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文档简介
首先欢迎拍砖。
提供一普通節能燈設計實列以供初學者入門學習之用,當你能成功做出
自己的東東時會有一種成就感的,好了废話不多說我們開始吧。
輸入信息:
輸入額定電壓220V50Hz,輸入工率>85%額定功率,輸入功率因數λ>0.6
輸出效率η>90%,工作頻率33kHz,燈電流波峰比<1.7。
根據節能燈相關標准要求輸入工率>85%額定功率,既
Pin>14*0.85=11.9W
要求輸出效率>90%,既
Pout>11.9*0.9=10.71W
線路的選取:考慮到緊凑型節能燈體積小,溫升較高所以線路不能過於複雜
故此燈選取變異形半橋逆變電路。
,不学习就玩玩咯
如圖1所示
圖1
電參數的計算:
輸入整流電流濾波電路的計算:
桥式整流电容虑波
輸入電流:Iin=Pin/Vin/λ=14/220/0.6=0.106(A),
峰值为Iinpk=1.414(2的开方)*0.106=0.15(A)
当输入功率因数为0.6时二极管的导通的角只有θ=50度左右。所以流过二极管的峰值电流
Idpk=Iinpk/θ*180/2=0.15/50*180/2=0.27(A)
当输入电压为250V(用电低谷时)其峰傎
Vkp=1.414(2的开方)*250=353.5V
既C3电压会使达到353.5V(此参数用于选取电容的耐压)同时会也加在二极管的负极,当输入压负半周时
同样也有负的353.5V加在二极管的正极所以二极管的反向耐压
Vr>353.5V+353.5V=707V
根据流过二极管的电流0.106A峰值0.27A,二极管的耐压Vr>707V选取二极管
1N4007参数Id=1A,Ipk=2.5A,Vr=1000-1400V,
因低频整流不考虑反向恢复时间。
之所以选取Vr>1000V是因为有些二极管在高温时耐反向电压特情变小的缘故,
有条件应做二极管的高温特性实验。
当输入电压220V时桥式整流虑波电路输入电压
Vdc=Vin*(1.2-1.4)=220*1.3=286V
故直流电流为
Idc=pin/Vdc/η=14/286/0.9=0.054(A)
为了达到灯电流波峰比小于1.7要求输入直流电压的波峰比应小于1.7,在此我们选1.6既纹波电压
ΔVdc<286*0.6=171(V)
纹波的形成是因为电解电容放电引起,此时电容的放是周期是输入电压周期的一半既
t=0.5T=0.5*1/50=0.01(S)=10(mS)
根据电容的定义C=It/U
C=It/U=Idc*t/ΔVdc=0.054*0.01/171=0.00000315(F)=3.15(uF)
依据上边求得的电容的最高电压353V和电容的容量3.15uF结合电容的应力要求选取电解电容为:
3.3uF/400V高品质电解电容。
己知输入电流Iin=0.106A,因是桥式整流电容虑波电路,所以初始输入峰值电流会达10倍的Iin,达1.06A
又因输入电压220V所以应选取保险管:
1A250V慢熔型或者1.5A250V慢熔型的。
半桥逆变器的计算:
原理描述:
直流电压经过R1,R2向C3充电,当C3电压上升到DB3的击穿电压28-35V,DB3因雪崩击穿导通,把电流注入Q2
Q2导通,集电极电流增加,增加的集电极电流流过T1的初级(此时Q1是没有通的)和L1,灯管的阴极,C5,灯管的另一个阴极,C4形成回路。
增加的电流流过T1的初级时使T1的两次级感生一个电压,这个两个电压一个使Q2加速导通,集电极电流更大,一个使Q1关闭,
这一过程会Q2完全导通进入饱和,并吏T1磁芯也进入饱和,饱和的结果是Q2的集电极电流不再增加。
因为T1初级电流不再加增,使得初级感生电压变小,并且改变电压的极性方向,这一过程会使Q2的基极电流减小,同时因Q2的基极电流减小,Q2的集电极电流也
加速减小,结果是Q2走向关闭。此时Q1的电压的极性方向改变,由原来的关闭走向开通,当Q1形成集电极电流时,Q1的电流也流过Q2的集电极走过的线路,只是方向变反了,
次级感生的电压使得Q1变为导通,此时Q1跟Q2一样也进入饱和,使得次级电压极性变反,接下来又轮到Q2的开通,如此反复,形成高频震荡......
