RK26XX芯片应用介绍课件

RK26XX芯片应用介绍V0.0瑞芯微电子有限公司2006－06－281一：Rock26XXDATASHEET

21:Features128/100pinsLQFPpackageTypicalpowervoltage3.3V(IO),1.8V(Core)Useone24MHzcrystaloscillator32GPIO(8bitsP0,P1,P3,16bitsP2)10-bitlowresolutionADCwith4-channelAnalogInputBuildinStereo24-bitDelta-SigmaDACwithon-chipheadphoneamplifierBuildinStereo16-bitSigma-DeltaADC(Line-in/FMInput/Microphonewithanalogmixer)40levelsdigitalvolumecontrolSupportexternalCODECthroughI2DSPinterfaceSupportI2CinterfaceSupportUSB2.0highspeedandfullspeedIntegrated3ChannelDMA3EmbeddedDSPCore:4KwordsBootSyncROM128KwordsSyncSRAM2KwordsRegisterSpaceforPeripheralsUpgradablefirmwarethroughUSB/Flashinterface4Memoryinterface:Externalupto2(cs)x64M-2GbytesNandtypeFlashaccessedbyDMASupportboth8-bit(X8device)and16-bit(X16device)IObusSupportSDRAMSupportSD/MMCSupportExternalNOR-Flashbootup5VideoDriver:SupportTFTLCD/OLEDInterfacePulseWidthModulatorsforELbacklightsSupportwatchdogtimerDSP-basedSoftware:MPEG1/2/2.5AudioLayer1,2,3decoding,Layer3encodingWMA9decodingG.729basedvoicerecordingandplaybackequalizerMPEG-4@QVGAdecoding6CODECPERFORMANCES Headphonedriveroutput2x9mW@32Ohm(TYP);SNR:90dB(DACTYP)LowPowerConsumption,<110mWattypicalMP3decodersolution(@24MHz)SNR:85dBA-WeightedforADCpathTHD:-85dB(<0.0071%)forADCpathTHD:0.06%@18mW/16OhmforDACpathTHD:-85dB@FS-1dB/>1kOhmforDACpathPSRR:50dB@1kHz72:PinDescription

