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15～15V5～40A5A、10A4V～16V40A半桥电路，所选用开关器件为功率MOS管，开关工作频率为50kHz，具有重量轻、体积小、成本特点。交流输入电压纹波电压 220VEMI300V产生的双列脉冲信号去驱动功率MOS管，通过功率变压器的耦合和作用在次级得到准电压，经整流滤波反馈控制后可得到稳定的直流输出电压。4 1EMIEMI22EMI电设的源是磁（EM出电设的个途设电线处装网波器可有地断条磁扰径本源波由有IEC插电滤器和CB电滤器成。IEC插电滤器要是来电的进电机PCB电滤器要抑功开转时220VJTI110V交流为态流数倍这能成流和入丝损，可造高变器芯和损功器，成压解容用降。以流前入电阻R1继电器K1成输 650kHzQ4Q5C34C35Q4Q5N1U1/2负脉冲电压。能量通过变压器传递到输出端，Q4和Q5采用IRFP460功率MOS管。 本例为fs=50kHz。R2KBEER2KBBs=0.47TBs压器饱和，选定Bm=1/3Bs=0.15T。磁芯的几何截面积SQPo形近似为时为SQ=（1）按输入电压最低及输出满载的情况（此时占空比最大）Umin=176V波后直流输入电压Udmin=1.2×176=211.2V。Upmin=Udmin/2=105.6V，设最Dmax=0.9，tonmax=×T×Dmax=×20×0.9=9.0μsUpmin×tonmax×104=105.6×9.0×10－6×104代入N1===8.9次级匝数计算时取输出电压最大值Uomax=16V。次级电路采用全波整流，Us，Uo为输出电压，Uf1V。Uz0.3V，则Us===19.22VN2=×N1=×8.9=1.8在选用绕组的导线线径时，要考虑导线的集肤效应，一般要求导线线径小于两倍深度，而深度Δ由式（2）Δ=（2）μμr=1，则深度Δm变压器工作频率50kHz，在此频率下铜导线的深度为Δ=0.2956mm，因此绕组线径必须是直径小于0.59mm的铜线。另外考虑到铜线电流密度一般取3～6A/mm2，故这里选用 0.56mm的漆包线8股并联绕制初级共10匝，次级选用厚0.15mm扁铜带绕制2匝。 4成自激振荡。R72Q9、R77D20、C81、ZD1、Q11、R75、R761805.5112.6mH0.4mm。 54TL49450kHzMOS脉冲电压为正时，MOSQ7可以加速驱动并防止驱动脉冲产生振荡。D17 50℃45时，N2AQ312.5VR5777控制电路采用通用脉宽调制器TL494，具有通用性和成本优点，见图6。输出电压经R40、RV2、RV1、R41R5TL4941。RV1为增强电源可靠性，此电源采用初、次级两级过流保护。初级采用电流互感器CT1检测出的电流信号经R60D2～D4，C9RV34（4为TL494），TL494R45～R5615本文

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