天大秋模拟电子技术基础在线作业一

(单项选择题)1:二极管导电特性是（）。A:正向电阻小、反向电阻大B:正向电阻大、反向电阻小C:正反向电阻相同正确答案:(单项选择题)2:在集成运算放大器输入级，采取差动式电路结构主要目标是()A:提升电压放大倍数B:提升输入电阻C:抑制零点漂移正确答案:(单项选择题)3:晶体管结构特点是（）。A:有一个PN结B:有二个PN结C:有三个PN结正确答案:(单项选择题)4:希望提升放大器输入电阻和带负载能力，需要引入负反馈方式是()A:串联电压负反馈B:并联电压负反馈C:串联电流负反馈正确答案:(单项选择题)5:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)6:晶体管电流放大系数是指（）。A:工作在饱和区时电流放大系数B:工作在截止区时电流放大系数C:工作在放大区时电流放大系数正确答案:(单项选择题)7:硅二极管导通后正向压降约为（）。A:1.5VB:0.2VC:0.6V正确答案:(单项选择题)8:在以下三种电力电子器件中，属于电压控制型器件是()A:绝缘栅双极晶体管B:电力晶体管C:晶闸管正确答案:(单项选择题)9:某场效晶体管，在漏、源电压保持不变情况下，栅、源电压改变为2V时，对应漏极电流改变为4mA，该管跨导是（）。A:0.5mA/VB:1mA/VC:2mA/V正确答案:(单项选择题)10:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)11:在运算放大器电路中，引入深度负反馈目之一是使运放()A:工作在线性区，降低稳定性B:工作在线性区，提高稳定性C:工作在非线性区，提高稳定性正确答案:(单项选择题)12:已知某晶体管处于放大状态，测得其3个极电位分别为3V、3.7V和6V，则3V所对应电极为（）。A:集电极B:发射极C:基极正确答案:(单项选择题)13:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)14:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)15:两级共射极阻容耦合放大电路，若将第二级改成射极跟随器，则第一级电压放大倍数将()。A:不变B:提升C:降低正确答案:(单项选择题)16:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)17:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)18:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)19:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)20:晶体管穿透电流ICEO是表明（）。A:该管温度稳定性好坏参数B:该管允许通过最大电流极限参数C:该管放大能力参数正确答案:(单项选择题)21:桥式RC正弦波振荡器振荡频率取决于（）。A:放大器开环电压放大倍数大小B:反馈电路中反馈系数F大小C:选频电路中RC大小正确答案:(单项选择题)22:晶体管处于截止状态时，集电结和发射结偏置情况为（）。A:发射结反偏，集电结正偏B:发射结、集电结均反偏C:发射结、集电结均正偏D:发射结正偏，集电结反偏正确答案:(单项选择题)23:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)24:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)25:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)26:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)27:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)28:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)29:工作在放大状态晶体管，其各极电流关系是（）。A:IC<IBB:IE<ICC:IB<IC正确答案:(单项选择题)30:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)31:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)32:晶闸管控制方式是（）。A:只能控制开通、不能控制关断B:只能控制关断、不能控制开通C:既能控制开通、也能控制关断正确答案:(单项选择题)33:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)34:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)35:理想运算放大器()A:输入、输出电阻均很高B:输入电阻高，输出电阻低C:输入电阻低，输出电阻高正确答案:(单项选择题)36:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)37:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)38:已知两个高输入电阻单管放大器电压放大倍数分别为40和20，若将它们连接起来组成两级阻容耦合放大电路，其总电压放大倍数为（）。A:20B:60C:800正确答案:(单项选择题)39:射极跟随器是()。A:共发射极电路B:共集电极电路C:共基极电路正确答案:(单项选择题)40:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)1:二极管导电特性是（）。A:正向电阻小、反向电阻大B:正向电阻大、反向电阻小C:正反向电阻相同正确答案:(单项选择题)2:在集成运算放大器输入级，采取差动式电路结构主要目标是()A:提升电压放大倍数B:提升输入电阻C:抑制零点漂移正确答案:(单项选择题)3:晶体管结构特点是（）。A:有一个PN结B:有二个PN结C:有三个PN结正确答案:(单项选择题)4:希望提升放大器输入电阻和带负载能力，需要引入负反馈方式是()A:串联电压负反馈B:并联电压负反馈C:串联电流负反馈正确答案:(单项选择题)5:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)6:晶体管电流放大系数是指（）。A:工作在饱和区时电流放大系数B:工作在截止区时电流放大系数C:工作在放大区时电流放大系数正确答案:(单项选择题)7:硅二极管导通后正向压降约为（）。A:1.5VB:0.2VC:0.6V正确答案:(单项选择题)8:在以下三种电力电子器件中，属于电压控制型器件是()A:绝缘栅双极晶体管B:电力晶体管C:晶闸管正确答案:(单项选择题)9:某场效晶体管，在漏、源电压保持不变情况下，栅、源电压改变为2V时，对应漏极电流改变为4mA，该管跨导是（）。A:0.5mA/VB:1mA/VC:2mA/V正确答案:(单项选择题)10:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)11:在运算放大器电路中，引入深度负反馈目之一是使运放()A:工作在线性区，降低稳定性B:工作在线性区，提高稳定性C:工作在非线性区，提高稳定性正确答案:(单项选择题)12:已知某晶体管处于放大状态，测得其3个极电位分别为3V、3.7V和6V，则3V所对应电极为（）。A:集电极B:发射极C:基极正确答案:(单项选择题)13:A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)14:题目见图片A:AB:BC:CD:D正确答案:(单项选择题)15:两级共射极阻容耦合放大电路，若将第二级改成射极跟随器，