LQFP128(14x14)PIN

89LQFP100(14x14)PIN

1011Pin&PadDescriptions:12128PIN100PINPad

NamesPADDirectionPin

Description11VDDAPAnalog1.8Vpoweroutput,Connectoneexternal10uFCAP22RREFIReferenceResistorinput33AGNDPAnalogGND44DMAI/OUSBdataminus55DPAI/OUSBdataplus66VCCAPAnalog3.3Vpowerinput77D0I/OPullupFlash/LCD/SDRAMdatabusbit088D1I/OPullupFlash/LCD/SDRAMdatabusbit199D2I/OPullupFlash/LCD/SDRAMdatabusbit21010D3I/OPullupFlash/LCD/SDRAMdatabusbit31111D4I/OPullupFlash/LCD/SDRAMdatabusbit41212D5I/OPullupFlash/LCD/SDRAMdatabusbit51313D6I/OPullupFlash/LCD/SDRAMdatabusbit61414D7I/OPullupFlash/LCD/SDRAMdatabusbit7131515RD/BYI,PullupFlashready/busysignal1616FRENOFlashreadenable1717FWENOFlashwriteenable1818FWPOFlashwriteprotect1919VDDPDigitalCorepower(1.8V)2020VSSDPDigitalCoreGroundVSSPDigitalGround2121VCCPI/OPOWER(3.3V)2222P2.4/A0I/OSDRAM/SRAMAddressBit0GPIO2323P2.5/A1I/OSDRAM/SRAMAddressBit1GPIO;FALE/LCDRS2424P2.6/A2I/OSDRAM/SRAMAddressBit2GPIO;FCLE2525P2.7/A3I/OSDRAM/SRAMAddressBit3GPIO26XA4OSDRAM/SRAMAddressBit427XA5OSDRAM/SRAMAddressBit528XA6OSDRAM/SRAMAddressBit629XA7OSDRAM/SRAMAddressBit730XA8OSDRAM/SRAMAddressBit81431XA9OSDRAM/SRAMAddressBit932XA10OSDRAMAddressBit1033XA11OSDRAMAddressBit11SRAMAddressBit1034XA12OSDRAMAddressBit12SRAMAddressBit1135XBA0OSDRAMBankAddress0SRAMAddressBit1236XBA1OSDRAMBankAddress1SRAMAddressBit1337XCKEOSDRAMclockenabletoSDRAM38XCLKOsystemclocktoSDRAM3926P2.8/WENI/OSDRAMwriteenableGPIO4027P2.9/CASNI/OSDRAMcolumnaddressstrobeGPIO41XP2.10/RASNI/OSDRAMrowaddressstrobeGPIO42XP2.11/CSNI/OSDRAMchipstrobeGPIO4328P2.13/PWM0I/OGPIO/PWMoutput04429P2.0/SDDOI/OSD/MMCDataoutput,Rock2asinputConnecttoSD/MMCSDDO4530P2.1/SDDII/OSD/MMCDatainput,Rock2asoutputConnecttoSD/MMCSDDI4631P2.2/SDCLKI/OSD/MMCClockoutput154732P2.3/SDCSI/OSD/MMCchipselectoutput4833VCCPI/OPOWER(3.3V)4934VSSDPDigitalGround5035VDDPDigitalCorepower(1.8V)5136P0.0I/OPullupGPIO,Externalint05237P0.1I/OPullupGPIO,Externalint15338P0.2I/OPullupGPIO,Externalint25439P0.3I/OPullupGPIO,Externalint35540P0.4I/OPullup&ENGPIO5641P0.5I/OPullup&ENGPIO5742P0.6I/OPullup&ENGPIO5843P0.7I/OPullup&ENGPIO5944P1.1/I2C_SDAI/OPullup&ENGPIO,ExternalSDAofI2C6045P1.2/I2C_SCLI/OPullup&ENGPIO,ExternalSCLofI2C6146P1.3/I2SMCLKI/OPullup&ENGPIO,I2SMCLKofExternalCODEC6247P1.4DAC_LRCKI/OPullup&ENGPIO,DACLRCKofExternalCODEC6348P1.5/ADC_LRCKI/OPullup&ENGPIO,ADCLRCKofExternalCODEC166449P1.6/SDII/OPullup&ENGPIO,SDIDatainputConnecttoSDOofExternalCODEC6550P1.7/SDOI/OPullup&ENGPIO,SDODataoutputConnecttoSDIofExternalCODEC6651AIL1IL-channelsingle-endinput16752AIR1IR-channelsingle-endinput16853AIL2IL-channelsingle-endinput26954AIR2IR-channelsingle-endinput27055MICIMicsingle-endanaloginput7156IREFIBiascurrentreferenceofCODEC7257VCOMIInternalbiasingvoltageforCODEC7358VSSAPNegativepowersupplyforCODEC7459VDDAPPositivepowersupplyforCODEC7560AOLOL-channelsingleendedanalogoutput7661VSSAOPNegativepowersupplytooutputamplifiers7762AOMOCommonmodeanalogoutput7863AOMSICommonmodesenseinput7964VDDAOPPositivepowersupplytooutputamplifiers8065AOROR-channelsingleendedanalogoutput81XHP_SENSEISenseofjackinsertion8266VDDPDigitalCorepower(1.8V)8367VCCPI/OPOWER(3.3V)178468VSSDPDigitalGround85XIBOOTI,PullupBootselect,(Internal100Kpullup)86XDQM0OSDRAMDQM087XDQM1OSDRAMDQM18869VDDOUTPDCDC1.8Voutput8970LXVDDPDCDC1.8VswitchingPowerinput9071VREGINPRegulator3.3Vvoltageinput9172VREGOUTPRegulator1.8Vvoltageoutput9273DC1_FB0INC9374DC1_FB1INC9475DC0_FB0INC9576DC0_FB1INC9677NGNDGPowerGND9778VBATPNC9879LXVCCPNC9980VCCOUTPNC1810081DCSEL0INC82DCSEL1INC10183DCDCENINC10284VCCAPADC3.3VpowerinputVREFIADCreferencevoltageinput10385REXT100KIADCreferenceResistorinput104XLRADC3ILowresolutionADCinput3105XLRADC2ILowresolutionADCinput210686LRADC1ILowresolutionADCinput110787LRADC0ILowresolutionADCinput010888VDDPLLPAnalogpowerofPLL10989VSSPLLPAnalogGNDofPLL11090XINI,OSCCrystal24MHzOSCinputPAD11191XOUTO,OSCCrystal24MHzOSCoutputPAD11292VDDPDigitalCorepower(1.8V)11393VSSDGDigitalGround11494VCCPI/OPOWER(3.3V)11595RESETI,PullupSystemresetpin,lowenable11696TESTI,PulldownTestmode,(Internal100Kpulldown)19117XD8/P3.0I/OFlash/LCD/SDRAMdatabusbit8/GPIO118XD9/P3.1I/OFlash/LCD/SDRAMdatabusbit9/GPIO119XD10/P3.2I/OFlash/LCD/SDRAMdatabusbit10/GPIO120XD11/P3.3I/OFlash/LCD/SDRAMdatabusbit11/GPIO121XD12/P3.4I/OFlash/LCD/SDRAMdatabusbit12/GPIO122XD13/P3.5I/OFlash/LCD/SDRAMdatabusbit13/GPIO123XD14/P3.6I/OFlash/LCD/SDRAMdatabusbit14/GPIO124XD15/P3.7I/OFlash/LCD/SDRAMdatabusbit15/GPIO12597LCDRDNOLCDReadexecutionpin12698LCDWRNOLCDWriteexecutionpin12799LCDCSNOLCDdriverchipselect128100FCE0OFlashchipselect0203：FunctionDescriptionBlockDiagram2122PARAMETERMINMAXUNITSAmbientoperatingtemperature-1080°CStoragetemperature-40120°CVDDPLL-0.32.0VVCC-0.33.6VInputvoltageonUSBDM,DPpins(USBIO)-0.33.6VInputvoltageonanydigitalI/0pinrelativetoground-0.3VCC+0.3VInputvoltageonanyanalogpinrelativetoground-0.3VDDA+0.3V4：ElectricalCharacteristicsAbsoluteMaximumRatings23Recommended

