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第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管(第一课时)一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是()A.少数载流B.多数载流B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为()A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体2、PN结具有的性能,即:加电压时PN结导通;加压时PN结截止。子子是一种导电能力介于和之间的物体。的电三、解答题1、图所示的电路中,哪些灯泡能发亮?第一节晶体二极管(第二课时)一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该二极管处于()A.零偏B.反偏C.正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于()A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应该把欧姆挡拨到()A.R×100Ω或R×1kΩ挡B.R×1Ω挡C.R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压,则晶体二极管相当于()A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时,该二极管相当于()A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为V,锗二极管的正向压降为V。2、晶体二极管因所加电压过大而。并出现的现象,称为热击穿。3、下面每小题后面的括号内,提供几种答案,选择正确的填在相应的横线上。(1)简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一形成PN结?(能;不能;不一定)起(2)二极管导通时,则二极管两端所加的是电压。(正向偏置;反向偏置;无偏置)(3)当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时,二极管才能导通。(击穿;饱和;门槛)(4)二极管两端的反向偏置电压增高时,在达到电压以前,通过的电流很小。(击穿;最大;短路)第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中,试分析输入端a、b间输入交流电压υ时,通过R1、R两电阻上的是交流电,还是直流电?22、若将单相桥式电路接成如图的形式,将会出现什么结果,应如何改正?3、如图所示两个电路中,设V1、V2均为理想二极管(即正向导通时其正向电阻和正向压降为零,反向截止时其反向电阻无穷大的二极管),试判断两图中的二极管是截止的还是导通的,A、B两端的电压V=?C、D端的电AB压V=?CD4、画出半波整流电路图。若负载电阻R=0.9kΩ,负载电流I=10mA,试求:(1)LL电源变压器的次级电压V2;(2)整流二极管承受的最大反向电压VRM;(3)流过二极管的平均电流IV。5、画出桥式全波整流电路图。若输出电压VL=9V,负载电流IV=1A。求(1)电源变压器次级绕组电压V2;(2)整流二极管承受的最大反向电压VRM;(3)流过二极管的平均电流IV。6、如图所示的单相桥式整流电路中:(1)若有一个二极管V1内部短路,整流电路会出现什么现象?(2)若有一个二极管V2虚焊(断路),整流电路会有什么现象?(3)若有一个二极管V3方向接反,整流电路会出现什么现象?7、图所示的电路中:(1)当变压器次级电压为正半周(a+、b-)时,哪两个二极管导通?负半周(a-、b+)时,哪两个二极管导通?(2)请在图中标出RL1、RL2两端的电压极性。第三节滤波和稳压电路1、指出下图所示稳压电路中的错误。2、如图所示的简单稳压电路是正确的,某人按图接好该电路,在测试时发现输出电压VL只有0.7V左右,试说明是何原因造成的,应如何改正?3、两个稳压二极管,稳压值分别是7V和9V,将它们组成如下图所示的四种电路,设输入电压V1值是20V,求各电路输出电压V2的值是多少?4、在单相桥式整流电路中,变压器次级电压V=120V(如图所示),在未接滤波2C时负载两端电压VL是多少伏?加了滤波电容并在空载情况下输出的直流电压最大值是多少伏,此时整流二极管实际承受的反向电压值是多大?第五章晶体三极管第一节晶体三极管(第一课时)a)填空题1、晶体三极管有两个PN结,其中一个PN结叫做;另一个叫做。2、晶体三极管I、I、IC之间的关系式是。IC/IB的比值叫,EBΔIC/ΔIB的比值叫。3、硅晶体三极管的饱和压降约为V。V,锗晶体三极管的饱和压约为4、硅晶体三极管发射极的导通电压(门槛电压)约为管发射极的导通电压约为V。V,锗晶体三极5、PNP型晶体三极管的发射区是型半导体,集电区是型半导体,基区是型半导体。6、若晶体三极管集电极输出电流IC=9mA,该管的电流放大系数为β=50,则其输入电流IB=mA。b)解答题1、已知某三极管的IB1=10μA时,IC1=0.88mA,当IB2=40μA时,IC2=2.38mA。求该三极管的β值是多少?2、某锗三极管,β=30,IB=10μA,试求I=?C3、三极管的电流放大系数β=30,当基极电流变化50μA时,集电极电流的变化量是多少第一节晶体三极管(第二课时)一、判断题1、为使晶体三极管处于放大工作状态,其发射极应加反向电压,集电极应加正向()2、无论是哪种晶体三极管,当处于放大工作状态时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也总是高于b极电位。()电压。3、对于NPN三极管,当VBE>0,VBE>VCE,则该三极管的工作状态是饱和状态。()

