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文档简介

模拟CMOS集成电路设计复习提纲服从真理，就能征服一切事物大微电子:模拟集成电路设计复习提纲华大微电子:模拟集成电路设计第二章器件模型MOSFET的IV特性饱和区电流公式线性区电流公式沟道长度调制效应MOSFET的小信号模型低频小信号模型:图2.36gmn、r的表达式完整小信号模型:图2.38华大微电子:模拟集成电路设计MOSFET的Ⅰ-V特性饱和区:D=Cn,(Vs-V)沟长调制W(vas-vrh(1+avpsL线性区:1D=C深线性区:Dn=uCo(v-V形线性电阻:RnWCL大微电子:模拟集成电路设计几个常用的表达式饱和区:102CaLW8m=ucl2IDAUOXL2λ×Vx∝华大微电子:模拟集成电路设计MOSFET小信号模型(1)GSnVBs=0时的低频小信号模型用于计算输出电阻、低频小信号增益华大微电子:模拟集成电路设计MOSFET小信号模型(2)GD①gmGs等rbBs考虑衬偏效应时的低频小信号模型用于计算输出电阻、低频小信号增益完整的MOSFET小信号模型CGpG9nV3幸o⑦gmbVBs用于计算各节点的时间常数找出极点第三章单级放大器·共源级共漏级·共栅级共源共栅级共源级·电阻负载电流源负载二极管接法的MOSFET负载源级负反馈共源MOSFETV=V=VMRevoutroRout=rv,(9m3ro单管增益8mr56、书不仅是生活，而且是现在、过去和未来文化生活的源泉。——库法耶夫

57、生命不可能有两次，但许多人连一次也不善于度过。——吕凯特

58、问渠哪得清如许，为有源头活水来。——朱熹

59、我的努力求学没有得到别的好处，只不过是愈来愈发觉自己的无知。——笛

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