operationconditions

PARAMETERMINTYPMAXUNITSDigitalcoresupplyvoltage--VDD1.61.82.0VDigitalI/Osupplyvoltage–VCC2.62.93.3VAnalogsupplyvoltage–VDDA1.61.82.0VAnalogHP-AMPsupplyvoltage–VDDAO1.61.82.0V10bitADCsupplyvoltage–VCCA2.62.93.3VUSBsupplyvoltage–VCCA2.62.93.3VUSBsupplyvoltage–VDDA(Generateinternal)1.61.82.0V24DCCharacteristics

operatingconditions:VCC=3.0V±0.3V,

VDD=1.8V±0.2V,

Tj=-40to+120

C.ParameterSymbolmintypmaxunitQuiescentSupplyCurrent,VI=VDDorVSSIDDSmAHighLevelOutputVoltage(2mA)VOH0.8xVCCVLowLevelOutputVoltage(2mA)VOL0.2xVCCVHighLevelInputVoltage3VbuffersVIH0.7VCCVCC+0.6VLowLevelInputVoltage3VbuffersVIL-0.30.4VCCVInputleakagecurrentILi±10AoutputleakagecurrentILo±5AGPIOdrive8mAOperatingsupplycurrent,fclk=12MHz,Ta=25OC,VCC=3.0V,VDD=1.8VIVDD3550mA25ACCharacteristics

LineinputtoADC26Measurementconditions:T=25°C,VDDA=VDDAO=VREFP=1.8V,inputsinewavewithafrequencyof1kHz,Fmclk=12MHz,Fs=48kHz,measurementbandwidth20Hz–20kHz,unlessotherwisespecified.

ParameterTestconditionsMin.TypMax.UnitInputlevelFullScale,GainGIL,GIR=0dB(note1)1.341.531.72VppSNRA-weighted,1kHzsinewave@FullScaleandgainGIL,GIR=0dB8085dBTHD1kHzsinewave@FullScale–1dBandgainGIL,GIR=0dB-85-80dBDynamicrangeA-weighted,1kHzsinewave@FullScale–60dBandgain=0dB(note2)8085dBPSRR100mVpp1kHzsinewaveisappliedtoVDDA,inputdatais0andgainGIL,GIR=0dB50dBGainrangeGIL,GIR4-bitprogrammablerange,@1kHz022.5dBGainstepGIL,GIR1.5dBGainaccuracyGIL,GIR@1kHz-1+1dBInputresistance304050kOhm27InputcapacitanceIncludes10pFforESD,bondingandpackagepinscapacitances25pFInputbypasscapacitorCbyline1uFOffset(note3)GainGIL,GIR=0dB,withoutHighPassFilter±200LSBGainGIL,GIR=22.5dB,withoutHPF-2000+2000GainGIL,GIR=0or22.5dB,withHPF-4+4Note1:TheFullScaleinputvoltagescaleswithVDDA,equalsto0.85*VREF(typ)Note2:Thespecifiedvalueisextrapolatedbyadding60dBtothemeasuredSNRNote3:With1LSB=55µVfora16-bitwordandVREF=1.8V28MicrophoneinputtoADC

