无机非考试习题资料

宏观对称要素：对称轴(Ln)，对称面(P)，对称中心(C)，旋转i反伸轴(Ln)i连线规则：将一界线(或其延长线)与相应的连线(或其延长线)相交，其交点是该界线上的温度最高点。均匀成核是晶核从均匀的单相熔体中产生的过程。(2.5分)化位置等而形成晶核的过程.成晶格空位，由此而引起x多晶转变的类型及特点： (1)根据多晶转变前后晶体结构的变化程度和转变速度，多晶转变 (2)根据多晶转变的方向，多晶转变可分为可逆转变(双向转变)和变，这种转变不打开任何键，也不缺缺陷的符号：M原子：VM，Mi，Mx位错的分类称这量方向垂直于位错线的方向量平行于其A按杂质原子在固溶体中的位置分类B按杂质原子在晶体中的溶解度分类的因素为什么等轴晶系有原始、面心、体心格子，而没有单面心格子？(4分)晶体的一般特点是:一般是不同同物态下的物形颗粒反应截面积始终不变，因而只适用反应初期转化率较低的情所需要的力需做的功。其作用介于玻璃形成体和网络变性体两者之间。：化学键：共价键方向性限制不利间隙扩散，空位扩散为主。金杂质：杂质与介质形成化合物降低扩散速度；杂质与空位缔合SiAlOAlS、A13＋离子半径依次为0.26Å、0.40Å和1.38Å))。(8分)盐结构中Al3+经常取代[SiO4]中Si4+形成[AlO4]；(4分)CN=6，)5.什么是润湿？改善润湿的方法有那些？(9分)润湿：固体与液体接触后，体系(固体+液体)的吉布斯自由能(1)粉末的粒度。细颗粒增加了烧结推动力，缩短原子扩散距离， (2)外加剂的作用。在固相烧结中，有少量外加剂可与主晶相形成固溶体，促进缺陷增加，在液相烧结中，外加剂改变液相的性质(如粘度，组成等)，促进烧结。 (3)烧结温度：晶体中晶格能越大，离子结合也越牢固，离子扩散(6)成形压力影响：一般说成型压力越大颗粒间接触越紧密，对烧结越有利。(7)物料活性的影响离子晶体结构的特点：阴离子作密堆积，阳离子填充空隙。成网离子相键连，而不被两个成桥氧=8√2R3232234BO中加入23223444不共棱，更不共面，解释之。(9分)44阳离子，以共棱、共面方式存在时，两个中心阳离子(Si4+)间距离1、a=b≠cα=β=900，γ=1200的晶体属(六方)晶系。2、晶体的对称要素中宏观晶体中可能出现的对称要素种类有(对称中心)、(对称面)、(对称轴)、(倒转轴)。3、六方紧密堆积的原子密排面是晶体中的((0001))面，立方紧密堆积的原子密排面是晶体中的((111))面。4、TiO在还原气氛中可形成(阴离子缺位型)型非计量化合物，可形成(n)型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成(反比)，如果减少周围氧气的分压，TiO2-x的密度将(减小)。5形成连续固溶体的条件是(│(rl-r2)/rl│<15％)、(相同的晶体结构类型)和(离子价相同或离子价总和相等)。6.晶体的热缺陷有(弗伦克尔缺陷)和(肖特基缺陷)两类，热缺陷浓度与温度的关系式为(n/N=exp(-∆Gf/2kT))。7.黏土带电荷的主要原因是(黏土晶格内离子的同晶置换)、(黏土边面断裂)和(黏土内腐殖质离解)，黏土所带静电荷为(负)。1.烧结的主要传质方式有蒸发-凝聚传质、扩散传质、流动传质和溶解-沉淀传质四种，产生这四种传质的原因依次为(压力差)、(空位浓度差)、(应力-应变)和(溶解度)。kk2.均匀成核的成核速率Iv由(受核化位垒影响的成核率因子)和(受原子扩散影响的成核率因子)因子所决定的。3.菲克第一定律的应用条件是(稳定扩散)，菲克第二定律的应用条件是(不稳定扩散)。