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文档简介

电子理论根底学问-CAL-FENGHAI-(2023YEAR-YICAI)_JINGBIANDirectCurrent电压电位

高电位与低电位的电位差,方向是电位降的方向E 实际方向由电源内部的负极指向正极电路中任一点与参考点之间的电压

U=IR单位:伏特〔V〕电流和电压的实际方向总是全都的,或设为关联方向U=IR;当两者设为非关联的参考方向时,U=-IR功:正电荷Q〔=It〕a点通过Rb点。W=UQ=UIt=I2Rt=U2t∕R单位:焦耳〔J〕11度电:1kWh=1000瓦×3600秒=×106J功率:P=W∕t=UI=U2∕R=I2R单位:瓦〔W〕P﹥0组件吸取功率(电阻) P﹤0组件发出功率(电源)基尔霍夫电流定律KCL:任一瞬间,流入一个节点的电流总和等于从该节点流邮的电流总和。∑I=0 任一时刻,电路中节点处电流的代数和为零。基尔霍夫电压定律KVL:任一时刻,电路中任一回路,各段电压的代数和等于零。∑U=0 凡电压的参考方向与绕行方向全都时此电压前取正号,与绕行方向相反时此电压前取负号。∑IR=∑E任一回路,电阻电压降的代数和等于电动势的代数和。电动势参考方向与绕行方向全都时,前面取正号。电阻串联电路:通过串联电阻的电流是同一电流I,串联电阻两端的总电压等于各电阻上电压的代数和【串联分压】1 2 1 U=IR+IR+…+IRn R=R+R+…1 2 1 电阻并联电路:各并联电阻两端电压是同一电压U,总电流等于各并联电阻中电流的代数和【并联分流】I=U∕R+U∕R+…+U∕Rn R=R∥R∥…∥Rn 1∕R=1∕R+1∕R+…+1∕Rn1 2 1 2 1 2S 0 S UR串联组成。U=US 0 S 0 S S 在电压源内阻R=0抱负状况下,电源两端电压U≡U,该电压源称为恒压源,其输出电流I由外电路负载打算:I=U∕0 S S S S S I与高值内阻R并联组成。I=I-US S S S SL在电流源内阻RS=∞抱负状况下,输出电流I≡I﹐该电流源称为恒流源,其两端电压U由外电路负载打算:U=IS SLUs节点电压法:〔弥尔曼定理〕U=

∑R+∑Is∑1R分子∑(Us/R)+∑Is:各支路电压源与本支路电阻相除后的代数和,电源参考方向依以下规章:①恒流源流向节点时取正号②电动势正极指向节点时取正③恒压源与节点电压参考方向全都时取正号分母∑1/R:两节点之间各支路的恒压源为零(短路)后的电阻的倒数和,均为正值;但不计与恒流源串联的电阻:在线性电路中,如有多个线性独立电源同时作用时,则每一组件中的电流或电压等于各个独立源单独作用于该组件所产生的电流或电压的代数和。Us=0在电路中作短路处理;假设是电流源,则Is=0,在电路中作开路处理。戴维南定理:任何一个线性有源二端网络对外电路而言,可用一个电压源和电阻R0串联的电路等效代替。等效电压源的电动势E等于有源二端网络开路电压U0〔将负载开路〕;等效电压源的内阻R0等于有源二端网络除源后〔恒压源短路、恒流源开路〕所求得的无源二端网络的等效电阻。诺顿定理:任何一个线性有源二端网络对外电路而言,可用一个恒流源IS和电阻RS并联的电路来等效。等效电流源的恒流源IS的大小等于有源二端网络的短路电流〔将负载短路〕RS等于有源二端网络除源后〔恒压源短路、恒流源开路〕所得的无源二端网络的等效电阻。PL=IL2RL=(U02∕(R0+RL2RLPLmax=U02∕4R0=U02∕4RL﹐50﹪沟通电AlternatingCurrentmUmIm沟通电的参考方向设定为正半周时的方向。mUmImme=Esin(ωt+ψ)m

最大值(幅值):E、 、mmi=Isin(ωt+ψ)mm

正弦电流/电压的有效值是其幅值的1/(≈倍E=U= I=相位差:两个同频率的正弦沟通电在任何瞬时的相位之差。相位差Δψ=0°时,称为同相;相位差Δψ=180°时,称为反相