Measurementconditions:T=25°C,VDDA=VDDAO=VREFP=1.8V,inputsinewavewithafrequencyof1kHz,Fmclk=12MHz,Fs=48kHz,measurementbandwidth20Hz–20kHz,unlessotherwisespecified.

ParameterTestconditionsMin.TypMax.UnitInputlevelFullScale,GainGIL,GIR=0dB,boostgainGIM=20dB(note1)0.1340.1530.172VppSNRA-weighted,1kHzsinewave@FullScaleandgainGIL,GIR=0dB,boostgainGIM=0dB8085dBA-weighted,1kHzsinewave@FullScaleandgainGIL,GIR=0dB,boostgainGIM=20dB7075dBTHD1kHzsinewave@FullScale–1dBand-65-60gainGIL,GIR=0dB,boostgainGIM=20dBdBDynamicrangeA-weighted,1kHzsinewave@FullScale–60dBandgainGIL,GIR=0dB,boostgainGIM=0dB(note2)8085dBA-weighted,1kHzsinewave@FullScale–60dBandgainGIL,GIR=0dB,boostgainGIM=20dB(note2)7075dBPSRR100mVpp1kHzsinewaveisappliedtoVDDA,inputdatais0andgainGIL,GIR=0dB,boostgainGIM=20dB50dB29GainboostBoostgainGMwhenactivated20dBInputresistanceGainGIL,GIR=0or22.5dB,boostgainGIM=20dB142026kOhmInputcapacitanceIncludes10pFforESD,bondingandpackagepinscapacitances25pFInputbypasscapacitorCbymic1uFOffset(note3)GainGIL,GIR=0dB,boostgainGIM=20dB,withoutHighPassFilter±1500LSBGainGIL,GIR=22.5dB,boostgainGIM=20dB,withoutHPF-13e3+13e3GainGIL,GIR=0or22.5dB,boostgainGIM=20dB,withHPF-2+2Note1:TheFullScaleinputvoltagescaleswithVDDA,equalsto0.085*VREF(typ)Note2:Thespecifiedvalueisextrapolatedbyadding60dBtothemeasuredSNRNote3:With1LSB=55µVfora16-bitwordandVREF=1.8V30DACtoheadphoneoutputMeasurementconditions:T=25°C,VDDA=VDDAO=VREFP=1.8V,inputsinewavewithafrequencyof1kHz,Fmclk=12MHz,Fs=48kHz,measurementbandwidth20Hz–20kHz,unlessotherwisespecified.

ParameterTestconditionsMin.TypMax.UnitOutputlevelFullScale,GainGOL,GOR,GODL,GODR=0dB(note1)1.341.531.72VppMaximumpoweroutputRl=16Ohm18mWRl=32Ohm9SNRA-weighted,1kHzsinewave@FullScaleandgainGOL,GOR,GODL,GODR=0dB8590dBTHD1kHzsinewave@FullScale–1dBandgainGOL,GOR,GODL,GODR=0dB,16Ohmload-65-60dB1kHzsinewave@FullScale–1dBandgainGOL,GOR,GODL,GODR=0dB,10kOhmload-85-8031DynamicrangeA-weighted,1kHzsinewave@FullScale–60dBandgainGOL,GOR,GODL,GODR=0dB(note2)8590dBPSRR100mVpp1kHzsinewaveisappliedtoVDDA,inputdatais0andgainGOL,GOR,GODL,GODR=0dB50dBChannelseparation16Ohmloads@1kHz,AOMandAOMShavetobeconnectedtogetherascloseaspossibleoftheheadphoneconnector65dBGainrangeGOL,GOR5-bitprogrammablerange,mixedanalog/digitalcontrol,@1kHz-32+6dBGainstepGOL,GOR:+6dB~+2dB0.5dBGOL,GOR:+2dB~-10dB1GOL,GOR:-10dB~-32dB2GainaccuracyGOL,GOR@1kHz-1+1dBGainrangeGODL,GODR4-bitprogrammablerange,mixedanalog/digitalcontrol,@1kHz-22.5+0dBGainstepGODL,GODR1.5dBGainaccuracyGODL,GODR@1kHz-1+1dBOutputresistanceRl

