电压电子电流离开剩空穴原子带正电吸引相邻原子价电子填补空穴好像空穴在运动（正电荷）外加电压空穴电流与金属导电的区别多硅原子自由电子硅原子半导体中的自由电子和空穴都能参与导电——半导体具有两种载流子。共价键价电子7.1.1

本征半导体本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断进行复合。在一定温度下，载流子的产生与复合会达到动态平衡，即载流子浓度与温度有关。温度愈高，载流子数目就愈多，导电性能就愈好——温度对半导体器件性能影响很大7.1.2

杂质半导体在常温下，本征半导体的两种载流子数量还是极少的，其导电能力相当低。如果在半导体晶体中掺入微量杂质元素，将得到掺杂半导体，而掺杂半导体的导电能力将大大提高。由于掺入杂质元素的不同，掺杂半导体可分为两大类——N型半导体和P型半导体1.

N型半导体当在硅或锗的晶体中掺入微量磷(或其它五价元素)时，磷原子与周围四个硅原子形成共价键后，磷原子的外层电子数将是9，比稳定结构多一个价电子。P+SiSiSiSiSiSiSiPSiSiSiSi多余电子1.

N型半导体掺入磷杂质的硅半导体晶体中，自由电子的数目大量增加。自由电子导电是这种半导体的导电方式，称之为电子半导体或N型半导体。在N型半导体中电子是多数载流子、空穴是少数载流子。室温情况下，本征硅中载流子有1.51010个/cm3，当磷掺杂量在10–6量级时，电子载流子数目将增加几十万倍。当在硅或锗的晶体中掺入微量硼(或其它三价元素)时，硼原子与周围的四个硅原子形成共价键后，硼原子的外层电子数将是7，比稳定结构少一个价电子。B+SiSiSiSiSiSiSiBSiSiSiSi空穴2.

P型半导体掺硼半导体中，空穴数目远大于自由电子数目。空穴为多数载流子，自由电子是少数载流子，这种半导体称为空穴型半导体或P型半导体。一般情况下，掺杂半导体中多数载流子的数量可达到少数载流子的1010倍或更多，电子载流子数目将增加几十万倍。不论是N型还是P型半导体，都只有一种多数载流子。然而整个半导体晶体仍是电中性的。2.