T 正弦量变化一次所需的时间 f 单位时间内正弦量重复变化的次数f=1/Tω沟通电在单位时间内变化的弧度 ψt=0时的相位角

单位:秒〔s〕单位赫兹〔Hz〕单位:弧度/秒〔rad/s〕 度×180°/π模r=a2b2幅角ψ=arctg(b∕a) 虚部b=rsinψ电阻R=ρl∕s 单位:欧姆〔Ω〕(ρ为电阻率(Ω·m)、l长度、s截面积)衡量一个电阻器是否线性的,应看它的电压-电流关系是否为线性函数一个二端电阻器,不管其电压值是多少,只要其电流值恒等于零,就称为开路。一个二端电阻器,不管其电流值是多少,只要其电压值恒等于零,就称为短路。电导G=1∕R 单位:西门子〔S〕(电阻的倒数称为电导)i=Cducdtu=1idtcC电容C=Q∕Uc=εS∕d 单位:法拉〔Fi=Cducdtu=1idtcCCX=1∕(ωC)=1∕(2πfC)单位:欧姆〔Ω〕CI=UωC 90º

P=0C无功功率Q=UI 位:乏〔var〕CC C C电容对于直流电路视作开路,起隔直作用。XC=1∕(2πfC=1∕0=∞Ω(f=0):“短路““开路“RC电路的充放电过程都需要肯定的时间才能完成,充放电时间在3-5τ以后,可认为充放电根本完毕充放电过程的快慢打算于电路本身的时间常数(τ=RC),而与其它的因素无关充放电过程中,VC、IC、UR均按指数规律变化依据电路规律列写电压、电流的微分方程,假设微分方程是一阶的,则该电路为一阶电路〔一阶电路中一般仅含一个储能元件。〕–CτCτ越大,过渡过t+所需要的时间越长C一阶微分电路通用方程: 流i(t)初始值f(0+):uc(0+)=uc(0-) iL(0+)=iL(0-)f(∞,C开路时间常数τRC求得;对于简单的电路,R”RLC串联电路消灭的谐振称为串联谐振,又称电压谐振。谐振条件:ωL-1/ωC=0ω0=1/(LC)电路串联谐振时,电流最大,谐振时电感器和电容器上的电压彼此相等但相位相反。Z=R+(XL-XC)=RRLC并联电路的谐振既称并联谐振,又称电流谐振。谐振条件:ωC-1/ωL=0 谐振频率:ω0=1/(LC)L=ψ∕i=NФ∕i=uSN2∕l单位:亨利〔H〕〔u介质磁导率(H∕m)、S截面、N匝数、l线圈长度〕u=-eu=-e=LLLdidtLLL感抗X=ωL=2πfL 单位:欧姆〔Ω〕LU=IX=IωL 90º

P=0L功率Q=UI 位:乏〔var〕LL L L LL电感线圈对于直流电路,相当于短路组件。X=2πfL=0Ω(f=0)LR L R、电感LC组件串联的沟通电路:电压U=U2+(U-U)2R L 212阻抗 =+2=+XX2ω-LCωCLC·复阻抗·=+jX-X=∠ψI L RU-UR

X-X Q阻抗角ψ=arctg

LUg =gC PX=X=XL-X C假设X<0,则ψ<0,电压滞后电流ψ角,电路呈阻容性假设X=0,则ψ=0,电压与电流同相,电路呈阻性X>0时ψ=90°X<0时ψ=-90°有功功率P=UIcosψ (单位:W)无功功率Q=UIsinψ=QL QC (单位:var)-视在功率S=UI (单位:VA)R、电感LC组件并联的沟通电路:求阻抗:先求各分支电流,再求总电流,然后用电压除以总电流得出阻抗。半导体SemiconductorPositive正的,阳的:导电时以空穴(带正电荷)载流子为主,又称空穴型半导体。Negative负的,阴的:导电时以自由电子为主,又称电子型半导体。PN结:利用特别掺杂工艺,在一块芯片上两边分别生成NPPN结。PN结根本特性:单向导电性,抱负状况下,导通压降≈0。正偏:P区接电源正极,N区接电源负极。反偏:P区接电源负极,N区接电源正极。反偏时,抱负状况下,PN结的反向电阻≈∞。结加上相应电极和引线及管壳封装而成。电路连接极性:PN结正偏。最大整流电流IDM:允许流过二极管的最大正向平均电流。反向工作峰值电压URWM:保证二极管不被反向击穿,一般为反向击穿电压的1∕3~1∕2反向工作峰值电流IRM:二极管加上反向工作峰值电压时的反向饱和电流。IRM愈小管子单向导电性愈好。Dz:工作在反向击穿状态。当Iz在较大范围内变化时,管子两端电压Uz却根本保持不变,具有恒压性。稳压管只有与限流电阻串联接入整流电路才能起到稳压作用。CBIbβIbCBIbβIbCCBBENPN型E微变等效电路EPNP型在一块半导体基片上,用特别工艺生成两个PN结:放射结、集电结。PN结将基片分为三个区域:放射区、基区、集电区。EmissionBaseCollect掺杂浓度:放射区高于集电区,远高于基区。掌握方式:较小的基极电流IB掌握较大的集电极电流IC。工作原理:在基极放射极加正向电压,放射区的空穴〔电子〕多子快速集中到基区,由于基区格外微薄且电子〔空穴〕多子浓度低,进入基区的空穴〔电子〕被复合的时机很少;在基极集电极加较大的反向电压,集电结处形成较厚的内电场,在集电结较厚的内电场作用下,空穴〔电子〕很快运动到集电结的边缘,进入内电场区域,被收集(飘移)到集电区。基极电压U ≦0BEBECE BE>U基极电压U ≦0BEBECE BE>UPN结状况放射结反偏,集电结反偏状态饱和I=0 I=IBC CBO说明≈0U≧UI=βI ICB C几乎与UCE大小无关U≧0BEU≦UCE BEIB增大时,IC几乎不再增大应用范围数字电路数字电路I=βI

