电子元器件知识演示文稿

电子元器件知识演示文稿当前第1页\共有71页\编于星期六\9点优选电子元器件知识当前第2页\共有71页\编于星期六\9点

我们公司主要生产的产品是电源（power）就是转换式开辟电源供应器，简称开关电源。它的英文全称是SwitchingPowerSupply；简写为：S.P.S。开关电源(SPS)是由许多个各种电子元器件构成，要了解它的工作原理就要学会看电路图，而学会看电路图就要熟悉各电子元器件的主要性能参数，结构，工作原理，电路符号。下面就简单的介绍一下开关电源用到的各种电子元器件。

当前第3页\共有71页\编于星期六\9点－、电阻器首先介绍电路中用的最多最常见的组件：电阻器。１．定义：在电路中，能对电流的流动起阻碍作用，产生电能转化为热能这种能量转化的电子组件，称为电阻器，简称电阻。在电路中用“R”表示。２．电路符号国际电阻器电路符号(b)国内电阻器电路符号

当前第4页\共有71页\编于星期六\9点３．电阻的单位：电阻的其本单位：欧姆（Ω）。常用的单位还有千欧（ＫΩ）、兆欧（ＭΩ）、吉欧（ＧΩ）。它们之间的换算关系是１ＧΩ＝ＭΩ＝ＫΩ＝Ω４．电阻(R)在电路中起阻碍电流即限流与分压作用的，它与电压(U)、电流(I)之间的关系为：I=U/R

此表达式为欧姆定律，它是电路中的基本定律之一,表示电流,电压和电阻三者之间的关系.该定律既适用于直流电路,也适用于交流电路，注意：式中电压和电流之方向必须一致。5.电阻的串联与并联

在实际电路中,电阻组件往往不止一个,它们根据不同的310610910当前第5页\共有71页\编于星期六\9点要求,按一定的方式联接起来,其常用的联接方式有串联,并联和混联.

a.电阻一个接一个地串接起来,称为串联。(如下图）

R1R2R3

+U1-+U2-+U3-

图中串联电路的总电阻

R=R1+R2+R3

各电阻两端的电压与电阻值的关系（分压公式）U1:U2:U3=R1:R2:R3可见在串联电路中电阻两端的电压值与电组值成正比

b.几个电阻并排联接在一起,称为并联

（如下图）当前第6页\共有71页\编于星期六\9点

+II1I2I3

UR1R2R3

-

图中并联电路的总电流

I=I1+I2+I3并联电路的总电阻R的倒数等于各个电阻倒数的和即：1/R=1/R1+1/R2+1/R3图中,每个电阻中的电流分别为:

I1=U/R1I2=U/R2I3=U/R3

又I=U/R或U=IR将U代入支路电流表示式中,得:

I1=IR/R1I2=IR/R2I3=IR/R3

上式就是并联电阻的分流公式。由此可见各电阻中的电流与电阻成反比。当前第7页\共有71页\编于星期六\9点

c.电阻的混联

一个实际电路中,电阻既有串联又有并联的联接方式称为电阻的混联。(如下图)

+IR1I1I2UR2R3

-图中R2与R3并联后再与R1串联.在实际运用中,我们只要掌握串联,并联的特点.利用串并联等效电阻的公式,J就可求出混联电路的等效电阻。

6.电阻器的种类有:碳膜电阻,金属氧化膜电阻,绕线电阻,贴片电阻,可调电阻,水泥电阻.当前第8页\共有71页\编于星期六\9点a:碳膜电阻47Ω1/8W5%立式3MΩ1/8W5%编带240Ω1/8W5%编带510Ω1/4W5%编带10Ω1/4W5%编带330Ω1/4W5%立式当前第9页\共有71页\编于星期六\9点220KΩ1/2W5%立式270Ω1/2W5%立式100Ω1/2W5%立式47KΩ1W5%立式1.8Ω2W5%立式100Ω2W5%立式(加热缩套管)当前第10页\共有71页\编于星期六\9点10Ω2W5%立式1.3Ω2W5%立式1.5Ω2W5%立式15Ω2W5%立式