P型半导体因为载流子带正电或负电，原子则相反带负电或带正电，整个晶体不带电。？

1.在杂质半导体中多子的数量与

（a.掺杂浓度、b.温度）有关。

2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。

3.当温度升高时，少子的数量（a.减少、b.不变、c.增多）。abc

4.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是

，N型半导体中的电流主要是。（a.电子电流、b.空穴电流）ba练习7.2

PN结及其单向导电性不论是P型半导体还是N型半导体，都只能看做是一般的导电材料，不具有半导体器件的任何特点。半导体器件的核心是PN结，是采取一定的工艺措施在一块半导体晶片的两侧分别制成P型半导体和N型半导体，在两种半导体的交界面上形成PN结。各种各样的半导体器件都是以PN结为核心而制成的，正确认识PN结是了解和运用各种半导体器件的关键所在。7.想2.丹1奥PN结的导形成PN空间电荷区多数位载流陪子将堂进行扩散杆运动；耗尽混了载杏流子杜的交炮界处意留下桂不可贼移动贪的离起子形抛成空间翠电荷德区；(内电因场)也称耗尽仗层一块激晶片随的两阔边分彼别为P型半洒导体决和N型半麦导体内电主场阻碍苹了多骂子的五继续看扩散液，推竭动少象子的串漂移池运动股，最辞终达途到动态逃平衡，空宿间电笛荷区庭宽度诞一定。P区空穴予多自由朵电子差少N区自由漫电子珠多空穴还少内电槐场空间电荷区P区N区载流散子的齿运动邮有两假种形纱式：扩散由于源载流猜子浓克度梯叹度引脆起的培载流娃子从役高浓彩度区挤向低砌浓度嚼区的渗运动国。漂移载流蹲子受缺电场大作用狭沿电吼场力评方向退的运栏动。耗尽肢层中洗载流煌子的楼扩散变和漂绪移运控动最培后达趁到一瓶种动硬态平咸衡，尾这样库的耗尽纠层就是PN结PN结内电场段的方灰向由N区指家向P区。7.岂2.胃1脆PN结的戴形成7.抱2.昂2让PN结的单向谋导电锈性PN结未先加电压怜时，秩载流杏子的瘦扩散潮和漂煎移运怖动处娱于动做态平恒衡，除空间妖电荷期区的品宽度掀基本焰稳定茂。1)加正向声电压将电绒源的”+卸”接P区、”-转”接N区。扩散醋增强PN内电场方向外电场方向I变窄++-下面漂讨论处加有叛外部撞电压蚊时的PN结特性纷。外电禽场作惊用P区空点穴进粮入PN苦→NN区电吧子进滴入PN凡→PPN结内愚正负浑离子钱被抵备消PN结变窄电荷绒易过好电阻碍低内电虚场弱漂移胖变弱多子伐形成航正向献电流截（包辩括方树向一钩致的步空穴魂电流肿和电的子电娃流）外电委源不须断提网供电罗荷维纹持电探流。2)加反向识电压将外电源俱的正能端接N区、阻负端狱接P区。外电邻场与棵内电拨场方打向相圆同，职空间砌电荷稍区变巧宽。跳扩散扛运动演变弱驳，漂是移运既动增联强，裙参与背漂移桃运动斯的载厅流子军是少兵子，峰反向祖电流绞极小况。PN内电场方向外电场方向+I~0变宽少子喝是由真热激发父产生挠的，严即温帖度愈固高少叙子的颠数量伴愈多童，故舒温度到对反垦向电净流的导影响叼很大健。PN结具炉有单朋向导已电性浴，即粒正向蹦（P+增N-）导烛通、衣反向谣截止7.夸2.裁2荣PN结的单向典导电庙性7.介3半导卧体二武极管7.磨3.酬1结构热与分蹈类将PN结加丛上电趣极引沟线及亮外壳限，就睛构成谢了半挥导体黑二极页管。PN结是魔二极远管的同核心艰。根爹据所祖用材次料不店同，恩二极锻管有尼硅二绵极管视和锗锯二极屠管两秘种。金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳(

a

)点接触型铝合金小球N型硅阳极引线PN结金锑合金底座阴极引线(

b

)面接触型阴极阳极

符号D既然二极拐管是由PN结构梁成的移，它送自然崇具有们着单盾向导首电性姿。某粱种硅两二极宇管的耕电流-电压败关系(伏安求特性)可见傅图示老：由电喉压零绞点分爷为正向从区和反向香区正向毕：由死渣区电特压分胀为死区和导通搁区U(V)0.400.8-50-25I(mA)204060

(A)40200-尘0.切5v梨:正压砌低→外电予场<内电垄场→正向碗电流≈0>0角.5炼v:正压纱高→外电膨场>内电间场→内电怨场大狼大削拌弱→正向饺电流岩大→导通文压降顾：7.盟3.蛾2伏安骡特性死区导通张区死区电压(S杂i-任0.劝5V烦Ge而-0监.1孙V)Si0.彻6～0.巡寿7VGe0.域2～0.两3V截止哪区:负压蜻小→漂移汗强(少子)→很小改反向叶电流→反向嘉饱和晨电流U(V)0.400.8-50-25I(mA)204060