触发线路的计算:
通常三极管的放大倍数选得较小(5-40)这要求触发电路提供较大的电流,一般0.2-1mA
所以R1,R2支路应能提些电流,所以
R1+R2=286/0.3(这里我们选0.3mA)=953KΩ
根据电阻功率计算公试
Pr=Ur*Ur/R=286*286/953K=0.08W
所以R1,R2选取功率为0.25W的两个碳膜电阻。
相位电路的计算:
C2和R1同时相位电路,当三极进入死区时间时,两三极管关闭(原理描述中没经细说)此电感L1及灯管中的电流流过C2使灯管继续点亮。
所以C2也称为续流电容其容抗一般设计得较小。
一般R1,C2的时间常数设为震荡周期的10-20倍(这里我们选11),己知地f=33kHz,所以
T=1/33kHz=30.3uS,
所以
τ=0.7R1*C2=11*T=11*30.3uS=333uS所以有
R1*C2=333/0.7=476uS
通常R1的阻抗是C2容抗的100倍左右所以
R1=100*Xc既R1=100/(2*3.14*f*C2)
联立上边的方程成方程组,求解方程组得:
R1=1030pF
C2=475000Ω
已知R1+R2=953KΩ,所以R2=953KΩ-475KΩ=478KΩ
所以R1,R2选标准中的470KΩ1/4w碳膜电阻,C2选1200PF/630V(1KV)。
三极管的计算:
查资料得知T214W全螺荧光灯毛管参数:启动电压>400V管压降120V,电流110mA。
些时灯电流峰值:IlKP=1.41421*110=155mA
半桥中点电压150V,为了达到正常启动,LC谐振时的Q值应>400/150=2.67,此处设为3
所以谐振时L,C中的电流峰值为Ickp=3*IlKP(灯管电流峰值)=3*155=465mA
三极管的开关时间(主要指存贮时间)一般<20%T(T正常工作时谐振周期)所以:
Ts<0.2/f=0.2/33000=6uS
结合上边的参数选取开关管:13003-TO92
其参数Vceo>=400V,Ic=1A(一般13003电流1.5A,但TO92三极管应当1A应用)芯片1.18,Ts<5uS
脉冲变压器的计算:
脉冲变压器,用于驱动三极管,要求驱动波形速率快,因此应选用可饱和磁芯,磁滞回线成矩形的磁芯,
在此选初始磁导率ui为5000磁芯规格为外径10mm内径6mm厚5mm的环形磁芯,
其参数查资料:Hs(饱和磁场强度)=0.7A/cmBs(饱和磁通密度)=0.3Tιe(磁路长度)=2.5cm,Ae=0.2cm平方,Al=1.4-1.7uH/NN。
根据饱和磁场的公式:Hs=(Np*Ip)/ιe得
NP=Hs*ιe/Ip=0.45*2.5/0.11=10.23(Ts)(Ip为流过初级的电流峰值,也就是灯管的电流峰值,上边算了得155mA,为了保证变器和三级管进入饱和,此处取半峰值既Ip=155/2=78mA)
频率的计核算:通常脉冲变初级电压在5-12V之间根据变压的电磁感应定律:V=4*N*Bs*Ae*f*10000得:
f=Vp*10000/(4*Np*Bs*Ae)=(9*10000)/(4*10.8*0.3*0.2)=34.7kHz接近设定目标
当开关管集电极电流110mA进入饱和时,其基极电流峰值应为ib>ic/β=155/15=10.33mA,并且实际ib略大于10.3mA。既变压器的次级电流Is>10.3mA
根据变压器变比:Np:Ns=Vp:Vs=Is:Ip得:
Ns<(Np*Ip)/Is=10.8*78/10.3=81Ts此匝数无法绕下磁环,并且此匝数是在开关管基极无限流电阻情况下算得,当Ns<<81Ts时,根据变比关系Is=Ib>>10.33mA
于是可以在三极管基极中串入限流电阻把电流限制在10.3mA左右,从而可以减少脉冲变器的次级匝数。
基极电阻值一般选取4.7-33Ω,变压器次级2-5Ts,为了使镇流器耐冲击,在开关管的发射极串入0.5-3.3Ω的电阻形成负反馈起到耐冲击的作用。
以上次级匝数,开关管的基极,发射极的电阻应在调试中确定,以使三极管工作在浅饱和区,工作频正确为宜。
本机脉冲变压器变比为:10:3基极电阻22Ω,发射极电阻2.2Ω。
