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文档简介

二极管

1.半导体二极管的基本结构

一个PN结外封管壳并引出电极，就成为半导体二极管。

根据PN结的结构，二极管分成点接触型、面接触型和平面型。

点接触型的二极管由于结面积很小，

不能通过较大的正向电流，

易于在高频小功率条件下使用，如开关二极管就是点接触型的。

面接触型二极管的

PN结面积较大，

允许通过较大的正向电流，

不能在高频下工作，因此一般都用于整流。

平面型的二极管用于大功率整流管和数字电路中的开关管。

外型及符号如图

1所示。

但结电容小，

但结电容大，

半导体二极管的

图1半导体二极管的外型及符号

(a)点接触型二极管

(b)面接触型二极管

(c)平面型二极管

图2是常见的半导体二极管的外形图。

图2常见的半导体二极管的外形图

2.半导体二极管的伏安特性

1

(1)正向伏安特性

二极管的电流与外加电压的关系曲线称作伏安特性，

当外加正向电压很小时，

力，因此正向电流几乎为零。

区的正向电压称为死区电压，

0.5V，锗管约为

的正向压降，硅管约为

外电场还不足以克服内电场对多数载流子扩散运动的阻

二极管正向电流近似为零的区域称为死区，

其值与半导体材料和环境温度有关，

0.2V。当外加正向电压大于死区电压后，二极管导通，其导通

0.6V~0.8V，锗管约为

0.2V~0.3V。

对应死

通常硅管约为

如图

3所示。

由图可见，

图3二极管的伏安特性

(a)2CZ52A硅二极管

(b)2AP2锗二极管

(2)反向伏安特性

当二极管加反向电压时，在环境温度不变的条件下，少数载流子的数目近似

为常数，因此当反向电压不超过某一范围时，反向电流的值很小，并且恒定，通

常称它为反向饱和电流。当反向电压超过二极管的反向击穿电压

将共价键中的电子拉出，

格中的价电子碰撞出来，

使少数载流子的数量增多，

这种连锁反应导致载流子的数目愈来愈多，

并在强电场下加速，

UBR时，电场力

又将晶

最后使二极

管反向击穿。二极管一旦被击穿，一般都不能恢复单向导电性能。

3.主要参数

二极管的参数是正确选择和使用二极管的依据。半导体二极管的主要参数

有：

(1).最大整流电流

I0M

最大整流电流是指二极管长时间使用时，允许通过二极管的最大平均电流。

2

该值是由二极管的

过热而损坏。

(2)反向工作峰值电压

PN结温升限定的，使用时不要超过此值，否则可能使二极管

URWM

为了保证二极管在反向电压下工作而不被击穿，

压UBR的一半或三分之二定为最高反向工作电压。例如

制造厂家通常将反向击穿电

2CP10硅二极管的反向

25V。

击穿电压为

50V，而它的最高反向工作电压为

IRM

(3)反向峰值电流

它是最高反向工作电压下，二极管的反向电流值，一般在几个微安以下。反

向电流愈小，

单向导电性能愈好。

通常，

锗二极管的反向电流比硅二极管大得多。

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