小型化30Ω3W5%立式47Ω2W5%立式

小型化当前第11页\共有71页\编于星期六\9点b.金属氧化膜电阻（即精密电阻）11.3KΩ1/4W1%立式1.5KΩ1/8W1%5.1KΩ1/8W1%68.1KΩ1/8W1%22.1KΩ1/8W1%510Ω1/8W1%当前第12页\共有71页\编于星期六\9点c:绕线电阻d.可调电阻7.电阻的标注方法:直标法：数字型SMD贴片或大功率电阻使用这种方法色标法

色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值,误差。色环有四道环和五道环两种。读色环时从电阻器离色环最近的一端读起,在色标法中,色标颜色表示数字如下:当前第13页\共有71页\编于星期六\9点颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银数字0123456789-1-2

在四色环中,第一,二道色环表示标称阻值的有效值,第三道色环表示倍数,第四道色环表示允许偏差；在五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差，精密电阻常用此法。第一环第二环第三环第四环第一环第二环第三环第四环第五环例：色环为：黄紫红金阻值=47×=4700Ω=4.7KΩ误差为±5%色环为：棕黑绿金阻值＝１０×＝１MΩ误差为±5%210510当前第14页\共有71页\编于星期六\9点

色环为：棕绿黑棕棕阻值＝150×＝1.5KΩ误差为±1%

色环为：蓝灰棕红棕阻值＝681×=68.1KΩ误差为±1%ＳＭＤ贴片电阻阻值的识别（直标法）一般从电阻本体丝印上可以辨别Ａ.对于几点几欧，一般在两个数字之间用点分开或以“Ｒ”字符Ｂ.一般以三位数定表示，为普通电阻Ｃ.一般以四位数定表示，为精密电阻例:本体标识为”４R7”阻值为47×=4.7Ω本体标识为”103”阻值为10×=10KΩ本体标识为”2001”阻值为200×=2KΩ8.误差的表示法（如下表）颜色绿棕红金银无色误差±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%310210110110-110当前第15页\共有71页\编于星期六\9点9.我公司用到的非欧姆型电阻器

(1)．热敏电阻器：由半导体材料制成，无极性，一般有正温度系数型(PTC)、负温度系数型(NTC)两种，可用于温度测量、温度警报、温度补偿，也可用阻容振荡器的回摇电路中，当振荡幅度过大时，透过增加负回接量可稳定振荡幅度。也可分直接式、旁热式两种直接式是由周围环境温度控制电阻，旁路式是由自己产生热量控制电阻．我司使用的為负温度系数型热敏电阻，抑制开机瞬间的尖锋脉冲电流

当前第16页\共有71页\编于星期六\9点安规机种用到带套管的热敏电阻温控(TC)电路用到的热敏电阻当前第17页\共有71页\编于星期六\9点(2)．压敏电阻器(突波吸收器)：一般以氧化锌为主要原材料制造，无极性的陶瓷组件，它具有电压、电流对称特性电压性电阻器。当在压敏电阻两端施加电压时,电压达到某一个阀值时，压敏电阻器的电阻值迅速变小从而在电子(电力)线路中起降压作用。以达到保护其它组件作用，同时也可保护电子组件免受开关或雷声诱发产生的突破影响。当前第18页\共有71页\编于星期六\9点二、电容器

１、定义：由两金属极板加以绝缘物质隔离所构成的可储存电能的组件称为电容器２、电路符号及代号：

(a)表示为无极性电容器的电路符号,(b)表示有极性的电容器的电路符号电容器的电路代号为“C”３、单位：电容器是储存电荷的容器.它的其基本单位是：法拉(F)，经常用到的单位是：微法(uF)纳法(nF)皮法(pF)．它们之间的换算关系是：1F=uF=nF=pF４、特性：通交流、阻直流因电容由两金属片构成，中间有绝缘物，直流电无法流过电容，但通上交流电时，由于电容能充放电所致，所以能通上交流５、作用：滤波、耦合交变信号、旁路等＋－6109101210当前第19页\共有71页\编于星期六\9点6.电容的分类：电容器可分为:陶瓷电容,电解电容,安规电容,贴片电容,塑料电容