(A)4020反向：由击染穿电谈压分孩为截止拉区和击穿逢区7.报3.些2伏安筋特性击穿姿区:负压比大→二极圾管失姐去单辫向导命电性→击穿→反向抛击穿孟电流→不可孕逆击穿农原因链：碰浩撞和蚂非碰侍撞碰撞:强电差场中糟载流庆子获旋大能爪量碰割撞晶硬格→价电倍子弹导出，饥产生询电子即空穴述对→即新蒜的载艺流子穷再碰剪撞晶题格→雪崩丹反应鉴，反董向电混流越沟来越阿大→反向雾击穿非碰牙撞:强电圆场直夜接将烈共价狠键中扇价电里子拉沉出，染产生答电子伟空穴喝对，形立成较猪大反搏向电退流二极呀管的擦特性源不仅仗可用差伏安孕曲线纲表示隔，也伞可用弟一些棉数据华进行缓说明矛这些华数据温就是窄二极忙管的赔参数稿。二钱极管照的主建要参伍数有揉：1.最大惧整流膏电流IOM二极股管长怠时间吼使用凶所允丸许通郑过的想最大蛛正向忙平均齐电流五。2.反向信工作舅峰值滚电压URW敲M保证她二极寺管不杯被击姑穿而救给出警的反无向峰凶值电荷压，匙为反屿向击肉穿电大压的1/剪2至2/凳3。3.反向攀峰值河电流IRM二极烂管加邪反向卫峰值血电压陵时的揭反向轿电流祝值。悲该值泡愈大格说明蔬二极爬管的呈性能国愈差环，硅总管的涝此参旋数值湿为微换安级舱以下似。7.慎3.醒3主要做参数4.最高川工作盗频率fM二极朽管能鲁承受耽的外补施电是压的秤最高览频率竟。若馆超过沾则失军去单双向导声电性拌。PN结两渔侧的楚空间锣电荷哲与电类容极裕板充乒电时少所储拴存的垫电荷肺类似门，称底为结订电容1.二极效管加承正向共电压苦（正虎向偏托置，雅阳极园接正崇、阴偶极接唯负河）时及，善二极蔑管处等于正屑向导殿通状鬼态，赔二极慢管正观向电李阻较姑小，押正向阴电流酸较大丑。2.二极己管加召反向悠电压压（反窝向偏恳置，术阳极泥接负贸、阴靠极接摊正僚）时射，正二极闯管处倚于反驴向截庭止状开态，互二极倦管反计向电看阻较责大，沾反向凡电流尼很小疯。3.外加撞电压普大于湖反向辽击穿大电压疼二极孔管被病击穿乎，失荷去单比向导岔电性陕。4.二极软管的奇反向肥电流零受温及度的荐影响夏，温株度愈慕高反准向电滨流愈宗大。二极专管的单婶向导陵电性膏总结定性全分析种：判滥断二舞极管威的工深作状倒态导通茧截止否则，正向管压降硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V分析择方法貌：将二郊极管繁断开霜，分舒析二症极管围两端俗电位的高糖低或项所加爷电压UD的正般负。若V阳>V阴或UD为正(正向有偏置)，二灯极管年导通若V阳<V阴或UD为负(反向系偏置)，二拒极管增截止若二螺极管阻是理方想的鹿，正向畜导通态时正义向管礼压降猎为零芝，快反向距截止傻时二差极管崖相当差于断厦开。7.川3.锅4二极歼管的推应用阴极阳极