16OhmOutputcapacitanceCp100pFOutputbypasscapacitorCl(Rl=10kOhm)1uFOffseterrorGainGOL,GOR,GODL,GODR=0dB-50+50mV32Note1:TheFullScaleoutputvoltagescaleswithVDDA,equalsto0.85*VREF(typ)Note2:Thespecifiedvalueisextrapolatedbyadding60dBtothemeasuredSNR33二：RK26XX标准电路图34整机方框图35RK2606主控图3637RK2602主控图3839USB&POWER&KEY40AUDIO41MIC42LINE_IN43FM44TFTLCD2.0寸45TFTLCD1.66&1.8寸46NANDFLASH&SD47SDRAM(TFTLCD>=2.0)48扩展电路NORFLASH49锂电池充电管理50电源管理51双喇叭输出52RK2602标准电路图5354RK2606标准电路图5556三:整机的电性能参数57RK2602各部分电流VDD（CORE）功耗

工作状态电压(V)电流(mA)MP3（NOR/3D)1.829.7/48.9WMA1.842.6AVI1.853.3FM1.823.5PIC1.822.6TXT1.823.4LINEIN1.857.9MICIN1.834.7开机界面1.817.958VCC功耗

工作状态电压（V）电流（mA）所有功能都一致3.312VDD（CODEC）功耗工作状态电压（V）电流（mA）放音1.85.8录音1.87.759相关模块的电流其他模块的功耗电压（V）电流（mA）FM模块3.311.7LCD驱动器3.3约1.9功放IC3.31.5～3SDRAM3.310mA（IDLE:2mA）注：SDRAM仅2.0以上的屏用60RK2602整机功耗

项目播放MP3（全亮）播放MP3（全暗）AVI备注3.6V输入整机电（mA）57.0030.8072.00未接耳机整机功（mW）205.20110.88259.20未接耳机注：MP3音效在NOR状态，如果是在3D音效下电流会加大（30.8+12）mA61RK2606整机功耗输入端电压状态开机静态（背光全亮）开机静态（背光半亮）播放MP3播放MP3关背光播放MP4备注3.6V输入整机电流（mA）50.3019.7081.0031.00106.80未接耳机整机功耗（mW）181.0870.92291.60111.60384.48未接耳机

3.7V输入整机电流（mA）53.5019.7082.9030.40107.90未接耳机整机功耗（mW）197.9572.89306.73112.48399.23未接耳机

3.9V输入整机电流（mA）54.8020.0082.6029.50106.70未接耳机整机功耗（mW）213.7278.00322.14115.05416.13未接耳机

4.2V输入整机电流（mA）58.4019.4085.0028.50108.80未接耳机整机功耗（mW）245.2881.48357.00119.70456.96未接耳机62MP3音频播放性能测量参数:序号测量项目测量条件企标要求单位检验结果1#L通道R通道1基准输出电平odB1kHZ0.5±0.2V0.5730.5352通道不平衡度odB1kHZ≦1.5dB0.043音频失真加噪声odB1kHZ≦-60dB-66.6-67.24串音

1kHZ≧55dBL→R59.1R→L58.9

10kHZ59.359.25音频信噪比(A计权)odB1kHZ≧80dB89.289.76音频幅频响应17HZ±3.0-0.51-1.75-1.5331HZ-0.68-0.621279HZ-0.03-0.031KHZ0.00.000.0010KHZ±3.00.330.3316KHZ-0.4218KHZ-0.4620KHZ-0.507动态范围-60dB1kHZ≧75dB84.085.0注:以上参数在"耳机"端口接32Ω负载测量.63检验项目：静电放电抗扰度试验依据标准：GB/T17626.2-1998；企业技术要求试验条件：温度