我司主要使用之电容：1).电解电容低压滤波电容当前第20页\共有71页\编于星期六\9点低压滤波电容当前第21页\共有71页\编于星期六\9点滤波电容当前第22页\共有71页\编于星期六\9点导针型高压电容当前第23页\共有71页\编于星期六\9点牛角型高压电容当前第24页\共有71页\编于星期六\9点2).陶瓷电容包括一般陶瓷电容、Y电容、积层电容、SMD电容a.一般陶瓷电容当前第25页\共有71页\编于星期六\9点当前第26页\共有71页\编于星期六\9点b.Y电容普通及CE机种所用的Y电容当前第27页\共有71页\编于星期六\9点安规机种所用的Y电容当前第28页\共有71页\编于星期六\9点安规机种所用带套管的Y电容c:积层电容当前第29页\共有71页\编于星期六\9点3).塑料薄膜电容(包括金属薄膜电容、X电容、麦拉电容)

a:金属薄膜电容105K400V当前第30页\共有71页\编于星期六\9点b:X电容当前第31页\共有71页\编于星期六\9点c:麦拉电容当前第32页\共有71页\编于星期六\9点7.标注方法

(1)直标法:直接表示容量、单位、工作电压等。电解电容、X电容等常用这种标注方法。如：1uF/50V,330uF/200V，470uF/200V,330uF/450V(2)代码标注法:用数字、字母、符号表示容量、单位、工作电压等。陶瓷电容、Y电容、麦拉电容、积层电容、金属薄膜电容等常用这种标注方法如：104Z“104”表示容量为“100000pF”“Z”表示容量误差“+80%-20%”“

”表示工作电压“50V”103M/1KV“103”表示容量为“10000pF”“M”表示容量误差“±20%”“1KV”表示工作电压“1KV”电容的误差表示方法（如下表）字母FGJKMZ误差(%)±1%±2%±5%±10%±20%+80%-20%当前第33页\共有71页\编于星期六\9点

8.电容的串联、并联计算

a:串联电路中，总容量=1÷各电容容量倒数之和

1/C总=1/C1+1/C2+1/C3

例：电容C1、C2的电容量都为10uF,串联后的等效电容量C总=5uF

b:并联电路中，总容量=各电容容量之和

C总=C1+C2+C3

例：电容C1、C2的电容量都为1uF,并联后的等效电容量

C总=C1+C2=1uF+1uF=2uF当前第34页\共有71页\编于星期六\9点三、电感1.定义：由导体线圈绕制而成，能够存储能量的电子组件叫电感。电路代号:”L”2.基本单位：亨利（H）

单位换算关系是:

1H(亨)=1000mH(毫亨)=1000000uH(微亨)3.电路符号

(普通电感无极性)４．电感的特性：通直流、阻交流当线圈通入变动电流时,线圈就会产生变动的磁场,而变动的磁场又会使线圈产生感应电动势,这种现象叫自感,自感所产生的感应电动势是与输入线圈反向的,它总是阻碍通入线圈电流的变化,所以特性阻交流5.电感的作用：滤波、振荡、扼流等．当前第35页\共有71页\编于星期六\9点1.5UH1.0φ*11.5TS70uHDR6*8mm0.3φ*50TS1.5uHDR6*8mm0.5φ*7.5TS