符号D电路蚂如图胸，求嘴：UABV阳=－6态VV阴=－12列VV阳>V阴二极歌管导椒通若忽概略管晶压降迫，二退极管高可看祥作短恋路，UAB=－6V否则肝，UAB低于于－6V一个手管压联降，正为－6.翠3Ｖ或掌－6.庆7V例1：取B点作顾参考造点，邪断开滤二极掩管，殊分析前二极括管阳喝极和骑阴极裤的电纲位。在这穗里，絮二极瓜管起紫钳位沃作用弄。D6V12V3kBAUAB+–7.遍3.饺4二极芦管的淹应用+-如图由RC构成果微分卡电路颗，当押输入性电压ui为矩落形波扁时，狼试画关出输个出电宿压uo的波形伯。(设uc0=0锡)uRtouotouitoU7.测3.冷4二极够管的维应用应用晴：整碌流、徐检波垦、限拜幅、棚元件般保护刷、开损关元骆件a、检波+-+-+-CRDRLuiuRuo充电+-反向玩不通=0=0+--+-+<0-+UR=Ui-UCUR=UC放电正向捐导通二极踢管使uo只留使下负疼尖脉名冲，丽起限营幅作估用7.吵3.辫4二极陕管的刷应用b、钳位屠、隔殃离AB+3V0VR-12VYDADB如图蹦锗管每，VA=+娇3V，VB=0兄VR接负磁电源-1翼2V，求VY多个络二极碍管导网通原叼则：①设所挣有管伸不通垮，所木有R短路吹，计染算各拢管上咽正向绘电压怨，谁辞高谁蜜导通席。②导通诱管有漂压降协，剩拣下各扎管重德新计票算电舞压。大于扬死区惩电压首导通际，否仁则截会止。解：①UDA=3学-（-1下2）=1畜5VUDB=0仗-（-1医2）=1枣2VDA优先络导通专，导通什压降全设为0.翻3VVY=3山-0芦.3禽=2第.7疮V+-+-②UDB=0猴-2庙.7但=-轨2.捷7VDB反向呀截止盐。DA起钳阔位作醉用，晚把VY钳住兔在2.踩7VDB起隔归离作狸用，摧隔离加输入B和输固出Y类比嗓例7.哨3.活1ui>勇5V，二极都管导极通，绝可看白作短辜路uo=争E=刮5Vui<抓5V，二极册管截荐止，饰可看诱作开饺路uo=ui二极在管是视理想肌的，篇试画史出输出那电压uo波形岂。5V例7.防3.巧2ui10V参考桥点D5VRuoui++––7.禽3.茅4二极御管的窜应用已知扣：电源盖电动应势E=恼5V二极河管阴个极电委位为5答Vc、限幅二极彼管使uo输出驴不超钉过5V，起幅限幅绝作用7.服4稳压志二极萄管7.肯4.苦1伏安咸特性稳压目管是闭一种根特殊倍的面控接触螺型二堤极管砍。它坊在电权路中硬常用蓬作稳遭定电便压的董作用孔，故子称为稳压隆管。稳压气管的脉图形羡符号男：U(V)0.400.8-8-4I(mA)204010-20-1030-12反向正向稳压态管的迹伏安默特性迫曲线刷与普油通二另极管谁类似古，只柴是反油向曲计线更浅陡一近些。7.口4.笔1伏安稳特性U(V)0.400.8-8-4I(mA)204010-20-1030-12反向正向稳压境管工联作于反向秘击穿糕区，常西见电赚路如堂下。UiRUoRL在电午路中估稳压苏管是反向撕联接的。当Ui大于纹稳压录管的无击穿怪电压落时，跌稳压周管被船击穿壁（可尾逆）景，电登流将蜜增大浮，电堂阻R两端广的电铺压增帐大，搜在一董定的以电流具范围脊内稳乖压管扬两端填的电粉压基诉本不脱变，豪输出乔电压Uo等于Uz。1、稳扬定电御压Uz指稳压收管正戴常工谜作时扎的端葱电压。同一萍型号继稳压亦管UZ也不村一定户相等蔬。2、稳乞定电窜流IZ正常励工作眉的参将考电剑流值。每种选型号左稳压拌管都扰规定设有一达个最大矩稳定辞电流IZM，超站过它交，易慢发生弄热击牺穿（限不可驳逆）稼，稳驳压管糖损毁,IZ<IZM。U(V)0I(mA)反向正向UZIZ7.冤4.睁1主要浓参数3、电廊压温诵度系乎数U说明系稳压巡寿值受封温度鞠影响锄的参糠数。如：者稳压扛管2C架W1断8的电惧压温随度系祥数为0.蹈09犹5%箩/C假如疑在20C时的稳压吓值为11户V，当温须度升亦高到50C时的废稳压桌值将荡为特别却说明爷：稳压朱管的电压惹温度插系数有正久负之暗别。因此孔选用6V左右任的稳呆压管定，具咽有较谜好的旨温度球稳定羡性。7.些4.贿1主要支参数4、动松态电嗓阻rZ稳压称管子绪端电脱压和记通过激其电掉流的稳变化角量之负比。稳压谢管的眨反向就伏安海特性乎曲线昏越陡过，则猴动态怖电阻素越小丛，稳模压效植果越榆好。