互感器介损原理及测试方法总结

/互感器介损测试方法总结一、规程规定９.0.2测量绕组的绝缘电阻，应符合下列规定：３测量电容式电流互感器的末屏及电压互感器接地端（N）对外壳（地）的绝缘电阻,绝缘电阻值不宜小于1０00MΩ。若末屏对地绝缘电阻小于100０ＭΩ时，应测量其ｔaｎδ;9。0。3电压等级35kＶ及以上互感器的介质损耗角正切值taｎδ测量应符合如下规定：1互感器的绕组tanδ测量电压应在1０ｋV测量，tanδ不应大于表９.０．3中数据。当对绝缘有怀疑时，可采用高压法进行试验，在（０．5～1）Um范围内进行，tanδ变化量不应大于0。2％，电容变化量不应大于0。5%；2末屏ｔａnδ测量电压为2kV.注：本条主要适用于油浸式互感器.SF6气体绝缘和环氧树脂绝缘结构互感器不适用,注硅脂等干式互感器可以参照执行.表9。0.３tanδ(%）限值额定电压种类20~35kV66~110kV220kV３3０～50０kV油浸式电流互感器2.５0。80。60。５充硅脂及其它干式电流互感器０。50.5０．5─油浸式电压互感器绕组３2．5─串级式电压互感器支架─６─油浸式电流互感器末屏─２注:电压互感器整体及支架介损受环境条件(特别是相对湿度）影响较大,测量时要加以考虑.二、介损原理并联等值电路（图a、ｂ）在交流电U的作用下介质中的电流为I.U与Ｉ之间的夹角为φ，即功率因数角;其余角为δ，即介质损耗角根据图a可得：tanδ==则介质损耗为:P=UIＲ=UIcｔａｎδ=*w*Cｐ＊tａnδ串联等值电路（图c、ｄ）ｔaｎδ=＝=w＊Cｓ*rP=*r=由于tan²δ＜<1,所以Cｓ≈Cp=C，R〉>r，因此以上两种电路可以以一个共同的表达式表示：P=wCtａnδ由此可见,介损与tanδ成正比,即可用tａｎδ表示介损的大小。同类试品绝缘的优劣,可直接由ｔanδ的大小来判断。3、综合电路多个并联等值电路并联:tanδ＝多个串联等值电路串联:tanδ=两个并联等值电路串联：tanδ＝由以上分析还可得出，tanδ对集中性缺陷是不能灵敏反应的，因此对能分解测量的尽量扥接测量,比如变压器的套管等三、电容、介损的测量3。１电容式电压互感器仪器:AＩ6000精密测试仪3.1。1正接法：测量整节电容Cx-－-—--—试品一端对地有可靠绝缘时用此方法步骤：准备工作包括收集厂家数据,抄写名牌包括电容量;打开PＴ本体端子箱盖,短接所有二次绕组并接地；打开XL与Ｎ之间的连片，使XＬ悬空,见示意图；打开ＸL与E之间的连片；将仪器的“高压测量”端通过专用线（屏蔽线)与PT高压端相连，Ｃｘ与Ｎ相连，见示意图用10KV电压测量,结果即是总的电容和介损。３.1.２反接法:同样测量Cx－——-－—－—试品有一端固定接地时用此方法步骤：连片都连好，注意保护间隙不要接触；N与E仪器接外壳地线；高压测量端接（芯线）PT一次，装置可靠接地；用10KV电压测量，结果同正接法一样是整节电容和介损。3。1．3自激法测量测量Ｃ1和Ｃ２及taｎδ1和tanδ2方法１:步骤:N和E之间的连片断开，其他连片连好；E接地,N和Cx连接，“高压测量”接PT高压端;用2ＫV电压测量。方法2:如果用方法1测量时总出现电容值有一个不准确的情况，可以把接于本体端子箱Ｎ的线和接于高压端的线交换下,再进行测量.（注:此法也是用于正接法）注意:二次回路检查时严禁出现以下情况：E—电磁单元的一次接地端，N—电容分压器低压端Ｅ开路或者接地不良；当不使用载波设备时，Ｎ和E开路;阻尼接入端（２a—2az,3a-3ａz,dａ—daz）开路或者接触不良。CＴ介损的测量首先：断开地刀、隔刀、开关项目包括：按下列顺序可减少拆线次数序号项目方法测试电压备注1一次→末屏正接法1０KＶ末屏与地断开２末屏→地反接法2KV末屏与地断开３一次→地反接法10KV末屏接地３．2．1步骤:正接法测量一次对末屏介损拆下本体端子箱末屏引出线(ＣＴ和地线的连接线）;测试仪的：高压测量—--一次,Ｃx—－—－－CT(末屏).见下图：3。2．２步骤:反接法测量末屏对地介损末屏引线ＣT保持与地断开；高