I=I+I

=(1+β)IC B E C B Bbe 晶体管输入电阻r=300Ω+(1+β)×26(mV)∕I(mA) be 晶体管极限参数:集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许损耗功率PCM、反向击穿电压U(BR)CEO①I﹤I

②P =UI ③E≤~UC CM

CM CECM

(BR)CEOPCM25℃下测得的。Transistor场效应管的栅极与漏、源极及半导体绝缘,故名绝缘栅场效应管;因构造上有金属、氧化物和半导体,所以又叫MOS管。MOSFET只有一种极性的载流子参与导电,故称单极型晶体管。D掌握方式:栅源间电压UGS掌握漏、源间电流I。〔漏、源极可互换〕D工作原理:利用栅、源间电压UGS的外加电场在衬底中感应电荷来形成或复合漏、源间的导电沟道,使导电沟道变宽沟通或变窄夹断,从而掌握漏、源间的电流ID导电沟道越宽,则沟道电阻越小,ID就越大。耗尽型:存在原始导电沟,当加上直流电压U 后,漏、源间有电流I。DS D加上直流电压UGSUGS>UGS(off)﹐原始导电沟在外电场作用下耗尽而夹断,此时,ID≈0。增加型:当UGS=0时,管中不存在原始导电沟道,因而当漏、源间加上直流电压UDS时,ID=0。只有当UGSUGS>UGS(th)﹐在外电场作用下沟通漏、源间的导通沟道,电路中才有ID。MOS管的衬底引出一电极,使用时通常将衬底与源极连在一起。沟道指向原则:N沟道(流出P沟道)﹐电流I流向与沟道全都。DG耗尽型栅源间电压UGS极性可任意,一般与沟通(P+N-)UGS极性UDS全都。GGDID DGG

D IDSNMOS管

S微变等效电路

SNMOS管=0=0时的漏极电流·饱和漏极电流IDSSUGSMOSFETUGS=0UDS﹥0开关条件耗尽型IDU应用范围I﹥0D夹断:U﹥UGS GS(off)I=ID DSS(1-GSU)2模拟电路GS(off)增加型ID=0开启:U﹥UGS GS(th)I=U ( -1)2UGSDDSSUGS(th)数字电路

>109Ω〔输入电阻很高〕GS

的微小变量与由它引起的i

的微小变量之比。g

diDm DS gs

D

=常数单位:西门子〔S〕P U P U DM DS D

m dugsDS注:存放时,使三个电极短路;取管子时,应留意人体静电;焊接时,烙铁要良好接地且去掉电源;电路中,应使栅源间有直流通路。根本放大电路IB太高,会产生饱和失真,即输出波形的负半周(下半局部)产生非线性失真。IB太低,会产生截止失真,即输出波形的正半周(上半局部)产生非线性失真。微变电路①②直流电源对沟通短路③电容对沟通短路r 计算根本放大电路的输入电阻、输出电阻 时,先r i or r i Sr r o L共射极放大电路基极偏置电阻RB一般为几十千欧到几百千欧。r B be 输入电阻〔低〕ri=R∥r≈rr B be o CQ I V U R V R I I I I U V IR静态工作点Q I V U R V R I I I I U V IRB CC BE B CC B C B CEO B CE CC CCR共射极放大电路的输出电压与输入电压的相位反相。电压放大倍数=-βRu L be共集电极放大电路———射极输出器i B be 输入电阻〔高〕r=R∥[r+(1+β)R]i B be