U(V)0I(mA)反向正向UZIZIZmIZUZ5、最耀大允推许耗屠散功阴耗PZM保证害稳压线管不广发生渠热击芝穿的黄最大召功率叠损耗湾。其值牧为稳供定电妄压和扬允许晨的最拿大电盈流乘膝积7.迷4.练1主要混参数如图凯，通观过稳啦压管截的电捕流IZ等于威多少狸？解：UR=1庆8-询10讯=8翠VIZ=IR=8疼/1纲.6寇=5幻玉mA侵<1斗8m呢A因IZ=1元8m标A伐I1=5则0-恩18事=3搜2m菌AR1=？R1=UZ/I1=1距0/旷32土=0帐.3扇12示5k还Ω+18VIZR=1.6kΩUz=10VIZM=18mA+DZ-IR例7.朵4.亚1由于IZ<IZM，所盲以限尊流电杂阻R阻值怕合适若R阻值却缩小研十倍科，IZ=?IZ=IR=8有/0同.1守6=贼50犯mA跑>1族8m绣A此时萝需对豪稳压龙管并嚷联R1=？7.捧5双极祖型晶体馋管7.辽5.爆1基本迹结构半导隐体三霉极管(晶体邻管)是最伪重要症的一皇种半清导体踢器件府。广扔泛应各用于理各种休电子殃电路烘中。晶体翻管最幻玉常见娱的结归构有平面娃型和合金俭型两种省。平催面型家都是坐硅管进、合所金型焦主要演是锗烛管。它们田都具折有NP忙N或PN知P的三层滑两结的结煎构，羽因而泥又有NP头N和PN暖P两类精晶体部管。其三层分别俱称为发射扣区、茄基区亲和集婚电区，并引狐出发射羡极(E诞)、基极(B忙)和集宗电极(C库)三个豪电极谷。三举层之气间的亚两个PN结分别累称为发射宫结和惠集电告结。N型硅P型N型二氧化硅保护膜CBE平面型结构N型锗铟球铟球P型P型CEB合金型结构NNP集电结发射结集电区发射区基区CBENPP集电区发射区基区集电结发射结CBEBECBEC7.迅5.尿1基本巴结构可以互换吗？杂质台多尺寸慨大不行+++----+1、发射踩区向始基区瓣扩散呼电子内部尾载流蜂子运狡动规此律发射括结处谅于正程向偏蔽置，榆掺杂渡浓度怠较高沙的发歇射区户向基触区进题行多爆子扩捷散。放大详作用珍的内仅部条醉件：基区掘很薄漫且掺驰杂浓赤度很馆低。2、电子摸在基兄区的屠扩散绵和复茅合基区苗厚度盒很小剧，电马子在朋基区苍继续怀向集惭电结激扩散踏。（阻但有场少部靠分与构空穴锤复合经而形敢成IBE戚IB）7.财5.萄2电流典放大叉作用BECNNPEBRBECIEIBEICEICIBICBO要使畅晶体今管起澡放大疼作用橡，发射硬结必已须正旺向偏粪置、克集电扶结亩必须即反向凑偏置——具有锦放大围作用膨的外滨部条榆件。3、集电定区收钩集扩瓣散电储子集电上结为羞反向痕偏置盼使内电咬场增强泳，对淹从基洲区扩杰散进别入集霞电结朵的电张子进紫行加炭速，垮收集负电子朴到集沙电区列，形各成集尺电极戚电流(ICE坛IC)。由电流扫分配醒关系葱示意编图可捐知发犬射区任向基拘区注乏入的茧电子警电流IE将分埋成两绢部分ICE和IBE，它们畜的比判值为它表锻示晶拣体管悲的电荣流放梨大能陶力，珠称为满电流变放大携系数7.需5.季2电流肝放大仔作用少子去运动未形成反向经截止悔电流BECNNPEBRBECIEIBEICEICBOICIB在晶体沸管中呆，不上仅IC比IB大很济多；尽当IB有微句小变祸化时获还会肉引起IC的较他大变邮化。根据霉晶体斤管放促大的炼外部餐条件怕，发射品结必则须正较向偏凉置,电位P高N低，残集电邪结必创须反授向偏纽奉置，笼电位P低N高。则对于NP滤N型晶边体管且对于PN讯P型晶抖体管且7.包5.雁2电流恒放大驼作用BEC+++-BEC---+发射悟结集电盗结NP颂N集电结结发射长结PN渴P某放叹大电阁路中尾，测艘得一纺晶体棵管3个电奶极的诊对地蕉电位听分别夹为VX=-遭6V，VY=-甚3.选4V、VZ=-堂3.笑2V，试压判断浙该晶贝体管仆是NP参N型还饿是PN馒P型，禾锗管虑还是润硅管捡，并银确定逮三个锯电极做。2.判断蚁锗管施还是嗽硅管分：另两勤个电想位分旧别与纪基极虹相减愿，结沸果为0.胆6~洪0.汽7V为硅难管，删结果航为0.景2~仆0.铲3V为锗喜管；沿产生峰压降捉的为温发射仅结。例长习题7.蓄8.嘴3-瞎7解：4.剩下睡管脚择为集疫电极葱。3.确定刻类型麻：发射辜结除博基极哀外的刑另一免端为炎发射让极；贸基极搜电位独高于献发射勺极电邀位，崇则基哀极为P，发兼射极蔬为N，晶触体管萌为NP脊N型，昂否则销为PN在P型。VY-VZ=-填3.毕4-（-3誉.2）=-赢0.级2V，锗稀管；YZ为发林射结捎。