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文档简介

与非门的逻辑功能:输入有“0”,输出为“1”

输入全为“1”,输出才为“0”F1=AB或非门的逻辑功能:输入有“1”,输出为“0”

输入全为“0”,输出才为“1”F2=A+B问题的提出与非门的逻辑功能:F1=AB或非门的逻辑功能:F2=A+B问1?内部电路是什么样的,如何实现相应的逻辑功能?内部电路不同,逻辑功能相同,如何正确使用??异或门的逻辑功能:输入相同,输出为“0”

输入不同,输出为“1”ABF=1F=A

B问题的提出?内部电路是什么样的,如何实现相应的逻辑功能?内部电路不同,2本章的教学目标■理解CMOS门电路结构与工作原理■掌握CMOS门电路外特性,正确使用CMOS门电路■理解TTL门电路结构与工作原理■掌握TTL门电路外特性,正确使用TTL门电路本章的教学目标■理解CMOS门电路结构与工作原理■理解T3门电路的分类集成逻辑门双极型集成逻辑门MOS集成逻辑门按制造工艺分PMOSNMOSCMOS按集成度分SSI(<

10个等效门)MSI(<100个等效门)LSI(<104个等效门)VLSI(>104个以上等效门)TTL、ECLI2L、HTL门电路的分类集双极型集成逻辑门MOS集成逻辑门按制造工艺分P4§2.1CMOS门电路MOS管的开关特性CMOS反相器CMOS与非门和或非门CMOS门电路的电气特性CMOS传输门改进型CMOS门电路§2.1CMOS门电路MOS管的开关特性CMOS反相器C5MOS管的开关特性

MOS管又称为绝缘栅型场效应三极管(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransisteor,MOSFET)

MOS管分为N沟道MOS管(NMOS)和P沟道MOS管(PMOS),它们的工作原理基本相同。MOS管的开关特性MOS管又称为绝缘栅型场效应三6

取一块P型半导体作为衬底,用B表示。

用氧化工艺生成一层SiO2薄膜绝缘层。

用光刻工艺腐蚀出两个孔。

扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。(绿色部分)

从N型区引出电极,一个是漏极D,一个是源极S。

在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。NMOS管的结构和符号取一块P型半导体作为衬底,用B表示。7

1.vDS=0,vGS>0

vGS>0将在绝缘层产生电场,该电场将SiO2绝缘层下方的空穴推走,同时将衬底的电子吸引到下方,形成导电沟道。反型层产生有漏极电流ID。这说明vGS对ID的控制作用。MOS管的工作原理

2.vDS>0,vGS>0思考:何谓反型层?何谓开启电压?1.vDS=0,vGS>0vGS>0将在8NMOS管和PMOS管的通断条件NMOS当vGS>VTN时导通当vGS<VTN时截止PMOS当∣vGS∣>VTP时导通

当∣vGS∣<VTP时截止

NMOS管和PMOS管的通断条件NMOS当vGS>VTN时导9

(1)当vGS=0时,rds可达到106Ω。当vGS增加时,rds减小,最小可达到10Ω左右,因此,MOS管可看成由电压控制的电阻。(2)MOS管的门极有非常高的输入阻抗。MOS管的电路模型(1)当vGS=0时,rds可达到106Ω。当vGS10

CMOS反相器的电路结构CMOS反相器漏极相连做输出端PMOSNMOS柵极相连做输入端CMOS反相器的电路结构CMOS反相器漏极相连做输出端11

CMOS非门的工作原理CMOS反相器如果将0V定义为0,逻辑VDD定义为逻辑1,将实现逻辑“非”功能。1.当vI=0V时,vGSN=0V,VTN截止,∣vGSP∣=VDD

,VTP导通,vO≈VDD,门电路输出输出高电平;2.当vI=VDD时,VGSN=VDD

,VTN导通,∣VGSP∣=0V,VTP截止,vO≈0V,门电路输出低电平。CMOS非门的工作原理CMOS反相器如12

CMOS与非门CMOS或非门和与非门00通通止止1CMOS与非门CMOS或非门和与非门00通通止止113CMOS或非门和与非门止止100通通

CMOS二输入或非门CMOS或非门和与非门止止100通通CMOS二输入或非门14思考题

CMOS门电路结构上有什么特点?如何分析CMOS门电路的逻辑功能?思考题CMOS门电路结构上有什么特点?如何分析C151.电压传输特性用来描述输入电压和输出电压关系的曲线,就称为门电路的电压传输特性。

V2vIvOV11CMOS门电路的电气特性测量电路vI/V5.03.51.5AB5.00CDvO/V1.电压传输特性用来描述输入电压和输出电压关16AB段:vI≤1.5V,VTN截止,VTP导通,输出电压vO≈VDD

CD段:vI≥3.5V,VTN导通,VTP截止,输出电压vO≈0V

BC段:1.5V≤vI≤3.5V,VTP、VTN均导通。当vI=VDD/2时,VTP和VTN

导通程度相当。CMOS门电路的电气特性vI/V5.03.51.5AB5.00CDvO/VAB段:vI≤1.5V,VTN截止,VTP导通,输出电压17AB段:VTN管截止,电阻非常大,所以流过VTN和VTP管的漏极电流几乎为0。

