集成电路版图设计全解课件

Full-custom设计系统环境完整的Full-custom设计环境包含设计资料库-CadenceDesignFrameworkII-电路编辑环境-Texteditor/Schematiceditor–电路仿真工具–Spice/ADS/Spectre–版图设计工具-Cadencevirtuoso/(Ledit)–版图验证工具–Diva/Assura/Calibre/dracula系统环境–工作站与unix-based操作系统–PC与windows操作系统（非主流）1Full-custom设计系统环境完整的Full-custo与Cadence有关的几个重要文件.cshrcshell环境设定执行档.cdsinitCadence环境设定档cds.libCadence环境资料库路径设定档display.drfCadenceLayouteditor颜色图样设定档Technologyfile包含与工艺相关的参数2与Cadence有关的几个重要文件23344原理图编辑与仿真流程1.建库2.建底层单元3.电路图输入4.设置电路元件属性5.Check&Save6.生成symbol5原理图编辑与仿真流程5

一、建立自己的library,cell和viewLibrary 自己将要设计的版图所要存放的库Cell设计的每一模块单元View 单元的格式，有schematic,symbol,layout等1.建库61.建库6在自己的目录下启动Cadence:icfb&选择CIW中的菜单：File->New->Library…指定库名、路径和工艺文件或直接利用前面已经建好的library:lab7788991010111112121313新建一个库文件2.创建基本单元14新建一个库文件2.创建基本单元14库名定义为mydesign1，然后连接到所需要的库中(gpdk)15库名定义为mydesign1，然后连接到所需要的库中(gpd选择CIW中的File->New->CellView…

选择libraryname:

输入cellname:inverter

选择Tool:Composer-schematic，这时Viewname自动变为:schematic

按OK进入schematiceditor16选择CIW中的File->New-16新建一个cell，用来制作反相器17新建一个cell，用来制作反相器1718183.电路图输入193.电路图输入19利用Add-instance添加元件，添加一个pmos20利用Add-instance添加元件，添加一个pmos20修改长度为350nm，宽为1um21修改长度为350nm，宽为1um21同样生成一个nmos，长350nm，宽500nm22同样生成一个nmos，长350nm，宽500nm224.定义元件属性234.定义元件属性232424Wire连接单击wire(narrow)按钮鼠标单击选中起始点；再点击鼠标选中第二点；双击——画出终点；Wire(wide)的绘制方法与此相同，二者无本质区别。25Wire连接单击wire(narrow)按钮25添加wirename点击wirename按钮输入节点名点击目标wire，放置Wirename相当于给节点命名，同名节点被认为是一个电气节点。26添加wirename点击wirename按钮26基本编辑操作复制/移动：点击工具栏复制/移动按钮或按“c”/“m”；–单击操作对象，该对象就会粘到鼠标指针上，如果想把几个对象作为一个整体一起移动，则要先选中所有操作对象；再次单击一下鼠标，放置对象。

删除：

点击delete按钮或按“d”，

选中要删除的对象；27基本编辑操作复制/移动：27基本编辑操作Undo：点击Undo按钮或按“u”；

改变编辑模式：在按过功能按钮后系统会保持相应的编辑状态，因此可以连续操作。

模式切换：按其它按钮退出当前模式：按Esc键。

查看、更改属性：点击”Instanceproperties”按钮或按“q”28基本编辑操作Undo：点击Undo按钮或按“u”；28生成以后进行连线，添加IO口之后得到如下图29生成以后进行连线，添加IO口之后得到如下图295.电路检查与保存点击check&save按钮错误内容：CIW窗口会显示错误说明。常见的错误有：节点悬空、输出短路、输入开路305.电路检查与保存点击check&save按钮306.自动创建symbol选择COMPOSER的菜单：Design->CreateCellview->FromCellview…弹出窗口中已自动设置好library:cellview，检查无误OK316.自动创建symbol选择COMPOSER的菜单：Des自动创建symbol设置PIN的名字和位置32自动创建symbol设置PIN的名字和位置32修改symbolview33修改symbolview33二版图编辑与验证–建新的designlibrary：lab•点击FileÆnewÆlibrary弹出newlibrary窗口•在name框键lab，右边选attachtoanexistingtechfile•在弹出的窗口中选工艺库:chrt35rf–在lab下建立一个cellview：inv:layout•点击FileÆnewÆcellview弹出createnewfile窗口•Libraryname:lab;cellname:inv;tool:选virtuoso1.新建一个library/cell/view34二版图编辑与验证–建新的designlibrary：l进入XL进行编辑35进入XL进行编辑353636在virtuoso中使用genfromsource命令生成器件，IO口修改为第一层金属，然后apply37在virtuoso中使用genfromsource命令生3838点OK之后出现下图进行display设置39点OK之后出现下图进行display设置39修改displaylevels和单元间距然后就可以对器件进行放置，连线等OK40修改displaylevels和单元间距然后就可以对器设置一个命令，此后每当你选择一个命令之后都会弹出一个菜单，根据需要可以修改相应的参数。41设置一个命令，此后每当你选择一个命令之后都会弹出41使用path命令弹出一个菜单，要连接栅极选择GT，修改宽度0.3542使用path命令弹出一个菜单，要连接栅极42点击要连线的地方：43点击要连线的地方：43最后得到的反相器版图44最后得到的反相器版图442.版图编辑操作选取版图的层–矩形(recangle)、线(path)–标尺(ruler)的使用–图形尺寸调整(stretch)–图形的移动和旋转–图形的复制，删除–图形属性修改452.版图编辑操作选取版图的层45版图编辑操作图形的合并(merge)–加contact（四种，三种接触孔，一种过孔）–定义multipath–加Pin–调用已画单元(cell)–注意热键的使用–注意ESC的使用46版图编辑操作图形的合并(merge)46f:全景图ctrl＋z：放大shift＋z：缩小shift＋f：详细版图（非symbol）u：undow：上一界面i：调用器件q：看属性r：画矩形

p：固定长度的可折线l：lable标注端口、电源、地等。所标识的金属层，用该层TEXT层标识。如，M6层金属则选择M6TEXT层。

s:拉伸收缩

Shift＋C：把线断开（注意：先选中线，再操作）

Shift＋M:merge（同上，先选中线）

k：标尺

shift＋k：取消标尺shift+x:进入调用器件的下层shift＋b：返回上层在ICFB窗口的OPTIONS里选择USERPREFERENCES，改变undo次数。47f:全景图ctrl＋z：放大shift＋z3.版图验证由于加工过程中的一些偏差，版图设计需满足工艺厂商提供的设计规则要求，以保证功能正确和一定的成品率–DRC：Designrulecheck483.版图验证48作业1建立一个工作目录，姓名学号简称，然后进入该工作目录2将display.drf拷到工作目录下。3用Vi编写cds.lib加入INCLUDE4启动ic51415在工作目录下新建一个库并用gpdk工艺,用最小尺寸做一个cell名为inv,画一个反相器6生成symbol7再做一个cell为