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文档简介
BJT的V-I4.1.1BJT(a)小功率 (b)小功率 (c)大功率
，用，用E或表示 IE=IB+IC=InC+
极型三极管或BJT(Bipolar Transistor)。
IE=IB+
IC=InC+设a即a通常IC则有aa为电流放大系数。它a为电流放大系数。它关。一般a=0.9~0.99。b1-I=I
I= +
EI ICEO=(1+b)ICBO Ib
IC
I b>>1。 IEIEecIC+b+I-I+BD-DvI
使DiE1
当a0.98DiCaDiE=-0.98mADvODiCRL0.98
=DvO=0.98V=VDvI V4.IC+IBb+cIC+IBb+c+e---IIE则DiCbDiBa 1-=DvO=-DiC•RL=-0.98
=DvO=-0.98V=-VDvI V （以共射极放大电路为例iB=f(vBE)‰vCE=当vCE≥1VvCBvCEvBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vvCE=vCEvCE=vCE‡iBb+c-eViC=f(vCE)‰饱和区：i饱和区：iC明显受vCE控制的区(硅管)。此时，发射结正偏，截止区：iC接近零的区域，相截止区：iC接近零的区域，相 b=（IC－ICEO）/IB≈IC/IB|vCE=constb=DIC/DIB‰vCE=constα=DIC/DIEVCB=const
ab≈b4.1.4BJTb 4.1.4BJT ICEO=（1+bICEO也称为集
ce
-+4.1.4BJT集电极最大允许电流PCM=4.1.4BJTV(BREBO——集电
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