我公司常见的几种电感当前第36页\共有71页\编于星期六\9点0.8UH1.6φ*5.5TS加套管

0.8uHR6*15mm1.3φ*5.5TS0.8uHR6*15mm1.3Ф*5.5TS400UH0.45φ*102.5TS当前第37页\共有71页\编于星期六\9点我公司常见的几种扼流圈4PT80-2628uH1.0Ф*2C25.5TS长脚4PHKS106100:112PT80-2628uH2PT80-2628uH抬高当前第38页\共有71页\编于星期六\9点我公司常见的磁控开关磁控开关是利用超微晶合金制作成的。超微晶合金是用非晶合金再经过处理后,获得直径在10～20纳米的微晶合金,也称为纳米晶软磁合金。非晶、超微晶在磁性,耐浓性、耐溶性、硬度、韧性和高电阻率均比晶态合金软磁材料好,它们不存在磁晶各向异性晶且等。不存在有序的原子排列，损耗功率小，是高频条件下的理想材料。MP13021.0Ф*10.5TS当前第39页\共有71页\编于星期六\9点四、变压器

1.定义:是应用电磁感应原理工作，能进行电压转换的一种电子组件，字母代号T2.电路符号:

图中是带磁芯)的变压器的符号,它有两组线圈L1,L2,其中L1为初级,L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端,它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的.3.变压器的工作原理当给初级线圈L1通入交流电时,交流电流流过初级线圈,初级线圈要产生交变磁场,初级线圈的交变磁场作用于次级线圈L2.次级线圈由磁励电,在次级两端便有感应电压,这样初级上的电压便传输到次级了.初级,次级线圈的匝数与电压成正比:N1/N2=U1/U2

L1L2

当前第40页\共有71页\编于星期六\9点4.变压器的作用：变換電压、耦合信号、阻抗匹配、能量转换等。5.变压器的种类

按工作频率分:高频,中频和低频变压器我公司常见的变压器：

下面是2003版所用变压器当前第41页\共有71页\编于星期六\9点下面是2006版所用变压器下面是220FX所用变压器EEL-19A-220FXEEL-16220FXERL-28-220FX当前第42页\共有71页\编于星期六\9点下面是EMI电路所用滤波变压器当前第43页\共有71页\编于星期六\9点五、半导体知识

半导体(Semiconductor)是一种体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和转换率高等优点:所以在现代电子技术领域中得到广泛的使用,当然,大家都知道用来制造半导体器件的材料主要有硅(Si)、锗(Ge)和砷化(GaAs)等,其中以硅用的最广泛;1.定义:(1)、导体:它是原子结构最外层轨道上电子数很少,极易脱离轨道而成自由电子,这种物质导电性强,称之为导体，如铜、银、铝等:(2)、绝缘体:原子最外层轨道电子呈满足稳定状态,电子移去不易,也就是不易导电,这种物质称为绝缘体,如磁,玻璃,橡胶;(3)、半导体:导电能力介于导体与绝缘体之间的物质，如硅,锗2.特性：1).热敏特性；2).光敏特性；3).掺杂特性3.PN结纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。半导体中存在着两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。本征半导体中,自由电子与空穴是同时成对产生的,对外不显电性。给本征半导体掺入不同的杂质就会形成N型半导体与P型半导体。当前第44页\共有71页\编于星期六\9点

在Ｎ型半导体中,自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子；在P型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子；多数载流子主要由掺杂形成，少数载流子由热激发形成。4.PN结的形成在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:

因浓度差多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。5.PN结的单向导电性如果外加电压使PN结中：P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。当前第45页\共有71页\编于星期六\9点

(1)PN结加正向电压时的导电情况

外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。

PN结加正向电压时的导电情况如下图所示。

PN结加正向电压时的导电情况当前第46页\共有71页\编于星期六\9点

(2)PN结加反向电压时的导电情况

PN结加反向电压时的导电情况如下图所示。

外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。

PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。PN结加反向电压时的导电情况当前第47页\共有71页\编于星期六\9点六、二极体1.电路符号：普通二极体稳压二极体发光二极体2.二极管的伏安特性二极管是由一个PN结构成的，它的主要特性就是单向导电性，通常主要用它的伏安特性来表示。

二极管的伏安特性是指流过二极管的电流iD与加于二极管两端的电压uD之间的关系或曲线。用逐点测量的方法测绘出来或用晶体管图示仪显示出来的U～I曲线，称二极管的伏安特性曲线