20℃，湿度：

55%RH，正常大气压。电磁条件保证受试设备正常工作并不影响试验结果。EUT状态：试验前工作正常试验中MP3播放器连结耳机处于放音工作状态。试验等级：a）间接（接触）放电，企业技术要求：试验电压±5kV。

b)空气放电，等级3：试验电压±8kV。试验过程：a)对EUT可接触的金属外壳、金属按键等金属体进行接触放电，分别选择个以上试验点进行（每点至少50次，正负极性各25次），其中一个试验点承受水平耦合板边缘中心距EUT00.1m处至少50次间接（接触）放电。试验电压±5kV，用尖端接触放电枪头，最大放电重复频率为1次/s。试验电压应从最小值逐渐增加至规定的试验值，以确定故障的临界值。

b)对EUT可接触的按键缝隙、耳机/USB孔、TET屏幕进行空气放电，分别选择3个以上试验点，每点进行至少20次单次放电，正负极性各10次，试验电压±8kV，用圆形空气放电枪头。试验电压应从最小值逐渐增加至规定的试验值，以确定故障的临界值。EUT表现：在整个试验过程中没有出现危险或不安全后果，MP3放音正常。符合性能判据A。64四：硬件后续完善65CODEC已经OK，可以不要外接耳机功放。即将提供标准电路图和PCBLAYOUT注意事项内置1.8VDC/DC和3.3V已经OK。可以节约成本和便于PCBLAYOUT

66完善后的标准电路图（RK2606）6768五：RK26XX印制板设计指南

691:PCB板层布局4层板布局：

Layer1－Top信号＋地层

Layer2－Inner信号＋电源层

Layer3－Inner地层

Layer4－Bottom信号＋地层6层板布局：

Layer1－Top信号＋地层

Layer2－Inner地层

Layer3－Inner信号＋地层

Layer4－Bottom电源层

Layer5－Inner地层

Layer6－Inner信号＋地层70在PCB板的周边创建一个1.27mm宽度（其中外围0.7～0.8mm宽度区域不覆绿油）的地环路，隔1.27～2.52mm的距离放置一个孔径0.254mm的过孔(最好每层都能作同样的处理)；

使用完整的地平面层，不要把地层分割成数字地和模拟地，而将PCB分区为模拟部分和数字部分。模拟元件、模拟信号在电路板所有层的模拟区内，数字元件、数字信号在数字电路区内；遵循20H的原则。电源层覆铜时，不要覆满整个板层，应比地平面层缩进20H的距离（H指电源层和地层之间的距离）；7172二、电源布局设计

把RK26XX芯片下方的电源层分割一个VDD区域，面积大致为芯片大小。也可在芯片焊接层（Top层或Bottom层）的地平面上分割一个独立的VDD区域；

VDD和VCC的去耦电容尽量靠近电源管脚；

电路中的DC/DC芯片（提供1.8V的VDD），在设计电路板时，把它的输入旁路电容靠近芯片的电源输入端，输出滤波电容0.1uF、0.01uF、10uF靠近芯片的电源输出端；其它的外围器件也尽量靠近DC/DC芯片，用粗、短的走线连接；走线尽量少采用过孔，否则用多过孔方式(可参照相应的DC/DC芯片文档)；

73电路中的背光DC/DC芯片，要求和1.8V的DC/DC一致。需要把它的输入旁路电容、输出滤波电容靠近相应的管脚；走线用粗、短的线(可参照相应的背光DC/DC芯片文档)；

电源走线，包括电池的正、负极走线；开关管的电源输入、输出连线；DC/DC和LDO的输入、输出线用粗的线连接，避免用过孔，否则采用多过孔方式；

74三、时钟和晶体

复位电路的元件不要放置在印制板的边缘，远离接插件，比如耳机插座，USB插座，按键，走线不要在接插件的管脚间隙穿过，不要和接插元件管脚相连的走线平行布线，复位线走印制板的内层；

晶体和它的匹配电容、并联电阻尽量靠近芯片管脚；远离接插器件放置，走线不要在接插件的管脚间隙穿过，不要与接插元件的相连的走线平行布线；在印制板内层走线（包括CLK）；靠近时钟线的平面层应该有完整的地平面和时钟线平行；