(提供另一种脉冲压器匝比计算方法:从上边计算选得的三极管和磁环资料查得:三极管的Vbes=1.5V(3dd13003eid)磁芯的电感因数(电感量与匝数平方比)Al=1.4-1.7uH/NN(设计时取1.6)。已知设计频率为f=33kHz,NP(脉冲变压器初级匝数)=10.23≈10。
根据Al的定义Al=Lp/(Np*Np)得:初级电感量
Lp=Al*Np*Np=1.6*10*10=160uH=0.000160H,
又知f=33kHz可以算得脉冲变压器初级感抗,根据电感的感抗计算公式:Xl=2*π*f*L得:
Xl=2*3.1415*33*10e3*1.6e-4=33.158(Ω)
还知流过脉冲变压器初级的电峰值电流(也就是灯管的电流)Ip=0.155A
所以脉冲变压器初级的电压:
Up=Ip*Xl=.0155*33.158=5.135(V)
己知三极管的Vbes=1.5V,也就是脉冲变压器次级电压Us>=1.5V,根据变压器变比关系
Np/Ns=Up/Us得:
Ns=Us*Np/Up=1.5*10/5.135=2.9(Ts)
所以磁环的匝比为10:3)
续流二极管D6,D7,基极二极管D8,D9的选取:
D6,D7是在开关管关闭时用来续流电感L1中的电流的,所以D6,D7工作频率也是30KHz以上,电流在155mA左右,由此D6,D7应选快速恢复二极管,耐压比三极管的Vceo高。
本机选FR107,查其参数能满足要求。
D8,D9是保护开关管的发射极的,主要用来消除脉冲变压器次级的负半周形成的过反偏击穿EB结,一般出现过反偏的机会不大所以选用慢速管,耐压>100V就可以。
本机选取1N4007。
D5选取D5用于给C3放电,由于镇流器触发后能自行震荡工作,不再需要DB3触发了,这时就要把C3的电荷放掉,D5就是起到这个作用。设计时(R1+R2)C3的时间常数应远
大于镇流器工作周期才能使C3充不起电压。当Q1导通时D5承受大经约250V的电压。所以D5也选用1N4007。
谐振电路的计算:
己知半桥中点直流电压150V,当三极管开通时,峰值电压286V,灯管电压120V,灯管电流110mA
所以电感L1的电压Ul=286-120=166(V),流过电感的电流就是灯管的电流,所以感抗Xl=166/0.11=1509(Ω)
根据电感抗的公式:Xl=2*3.14*f*L得:
L1=Xl/(2*3.14*f)=1509/(6.28*33000)=0.00728H=7.28(mH)(在实功率中可能要调整)
磁芯选取:根据磁芯的面积乘积法计算规格。(过于复杂不再给出计算方法)
通过计算选取EE13,PC30的磁芯规格和磁芯材料和绕线骨架。计算气隙0.8-1.1mm,本机选取1.0mm,通过查参数,得单匝电感量Al=3.74e-5mH/(N*N)
己知本机电感量7.28mH通过AL,算得N=441Ts
漆包线:己知灯管电流110mA,一般绕线用的漆包线载流能力2.5-4(A/mm*mm)折算线径D=0.187mm,
上边的算得启动谐振时电路的Q值应>400/150=2.67,根据谐振电路品质因数计算方法Q=(L/c)的开方,得:
C<Q*Q/L=2.67*2.67/7.28=0.97uF同时灯的等效电阻rl=120/0.11=1090Ω
设计谐振频率为50K左右。根据LC谐振计算公式得,
C5=1/(4*3.14*3.14*fo*fo*L1)=1.39*10e-9(F)=1390(pF)
*科学计数法
由于谐振时Q值较高所以电容C5的电压也很高,应选用耐较高压的电容
本机选1250V/1500PF的膜式电容。
隔直电容C4的选取,C4只是用于隔直作用所以它的容抗应较小,并以发热小为宜,耐压应大于整流输出电压。
本机选取400V/47000pF。
以下是实测的光参数:
以下是实测的电参数:
以下是实物:
以下是BOM(物料清单)
碳膜电阻RT-1/4W-680KΩ22碳膜电阻RT-1/4W-2.2Ω23碳膜
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