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第第页半导体制造工艺解析WCMP是（电子）束（检测）应用最重要的一层，这一层的功能主要体现在：可以使（工程师）遇到器件的漏电和接触不良问题。EBI的应用可以帮助提升成品率，减少（半导体）（ic）t技术开发的周期，并缩短提高成品率所需的时间。

下图显示了金属1单镶嵌工艺铜互连技术。硅氮化碳(SiCN)是一种致密材料，它可以用于代替氮化硅作为阻隔层防止铜扩散，在铜互连工艺中也可以作为刻蚀停止层(ESL)。与硅氮化物k=7~8)相比，SiCN具有较低的电介质常数k=4〜5),因此，使用SiCN可以降低ILD层的整体介质常数。最常用的低％电介质材料是PECVD

SiCOH,它被广泛用于互连工艺。阻挡层和铜籽晶层使用PVDI艺沉积，通常使用离化金属的等离子体提高底部的覆盖。由于低k电介质的（机械）强度比硅酸盐玻璃小，因此具有低k电介质的铜CMP过程向下的研磨力要低于使用USG或FSG材料。金属1

CMP后，测试结构中首先进行电特性测量。微小的探针接触测试结构的探针接触区，并利用电压或（电流）测试器件的电性能。为了避免铜氧化降低成品率，铜CMP和覆盖层沉积之间有一个时间限制，所以利用（光学）检测和电子束检测系统进行缺陷的检测通常在覆盖层沉积后进行。

双镶嵌工艺通常用于铜金属化，需要两次介质刻蚀过程。至少有三种不同的方法形成双镶嵌铜金属化工艺需要的带孔槽。一种方法是首先刻蚀沟槽，然后刻蚀通孔(见下图)。另一种方法是埋硬掩膜，首先通过刻蚀通孔并停止于刻蚀停止层，然后用沟槽掩膜同时形成通孔和沟槽(见下图所示)。下图显示了先沟槽形成方法。先通孔和先沟槽这两种工艺都被用于IC制造中的铜金属化制程。

低左电介质刻蚀工艺中，刻蚀停止层通过等离子体中刻蚀副（产品）发射的光（信号）定义通孔和沟槽的深度。使用F/O可以刻蚀PE-（TE）OSUSG和SiCN。对于埋硬掩膜双镶嵌刻蚀(见下图所示),需要低k电介质对SiCN的高选择性。

钽(Ta)、氮化钽(TaN)以及二者的结合，可以用于铜阻挡层以防止铜通过介电层扩散到硅衬底中，这种扩散可能会毁坏（晶体管）。利用铜籽晶层进行化学电镀(ECP)大量的铜去填充狭窄的沟槽和通孔。铜籽晶层沉积后马上电镀大量的铜非常重要，因为即使在室温条件下，铜也可以迅速自退火。退火后的铜籽晶层有较大的晶粒尺寸和粗糙表面，从而在ECP过程中导致沟槽和通孔内产生空洞，并使成品率下降。

电镀铜后，在约250摄氏度的炉中退火以增加晶粒尺寸并降低（电阻）率。当Cu和Ta通过CMP工艺从晶圆表面去除后，仅仅在沟槽和通孔中留下金属形成互连线。通常利用晶圆表面的反射率判断金属CMP工艺的终点，

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