半导体IC制造流程

一、晶圆处理制程

晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子组件（如晶体管、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘量（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，接着进行氧化（Oxidation）及沈积，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反复步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。

二、晶圆针测制程

经过WaferFab之制程后，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的芯片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过芯片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然后晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒，接着晶粒将依其电气特性分类（Sort）并分入不同的仓（DieBank），而不合格的晶粒将于下一个制程中丢弃。

三、IC构装制程

IC构装制程（Packaging）则是利用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（IntegratedCircuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。

四、测试制程

半导体制造最后一个制程为测试，测试制程可分成初步测试与最终测试，其主要目的除了为保证顾客所要的货无缺点外，也将依规格划分IC的等级。在初步测试阶段，包装后的晶粒将会被置于各种环境下测试其电气特性，例如消耗功率、速度、电压容忍度．．．等。测试后的IC将会将会依其电气特性划分等级而置入不同的Bin中（此过程称之为BinSplits），最后因应顾客之需求规格，于相对应的Bin中取出部份IC做特殊的测试及烧机（Burn-In），此即为最终测试。最终测试的成品将被贴上规格卷标（Brand）并加以包装而后交与顾客。未通过的测试的产品将被降级（Downgrading）或丢弃。

《晶柱成长制程》硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长成制程做介绍。

长晶主要程序︰

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鸣晶冠蜜成长门（C基ro谱wn绒G钉ro给wt践h）这极骄长完葱颈部丽后，咬慢慢政地降爱低拉淘速与泄温度槐，使跑颈部课的直它径逐哄渐增熔加到影所需锣的大袍小。挣

卫晶体言成长俩（B触od胆y湿Gr焦ow樱th清）技

骄

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渴尾部度成长腿（T忽ai锦l搂Gr毕ow患th简）雨讨当晶敢体成袭长到骡固定项（需炮要）济的长础度后鼓，晶滥棒的跟直径霉必须奔逐渐裤地缩仁小，召直到啦与液吊面分阵开，便此乃关避免坦因热矮应力悠造成范排差剧与滑描移面慧现象近。

予《晶闻柱切略片后淹处理粘》

色浪硅晶半柱长替成后侨，整后个晶饱圆的歪制作坡才到裳了一全半，慧接下将必须亩将晶痛柱做勾裁切并与检持测，荡裁切逮掉头窗尾的拒晶棒亚将会刃进行肥外径村研磨刚、切泡片等陷一连辩串的倚处理尸，最型后才津能成疑为一包片片柴价值交非凡末的晶帜圆，尖以下权将对前晶柱磨的后患处理川制程童做介泰绍。坏

幅切片朋（S突li们ci猜ng忌）

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怕嗓切片旺晶圆冻的厚污度、遮弓形吩度（亩bo舍w）欺及挠躁屈度望（w姓a逼rp争）等愈特性京为制锣程管毯制要植点。施

聋影响披晶圆充质量奏的因否素除拜了切惨割机霉台本遍身的旅稳定乱度与蚀设计四外，昌锯片鼓的张礼力状猪况及个钻石手锐利效度的爹保持供都有杀很大闪的影殖响。足

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听见

饥值

诵肉研磨米（L豪ap冠pi备ng浮）

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肥

绳

汁蚀刻著（E愧tc怖hi闷ng指）

曲殿泻晶圆洪经前决述加泪工制仅程后轿，表膀面因矩加工淋应力灭而形风成一订层损姐伤层疲（d吴am在ag蔑ed是l坑ay浮er娘），谱在抛秒光之携前必杂须以傅化学酸蚀刻膜的方啄式予骡以去葬除，奖蚀刻叼液可恩分为荷酸性疤与碱国性两轧种。独

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泽翅去疵嘴（G捏et裤te涛ri神ng趁）

束垃蠢利用赤喷砂她法将堂晶圆牵上的匹瑕疵争与缺赛陷感亩到下扭半层延，以气利往锤后的日IC仿制程削。

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搁吸抛光两（P专ol时is博hi浇ng稼）

陷踪男晶圆丈的抛铜光，意依制坡程可犹区分闷为边树缘抛申光与摇表面喇抛光原两种核

跑边缘度抛光酒（E取dg素e浊Po凑li爸sh猛in点g）针两羽边缘塌抛光汁的主遮要目茄的在胡于降冠低微睛粒（心pa库rt寨ic秀le真）附匙着于牢晶圆蓬的可气能性幻，并跃使晶符圆具亭备较超佳的租机械汁强度微，但貌需要话的设万备昂增贵且坦技术当层面掏较高脊，除夕非各喉户要鹊求，紫否则变不进滴行本羡制程模。

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菊表面巨抛光群（S诵ur挎fa症ce召P领ol驼is波hi拉ng捞）

抽相哑表面砖抛光削是晶阔圆加欣工处成理的狼最后台一道煤步骤束，移选除晶肾圆表耗面厚罚度约胞10亏-2叙0微象米，夹其目燃的在帽改善泽前述砍制程吊中遗诵留下哪的微币缺陷吗，并近取得畅局部屿平坦树度的禽极佳演化，锄以满汁足I泛C制肌程的挨要求相。基直本上奇本制齐程为厅化学版－机狗械的傅反应骡机制辱，由珠研磨陕剂中爹的N族aO迈H底,这K素OH隆,三N踢H4较OH艘腐蚀咸晶圆占的最你表层酬，由混机械舍摩擦驾作用处提供蚕腐蚀敲的动味力来跨源。扣

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