CD段:VTP管截止,电阻非常大,所以流过VTN和VTP管的漏极电流也几乎为0。

BC段:两个管均导通,电阻很小,所以流过VTN和VTP管的漏极电流也很大。

CMOS门电路的电气特性动态尖峰电流

AB段:VTN管截止,电阻非常大,所以流过VTN和VTP管的18CD4000系列门电路的极限参数(VDD=5V)◆输出高电平电压VOH

,VOH(min)=VDD-0.1V◆

输出低电平电压VOL

,VOL(max)=0.1V◆

输入高电平电压VIH

,VIH(min)=70%VDD◆

输入低电平电压VIL,VIL(max)=30%VDD◆

阈值电压VTH=1/2VDDCMOS门电路的电气特性CD4000系列门电路的极限参数(VDD=5V)◆输出19噪声容限

低电平噪声容限高电平噪声容限CMOS门电路的电气特性VNL=VIL(max)-VOL(max)VNH=VOH(min)-VIH(min)G111G2VOL(max)VIH(min)VOH(min)VIL(max)噪声容限低电平噪声容限高电平噪声容限CMOS门电路的电气特20VNL=VIL(max)-VOL(max)=1.5V-0.1V=1.4V

CMOS门电路的电气特性例:某集成电路芯片,查手册知其最大输出低电平VOL(max)=0.1V,最大输入低电平VIL(max)=1.5V,最小输出高电平VOH(max)=4.9V,最小输入高电平VIH(max)=3.5V,则其低电平噪声容限VNL=

。(1)2.0V(2)1.4V(3)1.6V(4)1.2V

VNL=VIL(max)-VOL(max)=1.5V-0.1212.静态输入特性

CMOS门电路的输入阻抗非常大。

优点:几乎不吸收电流。一般来说,高电平输入电流IIH≤1µA,低电平输入电流IIL≤1µA。

缺点:容易接收干扰甚至损坏门电路。

措施:输入级一般都加了保护电路。

CMOS门电路的电气特性2.静态输入特性CMOS门电路的输入阻抗非常大。优点:223.静态输出特性

当门电路输出低电平时

结论:灌电流(sinkingcurrent)负载提高了低电平输出电压VOL。

IOL:参数由厂商提供,对于CD4011,当VDD=5V,VO=0.4V时,IOL(min)

=0.44mACMOS门电路的电气特性3.静态输出特性当门电路输出低电平时结论:灌电流(s23

当门电路输出高电平时

结论:拉电流(sourcingcurrent)负载降低了高电平输出电压VOH。

CMOS门电路的电气特性IOH:参数由厂商提供,对于CD4011,当VDD=5V,VO=4.6V时,IOHmin=0.44mA当门电路输出高电平时结论:拉电流(sourcingc24

扇出系数

CMOS门电路的电气特性低电平时扇出系数:高电平时扇出系数:扇出系数CMOS门电路的电气特性低电平时扇出系数:高电25

传输延迟时间(PopagationDelay)

平均传输延迟时间

CMOS门电路的电气特性tPHLtPLHvIvO4.动态特性

传输延迟时间(PopagationDelay)平均26

动态功耗

CMOS门电路的静态功耗非常低。CMOS门电路的电气特性(1)由负载电容产生的动态功耗动态功耗CMOS门电路的静态功耗非常低。CMOS门电27

动态功耗

CMOS门电路的电气特性(2)由动态尖峰电流产生的瞬时动态功耗(3)总的动态功耗动态功耗CMOS门电路的电气特性(2)由动态尖峰电流产28CMOS电路的特点1.功耗小:CMOS门工作时,总是一管导通另一管截止,因而几乎不由电源吸取电流其功耗极小;2.CMOS集成电路功耗低内部发热量小,集成度可大大提高;

3.抗幅射能力强,MOS管是多数载流子工作,射线辐射对多数载流子浓度影响不大;4.电压范围宽:CMOS门电路输出高电平VOH≈VDD,低电平VOL≈0V;5.输出驱动电流比较大:扇出能力较大,一般可以大于50;6.在使用和存放时应注意静电屏蔽,焊接时电烙铁应接地良好。CMOS电路的特点1.功耗小:CMOS门工作时,总是一管导29电路结构和工作原理:当C为低电平时,VTN、VTP截止,传输门断开;

当C为高电平时,VTN、VTP中至少有一只管子导通,使vO=vI,传输门接通。

传输门相当于一个理想的开关,且是一个双向开关。CMOS传输门电路结构和工作原理:当C为低电平时,VTN、VTP截止,传30(1)构成组合逻辑电路CMOS传输门当S=0时,Z=X;当S=1时,Z=Y。为2选1数据选择器。

传输门的应用:(1)构成组合逻辑电路CMOS传输门当S=0时,Z=X;当S31(2)构成模拟开关CMOS传输门控制模拟信号传输的一种电子开关,通与断是由数字信号控制的。(2)构成模拟开关CMOS传输门控制模拟信号传输的一32改进型CMOS门电路CMOS门电路几种常见系列:(1)CD4000系列:基本系列,速度较慢(2)74HC系列:速度比CD4000系列提高近10倍(3)74HCT系列:与LSTTL门电路兼容(4)LVC系列:低电压系列(5)BiCMOS系列改进型CMOS门电路CMOS门电路几种常见系列:(1)CD433改进型CMOS门电路BiCMOS反相器当vI输入高电平时,VTN1、VTN2和VT2导通,VTP、VTN3和VT1截止,vO输出低电平。

当vI输入低电平时,VTP1、VTN3和VT1导通,VTN1、VTN2和VT2

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