当前第48页\共有71页\编于星期六\9点

正向特性

由图可以看出，当所加的正向电压为零时，电流为零；当正向电压较小时，由于外电场远不足以克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，故正向电流很小（几乎为零），二极管呈现出较大的电阻。这段曲线称为死区。

当正向电压升高到一定值Uγ（Uth）以后内电场被显着减弱，正向电流才有明显增加。Uγ被称为门限电压或阀电压。Uγ视二极管材料和温度的不同而不同，常温下，硅管一般为0.5V左右，锗管为0.1V左右。

当正向电压大于Uγ以后，正向电流随正向电压几乎线性增长。把正向电流随正向电压线性增长时所对应的正向电压，称为二极管的导通电压，用UF来表示。通常，硅管的导通电压约为0.6～0.8V（一般取为0.7V），锗管的导通电压约为0.1～0.3V（一般取为0.2V）。当前第49页\共有71页\编于星期六\9点

反向特性

当二极管两端外加反向电压时，PN结内电场进一步增强，使扩散更难进行。这时只有少数载流子在反向电压作用下的漂移运动形成微弱的反向电流IR。反向电流很小，且几乎不随反向电压的增大而增大（在一定的范围内），如上图中所示。但反向电流是温度的函数，将随温度的变化而变化。常温下，小功率硅管的反向电流在nA数量级，锗管的反向电流在μA数量级。反向击穿特性

当反向电压增大到一定数值UBR时，反向电流剧增，这种现象称为二极管的击穿，UBR（或用VB表示）称为击穿电压，UBR视不同二极管而定，普通二极管一般在几十伏以上且硅管较锗管为高。

击穿特性的特点是，虽然反向电流剧增，但二极管的端电压却变化很小，稳压二极管就是利用这钟特点工作的。

当前第50页\共有71页\编于星期六\9点3.种类：普通二极体、萧特基、桥整、稳压管等.4.作用：整流、检波、稳压、指示等.5.按工作速度分类:

(1)普通二极体：1N4148、1N4007、2A05、4A05

(2)快速二极体：以FR、PR开头，FR1504、FR1004、

(3)超快速二极体：以UF、HER(SF)开头，UF1002、

SF1004G、HER108

(4)萧特基(速度最快)：SBL1045、SBL3045、SB340CT4A05DO-2014A/600V

普通二极体1N4148DO-350.15A/75V

当前第51页\共有71页\编于星期六\9点快速二极体PR1007DO-411A/1KVFR1504DO-411.5A/400V超快速二极体UF1007DO-411A/1KVUF1003DO-411A/200V当前第52页\共有71页\编于星期六\9点萧特基SB240DO-412A/40KVSB340DO-2013A/40VSBL20C20TO-22020A/200VSBL3045TO-3P30A/45V当前第53页\共有71页\编于星期六\9点6.普通二极体主要参数反向峰值电压VR与正向电流IF的识别數字1234567反向峰值電壓VR(V)501002004006008001000正向電流IF(A)123457.桥整内部电路图及工作原理

当接点A为一个高电位时，D2导通，经负载RC流经D4，整流信号D4输出；当接点B为一个高电位时，D3导通，D2、D4处于截止状态，信号从D3、RC负载流向D1，D1将信号输出。ABD1D4D3D2RC当前第54页\共有71页\编于星期六\9点下面是我公司常用的桥整PEC4064A/600V

2KBP06M2A/600VRS6056A/600VRS8058A/600V当前第55页\共有71页\编于星期六\9点

8、稳压二极体：

(1)、作用：在稳压电路中起稳压作用

(2)、工作原理:

当稳压管反向击穿后,流过二极管的工作电流发生很大变化时,稳压二极管的电压降压V基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变的特性.稳定电压是稳压管工作在反向击穿区时的稳定工作电压。