4、已知某三极管的射极电流I=1.36mA,集电极电流I=1.33mA,则基极电流ECIB=30μA。()5、某晶体二极管的IB=10μA时,IC=0.44mA,;当I=20μA时,IC=0.89mA,B则(它的电流放大系数β=45。)二、选择题1、晶体三极管的发射极正偏,集电极反偏时,则晶体三极管所处的状态是(A.放大状态B.饱和状态C.截止状态2、晶体三极管的两个PN结都反偏时,则晶体三极管所处的状态是A.放大状态B.饱和状态C.截止状态3、当晶体三极管反偏时,则晶体三极管的集电极电流将A.增大B.反向C.中断4、晶体三极管工作在饱和状态时,它的IC将)((()))A.随IB的增加而增加B.随IB的减小而减小C、IB无关,只决定于Rc和VG5、用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地电位是:V=4.7V,V=4.3V,BCV=4V,则该晶体三极管的工作状态是E()三、解答题1、试判断下图所示三极管的I=?IC=?V=?该管处于何种工作状态?BCE2、下图示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态?(NPN管为硅管,PNP型为锗管)3、如图所示电路,设V=0.7V,求I=?,IC=?V=?BEBCE第六章单级低频小信号放大器第一节放大器的基本概念1、一个放大器的增益是120dB,相当于多大的放大倍数?如电压增益为-60dB,是是什么意思?2、某放大器的电压放大倍数为30000,问用分贝计算时电压增益是多少?3、如果输入信号电压为V=0.02V,电流I=1.0mA;输出电压V=2V,电流iiOI=0.1A。问放大器的电压、电流增益和功率增益各为多少分贝?O

第三节单级低频小信号放大器第一课时电路说明及电路图1、画出下图中各放大电路的直流通路和交流通路图。第二课时静态工作点定义及电路的作用一、判断题1、放大器的静态工作点一2、共发射极放大器的3、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态经设定后,不受外界因素的影响。()()输出信号和输入信号反相。工作点,交流分量表示信号的变化情况。()二、选择题1、晶体三极管放大器设置合适的静态工作点A.发射结为反向偏置B.集电2、在共发射极单管低频电中,输出电压应视为(A.υo=icRCB.υo=-icRCC.υo=IcRC3、共发射极放大器的压在相位上的关系是A.同相位B.相位差90oC.相位差180o,以保证放大信号时,三极管()结为正向偏置C.始终工作在放大区压放大电路)输出电压和输入电()三、填空题1、放大器的静态是指时的工作状态,静态工作点可根据电路参数用方法分析确定,也可用方法分析确定。2、表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数有3、共发射极电路的压与输入电压有时被成为4、晶体三极管放大电路流一定时,静态工作点设置太低,将产生失真;静态工作点设置太高,将产生、和。输出电的相位关系,所以该电路有。中,当输入电失真。第四节放大电路的分析方法1、在a图中,若晶体管的输出特性曲线如图b所示。设VG=12V,RC=2kΩ,Rb=160kΩ,试画出直流负载线,描出静态工作点Q并写出放大器的静态参数IBQ、ICQ、VCEQ的值ab2、图a中,若VG=16V,RC=4kΩ,Rb=400kΩ,试用作图法在b图中求出静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ。3、如图所示的共射基本放大电路中,设晶体管的β=40,rbe=1.4kΩ。(1)估算电路的静态工作点I、ICQ、VCEQ;BQ(2)估算放大倍数。4如图所示的放大器中已知V=15V,RC=3kΩ,Rb=500Ω,β=60,试估算放大G器的静态工作点。5、单管放大电路如图所示,已知晶体管的Vi=10mV。(1)算晶体管的输入电阻rbe=?β=30,基区电阻r≈300Ω,输入电压b(2)这个放大器的输入电阻r=i?、输出电阻r=?。o(3)算放大器的输出电压VO=?。第五节放大器的偏置电路1、简述分压式偏置电路稳定工作点的原理2、在如图具有分压式稳定工作点的偏置电路放大器中,

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