)∕

时,r≈r

∕β,一般为几十欧到几百欧。SSo态工作点:IBRB+UBE+IERE=VCC IE=〔1+β〕IB≈IC UCE=VCC-IERESSo射极输出器的输出电压与输入电压大小根本相等且相位同相。电压放大倍数Au=(1+β)RL∕(rbe(1+β)RL)≈1且<1仅对差模信号进展放大。共模输入信号:两个输入信号大小相等,极性一样,即ui1=ui2差模输入信号:两个输入信号大小相等,极性相反,即ui1=-ui2任意输入信号可以分解为一对共模信号uc和一对差模信号ud的组合:ui1=ud+ucui2=-ud+uc典型差动放大电路的共模反响电阻RE对差模信号而言,几乎没有影响,可视为短路。共模抑制比KCMR=20lg∣Aud∕Auc∣〔dB〕抱负状况下,共模抑制比为无穷大。集成运放电路(电路构造:一个具有高开环放大倍数的多级直接耦合放大电路)识别双列直插式组件的引脚时,将组件正面放置,引脚朝下,正面的半圆记号应在左侧,从左下角开头各引脚按逆时针方向挨次排列。抱负集成运放的条件和分析公式:A 抱负条件:①开环差模电压放倍数 =∞ ②差模输入电阻A u0 idu输出电压u0

受控两个输入端电位差 =uA0 u0uA

(u-u);+ -集成运放工作在线性区:〔在闭环状态下引入深度负反响〕uA由于 为线性区的有限值且uA0

=∞,u=u+ -+ u=u 两者同电位,可作短路处理,但不是真正的短路,称为+ + u=u=0两个输入端只要有一个取得地电位〔0〕,则另一个虽无接地但也马上取得地电位,称为虚地+ r=∞,iii=i

=0(两个输入电流均为零,但不允许与输入端断开,称为虚断)id + - + -〔工作在开环状况下〕r

=i=0id+-+-

++-+-

-UO=UO(sat)(正向饱和输出电压)(对于数字电路为高电平:UOH)

UO=UO(sat)(负向饱和输出电压)(对于数字电路为低电平:UOL)+ -+-u-u+-

+ +-=0u=u+-

UO发生突变的时刻。此时的电压值,即为门限电压U。T〔工作在正反响状况下〕正反响自激振荡条件:Uf=UiAF=1TBA幅度平衡:∣A∣·∣F∣=1 相位平衡:ψ+ψ=2π×n(n为自然数)BA振荡器必需在起振过程中满足∣A∣·∣F∣>1LC〕0RCf=1∕〔2πRC〕LC〕00LCf=1∕〔2π0

用作高频振荡器正负反响类型判别:在放大电路的输入端,假设一个输入信号对地的极性,用“+”、“-”表示。按信号传输方向依次推断相关点的瞬时极性,直至推断出反响信号的瞬时极性。假设反响信号的瞬时极性使净输入减小,则为负反响;反之为正反响反响信号和输入信号加于输入回路一点时,瞬时极性一样的为正反响,瞬时极性相反的是负反响。反响信号和输入信号加于输入回路两点时,瞬时极性一样的为负反响,瞬时极性相反的是正反响。瞬时极性都是指对地而言;对三极管来说这两点是基极和放射极,对运算放大器来说是同相输入端和反相输入端。AA=Af=开环放大倍数闭环放大倍数F=AF=反响系数环路放大倍数Af=输出∕输入=输出∕(反响+净输入=输出∕(AF×净输入+净输入)=(输出∕净输入)∕(1+AF=A∕(1+AF)=|A|∕|Af|1+|A|×|F|>>1时,称为深度负反响,|Af|=|A|∕(1+|A|×|F|)≈1∕|F|〔dAf∕Af〕=1∕(1+|A|×|F|)×〔dA∕A〕短路法直观法短路法直观法Uo=0,假设反响信号消逝为电压反响;否则为电流反响。将三极管输入内阻rbe短路,假设反响信号消逝为并联反响;否则为串联反响。反响信号与输出信号引自同一端为电压反响;否则为电流反响。反响信号与输入信号引自同一端为并联反响;否则为串联反响。直流负反响的作用:稳定放大电路的静态工作点。沟通负反响影响放大器性能:降低了放大倍数、提高了放大倍数的稳定性、减小了非线性失真、展宽了通频频带·串联负反响提高输入电阻并联负反响降低输入电阻电流负反响提高输出电阻电压负反响降低输出电阻

信号源由低内阻的电压源供给输入信号,可取得满足的反响效果。信号源由高内阻的电流源供给输入信号,可取得满足的反响效果。并稳定输出电流并稳定

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