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《电子工程物理基础》课后练习习题解答学习教程《电子工程物理基础》课后练习习题解答学习教程#/17欢迎阅读则P0=NA-Nd=1.01016cm-3I(b)k0TP0Ef=Ev_k0TIn上=EVNV(c)(d)1二二n0q< poq，p二——n icm600K时，本征激发不行忽视，由下式解出：12.证明p-n结反向饱和电流公式可写为式中，bn/；,"［和1分别为n型和p型半导体电导率，［为本征半导体电导率。4V、提示：电流密度J=Jn+JP［通np0十七Pn0『xp|'_L-_1L分别将爱因斯坦关系式、nn0Pp0Ji2lLn LpJlWJNa）以及电导率公式代入，并整理即可证明。13.已知电荷散布p（x）为：（1）p（x）0；（2）谈）；（3）p（x） 谈（x在0~d之间），分别求电场强度（x）及电位V（x），并作图。提示：利用泊松方程求解。14.试画出并剖析np异质结和nn异质结的能带图。略。 厂「：上二广

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