75四、USB布板设计：为保证USB高速传输的要求，应先于其他走线布线；

DM、DP的特性阻抗保证在45±10%欧，差分阻抗保证在90±10%欧；

DM、DP走线尽量不采用拐角和过孔，如果需要有90度的拐角请用两个45度的拐角或圆弧代替；

DM、DP走线下方要保证有完整的地平面，不要跨越不同的电源/地平面层；尽量缩短芯片DM、DP管脚和USB座的距离；DM、DP不要在印制板的内层走线；

DM、DP保持平行走线，保证“等长、等距”，线径保持一致，不要在走线上引出线头，DM、DP上的下拉电阻靠近芯片；DM和DP走线在合理的范围内尽量靠近；

76其他信号线不要跨越DM、DP线，高频线和数据总线不要靠近DM、DP走线；覆铜时需注意它们和DM、DP的距离保持约4W(W指DM和DP的线径)；

VDDA（第1脚）和VCCA（第六脚）的滤波电容靠近相应的电源脚；

77为消除电源的干扰，FM模组的电源要用RC滤波电路滤波（可考虑采用两级RC电路），收音模组的地用单点接地的方式和大地相连；收音模组应尽量远离RK260X，NandFlash，DC/DC芯片、晶体等元件以及相应的高频线（CLK、XOUT、XIN）和数据总线；

5：FM收音模组收音模组应靠近耳机座，天线走印制板边缘的外层，尽量和其他走线以及电源/地平面保持距离，天线下方（或上方）不要补铜，保证天线的特性阻抗75±10%欧；

78模拟器件在电路设计时最好放在同一区域，以便它们的电源、地和数字元件的地、电源能分区、独立；避免数字信号的干扰；音频线，比如芯片的AOL、AOR，功放的音频线，MIC和LINE_IN线，避免和时钟线、数据线平行；芯片的VDDA、VDDAO和VCOM的滤波电容尽量靠近相应的电源脚，IREF端和外围电阻的连线尽量短；相应的地线可靠接地；

6：音频功放和MIC

NCP2809的电源采用RC滤波，电源脚和BYPASS脚的滤波电容靠近管脚，OUT_R、OUT_L、和OUT_I用粗的走线连接耳机座，REF_I在靠近耳机座的位置和OUT_I短接；音频线不要和数据线，时钟线平行走线；

79外响功放的电源应和DC/DC芯片（特别是背光驱动的DC/DC芯片）以及LDO的电源独立开布线，功放电源最好单独从场效应管的源端（VB）引入，也需采用RC滤波，相关电容靠近对应管脚；咪头和它的滤波电容尽量靠近；

80六：主要外围器件及典型电路811：降压型DC/DC型号及主要特性

型号反馈端电压(V)最大输出电流(mA)调压方式封装工作频率降压DCDCLT34060.6600mA固定/可调SOT-23-51.5MHzAT13660.8800mA可调SOT-23-51.2MHzXC9216

400mA固定SOT-23-5/USP-6B600K/1.2MHzTPS6220X

300mA固定SOT-23-51MHz82

典型应用图

LT3406两种不同型号的应用83

XC9216的应用842：升压型DC/DC相关型号及主要特性

型号过压保护最大输出电流(mA)反馈端电压(V)封装工作频率背光升压DCDCAIC1896无（电压值可达30V）13V/200mA1.23SOT-23-61.4MHzAT1308无（电压值可达28V）400mA1.23SOT-23-51MHzTPS61040无（电压值可达28V）400mA1.233SOT-23-51MHzTPS61041无（电压值可达28V）250mA1.233SOT-23-51MHzLT1615无（电压值可达34V）350mA1.23SOT-23-5

LT1615-1无（电压值可达34V）100mA1.23SOT-23-5

RT9271无(20V)/有（电压15V）900mA(NOR)/625mA(STRAUP)0.25SOT-23-5/SOT-23-61.1MHzLT1937无（电压值可达36V）320mA0.095SOT-23-5/SOT-23-61.2MHz

AN1588无(16V)/有（电压16V）350mA0.104SOT-23-5/SOT-23-61.5MHz

G5121有（电压19.5V）600mA(NOR)/250mA(STRAUP)0.25SOT-23-61MHz85

典型应用图

DC/DC芯片不带过压保护端的应用86

背光DC/DC芯片带过压保护端的应用87不带过压保护的DC/DC芯片在使用时要特别注意,需要在输出端(LED+)加电阻或者在LED+和LED-加稳压管，否则DC/DC容易损坏！不同的背光DC/DC芯片其反馈端的基准电压有可能不一致，所以反馈电阻要注意调整参数！DC/DC外围的功率电感、滤波电容、肖特基二极管对性能的影响比较大，要注意合理选用！883：屏的选择

