电子系统设计与实践第一讲

电子系统设计与实践第一讲第1页，课件共52页，创作于2023年2月

一.电阻

1.电阻按功能分

(1)普通电阻用作降压或限流

(2)热敏电阻正温度系数(PTC)

负温度系统(NTC)(3)光敏电阻用作光敏传感器

(4)压敏电阻用于吸收过电压

(5)可变电阻

(6)其它特种功能电阻第2页，课件共52页，创作于2023年2月2.普通电阻按材料分A.碳膜电阻B.金属膜电阻

碳膜电阻和金属膜电阻一般为小功率电阻(小于5W)第3页，课件共52页，创作于2023年2月C.绕线电阻

不适合在高频电路中应用D.水泥电阻

均为功率电阻,可达数百W第4页，课件共52页，创作于2023年2月

3.按结构分

A.引脚式

B.贴片式

C.网络式多只电阻并联第5页，课件共52页，创作于2023年2月

4.技术参数

A.标称阻值

1.0，1.2，1.5，1.8，2.0，2.2，2.4，2.7，3.0，3.3，3.6，3.9，4.3，4.7，5.0，5.1，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2，9.1

实际电阻值取上述基数的

B.标准功率

W,W,W,W,W,1W,2W,5W,50W,100W第6页，课件共52页，创作于2023年2月

C.精度

D.耐压

小功率电阻耐压有：50V,100V,150V,200V,300V1/8W电阻的耐压为150V左右

D.温度系数

±５ＰＰＭ／℃－±５０ＰＰＭ／℃5%，1%，0.5%，0.25%，0.1%，0.01%第7页，课件共52页，创作于2023年2月引脚电阻技术参数表第8页，课件共52页，创作于2023年2月普通金属膜贴片电阻技术参数第9页，课件共52页，创作于2023年2月第10页，课件共52页，创作于2023年2月第11页，课件共52页，创作于2023年2月二.电容器

1.电容按材料分

(1)瓷片电容有高压和低压之分

(2)ＣＢＢ金属化薄膜电容主要有聚脂膜和聚丙烯膜

第12页，课件共52页，创作于2023年2月

(3)独石电容

(4)钽电容

(5)铝电解电容第13页，课件共52页，创作于2023年2月２．按电解质性质分固态电容器：ＣＢＢ、瓷片等液态电容器：铝电解电容３．按封装分带引脚贴片网络电容多个电容封装在一起第14页，课件共52页，创作于2023年2月４．电容器主要技术参数Ａ、标称容量

1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，3.6，3.9，4.2，4.7，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2。Ｂ．耐压实际电容值取上述基数的6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V,630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV第15页，课件共52页，创作于2023年2月Ｃ．精度±5%(J级)±10%(K级)，±20%(M级)Ｄ．损耗角（tgδ）Ｅ．串联等效电阻（ESR）前二个参数在高频电路或开关电源中很重要第16页，课件共52页，创作于2023年2月Ｅ．最大脉动电流如：400V/10µF/280mAＦ．寿命普通电容（CD11系列）寿命1000小时/85°下，工作温度每降低10°C，电解电容寿命增加一倍。每增加10°C，寿命减少一倍。Ｇ、漏电流

I=0.02CV+25µA如：400V/10µF电容I=105µA上述三个指标主要用于铝电解电容第17页，课件共52页，创作于2023年2月ＣＢＢ电容技术参数第18页，课件共52页，创作于2023年2月第19页，课件共52页，创作于2023年2月电解电容技术参数第20页，课件共52页，创作于2023年2月第21页，课件共52页，创作于2023年2月

三．电感１．电感分类Ａ．色码电感空芯电感，容量小，只有µH级Ｂ．高频（铁氧体芯）电感非线性元件，电感量随工作频率而改变，可做µH、mH级，Ｃ．低频（矽钢片）电感：频率在几百Ｈｚ以下，可做mH级。第22页，课件共52页，创作于2023年2月

２．按封装分Ａ．引脚Ｂ．贴片第23页，课件共52页，创作于2023年2月３．技术指标Ａ．标称容量电感容量一般按用户要求定制．Ｂ．额定电流电感线圈的载流能力，如0.5A，1A。Ｃ．额定电压线圈承受的电压，在高压应用场合，要考虑耐压问题。Ｄ．精度

±5%(J级)±10%(K级)，±15%(Ｌ级)，±20%(M级),±30%(N级)第24页，课件共52页，创作于2023年2月Ｅ．损耗电感损耗有铁损和铜损两部分组成。铁损：磁涡流产生的损耗，随频率增加而大幅度增加铜损：漆包线电阻产生的热损耗

