光电技术实验

#图2-10上升时间和下降时间(a)入射光脉冲方波(b)响应时间四、实验内容1、硅光电池短路电流特性测试实验装置原理框图如图2-11所示。图2-11硅光电池短路电流特性测试2、硅光电池开路电压特性测试实验装置原理框图如图 2-12所示。图2-12硅光电池开路电压特性测试

根据实验1和2所调试的实验数据，作出硅光电池的光照电流电压特性曲线。4、硅光电池伏安特性实验装置原理框图如图2-13所示。实验装置原理框图如图2-13所示。图2-13硅光电池伏安特性测试5、硅光电池光谱特性测试当不同波长的入射光照到光电二极管上， 光电二极管就有不同的灵敏度。本实验仪采用高亮'的单位入射功率的度LED（白、红、橙、黄、绿、蓝、紫）作为光源，产生 400〜630nm'的单位入射功率的光谱响应度是光电探测器对单色入射辐射的响应能力。定义为在波长V()P(JV()P(J1()「Pl)式中，P（'）为波长为’时的入射光功率；V（'）为光电探测器在入射光功率P（'）作用下的输出信号电压；I（'）则为输出用电流表示的输出信号电流。本实验所采用的方法是基准探测器法，在相同光功率的辐射下，则有山（，）二竖：X（•）Uf式中，Uf式中，Uf为基准探测器显示的电压值,K为基准电压的放大倍数,上f（'）为基准探测器的响应度。取在测试过程中，Uf取相同值，则实验所测测试的响应度大小由的大小确定•下图为基准探测器的光谱响应曲线。

五、数据处理1、硅光电池短路电流特性测试数据光照度（Lx）0100200300400500600光生电流（uA）0.116.933.550.166.883.4100.12、硅光电池开路电压特性测试数据光照度（Lx）01020304050100200300400500600光生电压（mA150263289302312319344368382391398404图2-14基准探测器的光谱响应曲线6、硅光电池时间响应特性测试图2-133图2-14基准探测器的光谱响应曲线6、硅光电池时间响应特性测试图2-13硅光电池的光照电流电压特性50V®压电生光04433220055005055O60开路电压100200 300 400光照度/LX50O0080604050V®压电生光04433220055005055O60开路电压100200 300 400光照度/LX50O0080604020短路电流20AP流电生光4、硅光电池伏安特性测试数据810x10lx:电阻511003601K2.7K5.1K电流（mA0.9910.9840.8920.4690.1850.096电压（V）0.0590.1050.3310.4640.5010.508404x10lx电阻511003601K2.7K5.1K电流（mA0.4950.4930.4840.3870.1720.091电压（V）0.0300.0530.1810.3840.4590.475202x10lx电阻511003601K2.7K5.1K电流（mA0.2480.2460.2470.2380.1500.084电压（V）0.0130.0270.0890.2370.4050.435

不同照度下的硅光电池伏安特性曲线000电流/mA—810*10LX—404*10LX■•—202*10LX1.25、硅光电池光谱