4.液-固相变过程的推动力为(过冷度)、(过饱和浓度)和(过饱和蒸汽压)。6.如晶体纯度降低，扩散系数与温度关系曲线中本征与非本征扩散的转折点(向左)。lO(-ΔG/RT))。发生，在(相变过程放热)情况下需要过冷。不同晶型石英溶解度不同的液相)，能否加入氧化铝(不能)。11.在液相线以下的分相区的亚稳区内，其分解机理为(成核-生节分解区)，新相成(高度连续性的非球形颗粒)状。1、黏土带电荷的主要原因是(黏土晶格内离子的同晶置换)、(黏土边面断裂)和(黏土内腐殖质离解)，黏土所带静电荷为(负)。 (螺旋轴)。3、由于(不等价置换)的结果，必然会在晶体结构中产生“组分缺4、UO在氧化气氛中可形成(阴离子间隙型)型非计量化合物，形成(P)型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成(正比)，如果减少周围氧气的分压，UO的密度将(增大)5、b与位错线(垂直)的位错称为刃位错，可用符号(┴)表示；bb与位错线(平行)的位错称为螺位错，可用符号()表示。6、a=b≠cα=β=900，γ=1200的晶体属(六方)晶系。7、立方紧密堆积的原子密排面是晶体中的((111))面，六方紧密堆积的原子密排面是晶体中的((0001))面。8、为使瘠性料泥浆悬浮，一般常用的两种方法是(控制料浆的pH值)和(有机表面活性物质的吸附)三、计算题(10分)1600℃时CaF2晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？(玻尔解：因为n/N=exp(-∆Gf/2kT)∆Gf=5.5×1.602×10-19=8.817×10-19JT=1600+273=1873K所以n/N=exp(-8.817×10-19/2×1.38×10-23×1873)=exp(-17.056)×10-8(5分)时杂质缺陷占优势ii五、计算题(10分)126112123232(1)画出有(2)用单、H、K三个化合(4)分析M#熔体的冷却 (5)并说明硅酸盐水泥熟料落在小圆圈内的理由；((6)为何在缓慢冷却到无变量点K(1455℃)时再要急剧冷却到室温？(20分)L→C2SL→C2S+C3SL+C2S→C3Sf=2f=1f=1f=0A含量降低，因为K点的转熔反应LK+C3S→C2S+C3A；(2)使C2S生溶体晶胞参数a0=0.542nm,测得固溶体密度ρ=6.54g/cm3,试计算说明Dt=W/VWEWi=(位置数*占据分数*原子量)/6.02*1023V=a3CaOCeO2Ca”+V..O+(1)CaOCeOCa,,+Ca..+2O2CeiO(1)式固溶式为：Ce0.85Ca0.15O1.85(2)式固溶式为：CeCaO0.9250.152DgcmD理，固溶体化学式：1CeCaO为氧空位型固溶体0.850.151.85出下列反应的合理缺陷反应式(7分)CaClCl2NaNaCl完成下列缺陷反应式(10分)FeO23OCaF2YF32FeOFeO232Fe,+V..+2OFeOOY3TiOO22TiO2TiO2Ti,+V..+3O+1/2OTiOO2223YO2ZrOYO2223YO六、相图分析(18分)2.标出边界曲线的温降方向(转熔界限用双箭头)；见图3.指出无变量点的性质(L、K、M)；L%=fM2/FLN%=(L2/Lf)(Bf/NB)B%=(L2/Lf)(Nf/NB)N%=hcC%=gnB%=gh2.标出边界曲线的温降方向(转熔界限用双箭头)；见图3.指出无变量点的性质(E、F、G)；(3分)G：单转熔点2.分析点M，M