第25页，课件共52页，创作于2023年2月

四．磁性材料１．磁性材料分类Ａ．硬磁

硬磁主要有钕铁硼材料组成，用于制造扬声器和电机Ｂ．软磁

软磁有铁氧体粉末组成，用于高频电感软磁又分为MnZn和NiZn，高导和低导第26页，课件共52页，创作于2023年2月２．主要技术指标Ａ．初始磁导率 初始磁导率是磁性材料的磁导率(B/H)在磁化曲线始端的极限值，即：

式中：真空磁导率；Ｈ交流磁场强度；Ｂ交流磁通密度。第27页，课件共52页，创作于2023年2月Ｂ．饱和磁通密度

磁化到饱和状态的磁通密度

Ｃ．剩余磁通密度

从磁饱和状态去除磁场后，剩余的磁通密度Ｄ．矫顽力

从饱和状态去除磁场后，磁芯继续被反向的磁场磁化，直至磁场密度减小到零，此时的磁场强度称为矫顽力

第28页，课件共52页，创作于2023年2月Ｅ．品质因数Ｑ

品质因数为损耗因数的倒数：

Ｆ．磁芯损耗

磁芯在高磁通密度时的单位体积损耗

第29页，课件共52页，创作于2023年2月Ｇ．电感因数

具有一定形状和尺寸的磁芯上每一匝线圈产生的电感量，即：

Ｄ．居里温度TC在该温度下磁芯的磁状态由铁磁性转变成顺磁性第30页，课件共52页，创作于2023年2月

３．磁芯形状及规格Ａ．磁性形状

常用有环形、EI、EE、PQ、EFD、RM等Ｂ．低导磁率磁性

用作功率电感和功率变压器，初始导磁一般在3000以下Ｃ．高导磁率磁性

用作滤波电感和信号变压器，初始导磁一般在5000以上第31页，课件共52页，创作于2023年2月低导ＭnZn功率铁氧体技术参数第32页，课件共52页，创作于2023年2月第33页，课件共52页，创作于2023年2月Ｄ．ＲＭ磁性第34页，课件共52页，创作于2023年2月第35页，课件共52页，创作于2023年2月五．功率二极管１．工作原理

第36页，课件共52页，创作于2023年2月

２．分类

按材料分有分硅管和锗管，按功能分：Ａ．普通整流管一般用于开关频率1kHZ以下的输入整流电路中，其反向恢复时间一般在5μs以上。Ｂ．快恢二极管反向恢复时间100ns以下，工作频率在20kHZ以上时需用快恢二极管。Ｃ．肖特基二极管肖特基二极管的反向恢复时间更短（10-40ns），一般用在高频开关电源的输出级整流电路中。第37页，课件共52页，创作于2023年2月

３．技术参数

Ａ．正向平均电流IF（AV）指功率二极管连续工作时，在规定的环境温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。Ｂ．正向压降UF指功率二极管在指定温度下，流过某一稳定的正向电流时对应的压降。

Ｃ．反向重复峰值电压URRM

第38页，课件共52页，创作于2023年2月Ｄ．最高工作结温TJM最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度，用TJM表示。Ｅ．反向恢复时间trr功率二极管从正向偏置转向为反向偏置的过程中，正向电流IF降至零时刻起到反向电流为其最大值IRP的25%所需时间。Ｆ．浪涌电流IFSM指功率二极管所承受的最大连续一个或几个工频周期的过电流

第39页，课件共52页，创作于2023年2月第40页，课件共52页，创作于2023年2月第41页，课件共52页，创作于2023年2月第42页，课件共52页，创作于2023年2月第43页，课件共52页，创作于2023年2月五．功率ＭＯＳ管１．工作原理第44页，课件共52页，创作于2023年2月２．结构特点

a、电压控制元件，输入阻抗高。

b、导通电阻Ron大.c、工作频率高（对功率器件而言）

d、是一种元细胞集成器件,适合并联

e、DS极之间内部寄生二极管

第45页，课件共52页，创作于2023年2月3．主要技术指标

a、额定电压Uds它主要由VMOS管的漏源击穿电压U(BR)DS决定

b、最大漏极电流Idmax

标称MOS管电流额定参数

c、阀值电压Ugs(th)

又称门极开启电压

d、导通电阻：Ron第46页，课件共52页，创作于2023年2月

e、最高工作频率fm:

Uds作用下，电子从源区（S）通过沟道到漏区所需要的时间 f、开通时间和关断时间：

开通和关断时间越大,则MOS管开关损耗越大. g、极间电容输入电容：Ciss=CGS+CGD输出电容：Coss=CDS+CGD第47页，课件共52页，创作于2023年2月

４、常用MOS器件：

2N700060V/0.2A IRFD01460V/1.7A

IRFD210 200V/0.6A

IRFD110 100V/1.0A

IRF530100V/15A

IRF630 200V/9A

IRF730400V/5.5A

IRF830 500V/4.5AIRF840500V/8A IRFBF20 900V/1.7A IRFBF30 900V/3.6A第48页，课件共52页，创作于2023年2月第