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（2）IBM、为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足UHKdd，k①若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子 UH值，记录数据如下表所示。系数 ③该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图丁所示的测量电路S1S2为单刀双掷开关虚线框内为半导体薄（未画出为使电流从Q端流入P端流出应将S1掷 （填“a或“b”,S2掷向 （填“c”“d” 和(填器件代号)之间。答案：①M②如图所示。1.5③bcS1则，空穴所受力方向指向M，M侧电势高，用电压表测量UH时，应将电压表的“+”M②由UH

dS1和E2.（201319（2）题）(2)（12）硅光电池在无光照时不产生电能，可E12V，内阻不计。V1U1=V大小为mA（保留两位小数IX-UX图线可知，硅光电池无光照下加反向电压时，IXUX成（②（i）1.400.23（ⅱ）IX-UX（iii）解析：电压表V1U1=1.4VRV=6.0kΩ，由欧姆定律可知通过的电流为图所示。由IX-UX图线可知，硅光电池无光照下加反向电压时，IX与UX成非线性（1（6CB “ 增 （2013用内电池的电动势和电阻“×lk”挡内部电路的总电阻。使用的器多用将多用挡位调到电阻“×lk”挡，再将红表笔和黑表 将图((a)中多用的红表笔和 (3)将滑动变阻器的滑片调到适当位置，使多用的示数如图(b)所示，这时电压表的示数如图(c)所示。多用和电压表的读数分别 kΩ V调节滑动变阻器的滑片，使其接入电路的阻值为零。此时多用和电压12.0kΩ4.00V。从测量数据可知，电压表的内阻为kΩ。多用电阻挡内部电路可等效为由一个无内阻的电池、一个理想电流表用内电池的电动势为9.00V，电阻“×lk”挡内部电路的总电阻为15.0k答案（1）短接（2）1 （1）多用内部电池的正极相连的是黑表笔，所以多用的红表笔和1端相连，多用的读数为15.0kΩ，电压表的读数为3.60V调节滑动变阻器的滑片，使其接入电路的阻值为零。此时多用的读数等于电12.0kΩ。解得：E=9.00V。（7（3）表笔A（4）Ω3开关S闭合时，多用用于测量 （填“电流“电压”（3）表笔A（4）Ω3（2）分（4）1.00（1）880（1）【命题意图】本题主要考查多用的原理、使用和电流表电压表的原理和改装，意在考开关S闭合时，电阻R1与电流表并联，多用用于测量电流。开关S断开时，电R2与电流表串联，多用用于测量电压根据电流表、电压表电流从正接线柱进，从负接线柱出，表笔A出，表笔联电路知识，Ig(R2+Rg)=（I-Ig）R1R1=1.00Ω。6（2013DIS以竖直方向为轴转动，屏幕上的电流指针＿＿＿＿(填：“有”或答案：有无无解析：首先将线圈竖直放置，以竖直方向为轴转动，线圈8W”，12V10Ω。10-1（ 现有10Ω、20Ω和50Ω的定值电阻，电路中的电阻R1应 P、U2描点在坐标纸

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