1.8寸现在主要推荐凌达和统宝的二款，他们二家是PINTOPIN兼容的。型号分别为：凌达KGM280A0统宝TD018THEJ6；

1.8寸屏还可以考虑使用TRULY、宇顺和川马三家公司的；

1.66寸主要推荐三星的LTS166QQ；

2.0寸主要推荐凌达的KGM265A1、久正的TE-176220-06018、宇顺的S95012；

2.2寸主要推荐宇顺S95034；89七:常见故障分析/检修90用电源给机器供电，按开机按钮后有开机电流，但是放开按钮后电流就下降为零（实际是接近于零大约为几十微安）该故障一般是开/关机电路的三极管电流放大倍数太小或者三极管损坏，当按开机键时，PLAY_ON应该为接近电池电压、PWR_ON应该为高电平（3.3V），如果该两点电压异常通常是三极管损坏，在则就是场效应管（IS2305）损坏或是3.3V稳压的LDO以及1.8V的DC/DC损坏。

91用电源给机器供电后，不需按键直接开机该故障一般是开/关机电路的三极管损坏、或者场效应管的型号不对。92固件升级成功后，开机后总处于充电状态。该故障一般是由于于USB_DET脚的检测出现了异常，重点检查USB到电池充电的二极管是否击穿或漏电造成电池供电时USB_DET的检测电压达到门限值（一般为1.5V以上）；主控芯片的USB_DET脚被击穿。93录音有杂音

检查MIC的偏置电路是否异常，经过一级RC滤波后的MIC电压为2V左右；MIC损坏或是与MIC并联的高频旁路电容误配、耦合电容漏电以及一级RC滤波电路参数异常特别是滤波电容容量失效；如果以上检查未发现异常并且排除软件上的相关设置无误后，可以将主控的MIC引脚交流对地短接(用10uF左右的电容)再录音，如果还存在噪音，可能为主控被损坏。

94插入耳机后外放有声音

此故障一般是耳机检测电路错误，检查耳机检测脚的电压是否在插拔耳机的时候有电压变化（插耳机时大约为电池电压的一半，拔耳机时应该为3.3V）；确认外功放的静音控制是否确实有效；AD参考电阻（连接在引脚名REXT100K引脚的100K电阻是否正常），该电阻阻值异常将引起四路的ADC（LRADC0～LRADC3）转换错误。95播放音频/视频/收音机时无声音

主控有音频输出，检查功放是否有供电；主控有音频输出，检查静音控制电路是否异常，以及软件控制方式是否和电路的控制方式一致；在以上判断未发现异常时，检查功放的交流旁路电容是否击穿或容量变值、功放是否有损坏；主控无音频输出，检查CODEC的外围器件、音频输出管脚有无对地短路。

96电池电压检测错误

电池电压检测电路的分压电阻（两个100K）不正常；参考电阻（连接在引脚名REXT100K引脚的100K电阻是否正常），该电阻阻值异常将引起四路的ADC（LRADC0～LRADC3）转换错误。97插入耳机后外放有声音

此故障一般是耳机检测电路错误，检查耳机检测脚的电压是否在插拔耳机的时候有电压变化（插耳机时大约为电池电压的一半，拔耳机时应该为3.3V）；确认外功放的静音控制是否确实有效；AD参考电阻（连接在引脚名REXT100K引脚的100K电阻是否正常），该电阻阻值异常将引起四路的ADC（LRADC0～LRADC3）转换错误。98插入USB后计算机未能识别到该USB设备

首先检查1.8V、3.3V供电是否正常，如果未测到该两组电压，应重点检查USB供电电路；

USB的通信线DP、DM是否与芯片连接、是否虚焊或短路；如果以上都正常，再检查芯片的复位电路是否正常；如果以上项目检查都未发现异常，再考虑芯片的USB接口与计算机的通信是否异常，USB线、计算机的USB接口是否损坏。99升级固件时提示“NANDFlash厂商暂不被支持，固件升级失败。”NANDFlash的8根数据总线（D0～D7）开路或者短路，当数据线D0～D7有被短路时会在每次插入USB接口时计算机只会认到“rockusbDevice”硬件，烧入固件的时候还会出现NANDFlash厂商识别出错；

1.8V、3.3V供电电压偏低，或是电源纹波过大造成；USB线阻抗特性比较差，造成机器与计算机的通信不可靠。100升