VY=-碎3.讽4V拦<VZ=-阴3.筛2V，Y为N，Z为P，晶败体管腐为PN辆P型。确定冠基极匙：三个临电位哭比较其大小听，无理论NP拌N型还湖是PN绪P型，舱中间晋电位谢为基撤极。BEC---N+PYVX=-泪6V妹<VY=-强3.续4V磁<VZ=-询3.楚2V，Y为基映极。ZXP7.第5.兵3特性亭曲线最常用提的是挤共发肠射极睬接法陪的输入森特性抢曲线和输出追特性答曲线原，实验刃测绘面是得馅到特抚性曲渐线的信方法扬之一宜。特梅性曲汪线的测量炸电路见右旁图。AVmAVECRBIBUCEUBEICEB用晶删体管鼻特性售图示摸仪也是可直缘瑞接测誉量及乱显示纪晶体痒管的内各个特性腿曲线违。晶体鞭管的疏特性炕曲线摘是表铃示一拜只晶绒体管将各电岁极电缴压与杰电流翅之间阵关系饥的曲萍线。顿是应下用晶肠体管驶和分案析放苦大电丸路的分重要惑依据挂。1.输入捏特性撑曲线输入狱特性挤曲线当UCE为常乳数时绪的IB与UBE之间汪的关倦系曲孩线。00.4200.8406080UBE(V)IB(A)UCE1V3D棵G6的输森入特短性曲基线对硅牌管来盾说，宅当UCE1绪V时，拆集电地结已帅处于风反向质偏置游，发滥射结烧正向释偏置衡所形田成电我流的茶绝大耽部分揉将形哄成集流电极混电流隙，UCE1拼V后，腐输入驾特性制曲线巴基本调重合藏，只楚画一况条。但IB与UBE的关栗系依搁然与PN结的耻正向类似诵。(当UCE更小牧，IB才会扇明显缺增加)硅管雄的死区喂电压刺为0.衡5V，锗管的死区服电压曲不超榴过0.军1V。放大叨状态遍硅NP炕N管UBE=0锯.6～0.史7V导通蓬压降浆：锗PN芹P管UBE=转-0甲.2～-0浆.3招V(参见茫右图)2.输出债特性颗曲线当IB一定洪时，UCE超过林约1V以后义就将男形成IC，当UCE继续盲增加贼时，IC的增填加将胜不再命明显孤。这畏是晶恩体管蹦的恒盘流特复性当IB增加干时，绿相应爱的IC也增返加，硬曲线期上移葡，而伞且IC比IB增加冲得更张明显伍。这果是晶峰体管烘的电该流放患大作去用。输出泊特性板曲线是在IB为常知数时闯，IC与UCE之间同的关甜系曲料线。抵在不诸同的IB下，府可得灯到不块同的踢曲线糟，即识晶体踪蝶管的介输出姿特性物曲线绢是一筛组曲姻线(见下狗图)。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120(1虫)放大硬区特性辉曲线尸近于巷水平初的区座域。俊在放炒大区也称疑线性缘瑞区。唇此时井发射威结正闲向偏捎置，骄集电怖结反荣向偏巧置。(2贯)截止寨区IB=0曲线虫以下脑的区怖域。IB=0时IC=白ICE片O。对于省硅管黄当UBE<0阻.5奏V时即溉开始巧截止裂。为洞了可扮靠截匹止常音使UBE0。即截总止时律两个PN结都暖反向息偏置辈。通常润将晶雹体管棵的输旋出特忍性曲邮线分迁为三兰个工匠作区肠：2.输出苗特性博曲线IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120放大区截止区2.输出逼特性包曲线当UCE<UBE时，哄集电贫结处塞于正展向偏贤置，予晶体眨管工剂作于秧饱和扩状态黑。在爆饱和朋区，IB的变许化对IC影响蛙较小具，失禽去放库大作橡用。即：土饱和尚时，染晶体瓜管的幅发射丧结处援于正兆偏、但集电艺结也横处于川正偏娃。截止放大饱和发射结反偏正偏正偏集电结反偏反偏正偏各态偏置产情况鱼：(3屑)饱和努区IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120放大尼区截止区饱和区晶体焦管的完特性翁不仅松可用怎特性酒曲线魔表示篇，还动可用冷一些腊数据泽进行螺说明上，即晶体恩管参兄数。它鞠是设配计电汽路和晶选用挠器件酸的依粗据。当晶体猾管接叉成共株发射恶极时窃，静扇态(直流)时的IC与IB的比并值称怒为共笛发射单极静态(直流)放大斩系数：当晶体盾管工仇作在态动态宰时，昨电流吉增量ΔIC与ΔIB的比异值称浴为动态(交流)放大薪系数：1.电流烂放大传系数艺、7.乏5.赖4主要振参数说明留：1、静来态电黑流放翁大系炸数和梁动态侄电流纺放大兔系数垫的意属义不岗同，铸但大桐多数车情况牧下近租似相别等。晶体辨管的细输出毁特性森曲线艺是非反线性秀的，跑只有猾在曲拌线的脸等距纵