LED外延片外延工艺

::1LEDLEDLEDLED延片的技术主要有以下四条：PN键所在，金属有机物化学气相淀积(Metal-OrganicChemicalVaporIII-V，II-VI晶的主要方法。II、IIIGa(CH3)3，In(CH3)3，Al(CH3)3，Ga(C2H5)3，Zn(C2H5)3混合，再通入反响室，在加热的衬底外表发生反响，外延生长化合物晶体薄膜。MOCVD用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式通入反响室属有机源的供给量成正比。MOCVD，九十年月已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学NakamuraMOCVDMOCVD1994管，199810,000前为止，MOCVD的氮化镓外延片和器件的性能以及生产本钱等主要指标来看，还没有其它方法能与之相比。AIXTRONEMCORE(Veeco)ThomasSwanThomasSwanAIXTRONMOCVD商也只是1994年以后才开头生产适合氮化镓的MOCVD设备。目前生产氮化镓MOCVD24(AIXTRONMOCVD-MOCVD的设备只在日本出售。MOCVD，MOCVD242产更大规模的设备，不过这些设备一般只能生产中低档产品；研制有自己特色的专用MOCVD设备。这些设备一般只能一次生产1片2英寸外延片，但其外延片质量很高。目前高档产品主要由这些设备生产，不过这些设备一般不出售。1)InGaAlPInGaAlPLED550~650nmGaAsLEDAlGaInPLEDMOCVD的外延生长技术和多量子阱构造，波长625nm四周其外延片的内量子效100%，MOCVDInGaAlP熟。InGaAlPGaAsGaAs组分，特定厚度，特定电学和光学参数的半导体薄膜外延材料。IIIVTMGa、TEGa、TMIn、TMAl、PH3AsH3SiTeInGaAlPIII(1-5)×10-5，V(1-2)×10-3于获得均匀分布的组分与厚度，进而提高了外延材料光电性能的全都性。2)lGaInN，GaNLEDLED的LED，降低位错等缺陷密度，提高晶体质量，是半导体照明技术开发的核心。GaNGaNGaNGaN(500~600℃)生长GaNAkasakiAINGaNAlNGaN较好匹配，而和蓝宝石衬底匹配不好，但由于它很薄，低温沉积的无定型性GaNNakamuraGaNGaN为了得到高质量的外延层，已经提出很多改进的方法，主要如下：LEOLEOSAE(selectiveareaepitaxyNishinaga1988LPE(liquidphaseepitaxy)的深入争论，LEOSiO2SiNx为掩膜(mask)，mask{11-20}buffer1.5，不过一般常选用平行方向(1-100)。LEO2-11，GaN当到达掩膜高度时就开头了侧向生长，直到两侧侧向生长的GaN集合成平坦的薄膜。2-11GaNLEO②PE(Pendeoepitaxy)法生长示意图如以下图2-12所示：2-12GaNPEGaNstripe方向，侧面为{11-20}PE2-132-13PEGaNModelA：侧面{11-20}生长速率大于(0001)面垂直生长速率；ModelB：开头(0001)面生长快，紧接着又有从形成的{11-20}面的侧面生长。一般生长温度上升，modelAPE量很低。PEGaNTD4-5，SEM的GaN集合处或者是无位错或者是空洞，但在这些空洞上方的GaN仍为无位错区；AFMPEGaNPELEO4-5PEGaNLEOGaN5-10其它型外延材料ZnO3.37eV，属直接带隙，和GaN、SiC、金刚石等宽禁带半导体材料相比，它在380nm四周紫光波段进展潜力最大，是高效紫光发光器件、低阈值紫光半导体激光器的候选材料。这是由于，ZnO60meV，比其他半导体材料高得多(GaN26meV)，因而具有比其他材料更高的发光效率。ZnOGaAs的水为氧源，用有机金属锌为锌源。因而，今后ZnO材料的生产是真正意义上ZnO，有利于大规模生产和持续进展。目前，ZnO电子器件或高温电子器件，主要是材料质量达不到器件水平和P型掺杂问题没ZnOZnSeLEDLEDZnSe作用发出互补的黄光，从而形成白光光源。光材料，国家在根底争论方面应赐予重视。外延技术进展趋势：――改进两步法生长工艺6机比较成熟，20够。进展趋势是两个方向：一是开发可一次在反响室中装入更多个衬底外延生长，更加适合于规模化生产的技术，以降低本钱；另外一个方向是高度自动化的可重复性的单片设备。――氢化物汽相外延(HVPE)技术GaNGaNHVPEGaN料纯度的进一步提高。――选择性外延生长或侧向外延生长技术GaNGaN，再在其上沉积一层多晶态的SiO掩膜层，然后利用光刻和刻蚀技术，形成GaN窗口和掩膜层条。在随GaNSiO上。――悬空外延技术(Pendeo-epitaxy)承受这种方法可以大大削减由于衬底和外延层之间晶格失配和热失配引发的外延层中大量的晶格缺陷，从而进一步提高GaN外延层的晶体质量。首先在适宜的衬底上(6H-SiCSi)GaN进展选区刻蚀，始终深入到衬底。这样就形成了GaN/缓冲层/衬底的柱状构造GaNGaNGaNUVLEDLED可供UV光激发的高效荧光粉很多，其发光效率比目前使用的YAG：Ce体系高LED――开发多量子阱型芯片技术多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中，掺杂不同的杂质以制造构造高发光效率，可降低本钱，降低包