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文档简介

5.1金属-氧化物-5.1.1N沟道增强型1.结构（N沟道

L：沟道长 W：沟道宽 tox：绝缘层厚

N＋N W

P 5.1.1N沟道增强型源极 栅极 SiO2绝缘

ddgBs PPB ss ss电压后，没有电生。

PPBgdgd PPBB ss

B sVTs

PPBgdgdNN BB sgsgdPBsgdPB当一定（VGS>VT）时，VDSfiIDfi沟道电位梯度›fi靠近漏极d处的电位升高fifiOvssgdPB当一定（VGS>VT）时，VDSfiIDfi沟道电位梯度›sgsgdPB

ssgdPBsgdPB 预夹断后，VDSfiOvOv AssgdPB 给定一个vGS，就有一条不同的iD–vDSOvsgdPB 3.V-IiD=f(vDS

vDS＝vDS＝vGS－VT(864205当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工3.V-IiD=f(vDS

vDS＝vDS＝vGS－VT(864205iD=Kn[2(vGS-VT)vDS- iD»2Kn(vGS-VT)

2Kn(vGS-VT

3.V-IvDS＝vGS－VT(864205iD»2Kn(vGS-VT)1nrdso=n

-VTK¢

WKn=

= ox

L

：栅极（与衬底间

3.V-ID③饱和 iD

vDS＝vGS－VT(（恒流区又称放大区V-I

64

iDiD=Kn(vGS-VT=KV2v V-T=(vGS-VT0 IDO=KV 是

vDS＝vvDS＝vGS－VT(8A6B4CD2E05iD=f(vGS) iD=IDO

-8AB6C4D2E0 6#BJT是电流控制器件，还是 离子的绝缘

ddgBs 耗尽 N型沟PB

864

2 v

iD»IDSS(1- GS

= (

-

可变 可变86420369VT dgBsdgBsdgBs##在增强型的P沟道MOSFET中，vGS应加什么极性的电压才 VV修正后

=K -V)2(1+

)= ( -1)2(1+

Tl»0.1V--l

（增强型参数（耗尽型参数饱和漏电流 （耗尽型参数输出电阻

=

rds=[lKn

-VT)2]-1

5.1.5MOSFET低频互导

=mm

KnKn

=K -V

-V)

gm

¶[K

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