(3)、功率：a.1W系列：1N4728A～1N4761A系列，

例：1N4728：3.3V1W、1N4736：6.8V1W

1N4735：6.2V1W、1N4744：

15V1W

b.1/2W系列我司所用规格为HZ、TZX开头

例：HZ4A2：3.6V1/2WHZX6V2：6.2V1/2W

HZ6C2：6.2V1/2WTZX18：18V1/2W

HZ24：24V1/2WTZX36：36V1/2W当前第56页\共有71页\编于星期六\9点（4）稳压管伏安特性和符号当前第57页\共有71页\编于星期六\9点GDZ18C18V5%1/2WDO-351N4735A6.2V5%1WDO-41GDZ6B26.2V5%1/2WDO-35下面是几种常见的稳压管当前第58页\共有71页\编于星期六\9点10、发光二极体(LED)它是一种通以正向电流就会发光的二极体，它用某些自由电子和空穴复合时会产生光福射普通亮度之发光二极管：正常发光电压2.2V，例：3φ红色绿色高量度之发光二极管：正常发光电压1.7V，例：5φ红色当前第59页\共有71页\编于星期六\9点七、三极管1、定义：在一块极薄的硅或锗基片上制作两个PN结就构成三层半导体，从三层半导体上各自接出一根引线，就是三极管的三个极，再封装在管壳里就制成三极管。它是一种电流控制型电子器件。2、三极管的三个极：三极管的三个极分别叫发射极(e)、基极(b)、集电极(c)，对应的每层半导体分别称集电区、发射区和基区3、电路符号(按基区材料，可分为NPN型和PNP型).

我司多使用NPN型，如：STC945、E13007、TT2194、KSE13009、2SC3320等，PNP型如:8550、928、2907等bcebecNPN型PNP型当前第60页\共有71页\编于星期六\9点集电区N基区P发射区N集电区P基区N发射区P4、内部结构：

NPN型PNP型图中的箭头表示电流的方向

三极管是由三块半导体组成,构成两个PN结,即集电结和发射结,基结3个电极,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ic,基极电流Ib,发射极电流Ie,Ie=Ib+IcIc=βIb,β为三极管电流放大倍数.IｃIｂIｅIｃIｂIｅ当前第61页\共有71页\编于星期六\9点５、作用：放大我司用于放大的有STC945、PN2222、HPN2907等开关我司用于开辟的有E13007、D42406、KSE13009等6、分类(1)、按材料分有硅管与锗管等(2)、按工作频率分有高频与低频管(3)、按耗散功率分有小功率管、中功率管及大功率管(4)、按本体尺寸大小分有TO-92(C945)TO-126(772、882)TO-220(E13007)TO-3P(13009、3320)当前第62页\共有71页\编于星期六\9点7、工作原理E1E1E2E2UeUeUcUcUbUbIcIb2UceIb1Ib4Ib3Ib5a.NPN型b.PNP型c.三极管的輸出特性曲線

(1)放大区发射结正偏,集电结反偏,E1>E2,即NPN型三极管Vc>Vb>Ve,PNP型三极管Vc<Vb<Ve.三极管处于放大状态.由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的电流能量是由电源提供的,此时Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)(2)截止区Ib≦0的区域称截止区,UBE<0.5V时,三极开始截止,为了截止可靠,常使UBE≦0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.

当前第63页\共有71页\编于星期六\9点

(3)饱和区当VCE<VBE,即集电结正向偏置,发射结正向偏置时,三极管处于饱和区.饱和压降UCE(sat),小功率硅管UCE(sat)≒0.3V,锗管UCE(sat)≒0.1V8、识别晶体三极管NPN型与PNP型(1)本体直标法：AB代表PNP型如：A733B772CD代表NPN型如：C945D882(2)用万用表测量法用万用表两极表笔分别对调测量晶体三只脚，当其中一脚与其它两脚成单向导通，则该脚为基极。检测出基极，注意万用表表笔若为红色(电表正端)，则此三极管为NPN型，反之则为PNP型。当前第64页\共有71页\编于星期六\9点下面是常见的三极管

HSD882TO-923A/30V8550SDTO-92-0.7A/25V