逆变器电路图分享 基于PWM IC TL494的逆变器电路设计

第第页逆变器电路图分享基于PWMICTL494的逆变器电路设计非常简单但高度复杂的修正正弦波（逆变器）电路。PWM（IC）TL494的使用不仅使设计的部件数量极其经济，而且高效且准确。

使用TL494进行设计

ICTL494是一款专用PWMIC，其设计非常适合需要基于PWM的精确输出的所有类型的电路。

该（芯片）内置了生成精确PWM所需的所有功能，这些功能可根据用户应用规范进行定制。

在这里，我们讨论一种基于通用PWM的修正正弦波逆变器电路，该电路集成了ICTL494，用于所需的高级PWM处理。

参考上图，可以通过以下几点来了解实现PWM逆变器操作的IC的各种引脚功能：

ICTL494的引脚排列功能

引脚#10和引脚#9是IC的两个输出，它们被布置为串联或图腾柱配置工作，这意味着两个引脚永远不会一起变为正电压，而是会从正电压交替振荡到零电压，即当引脚#10为正极，引脚#9将读取零伏，反之亦然。

通过将引脚#13与引脚#14连接，使IC能够产生上述图腾柱输出，引脚#14是IC设置为+5V的参考电压输出引脚。

因此，只要13号引脚配备了+5V基准，它就允许IC产生交替开关输出，但如果13号引脚接地，则IC的输出被迫以并行模式（单端模式）切换，这意味着两个输出引脚10/9将开始一起切换，而不是交替切换。

IC的引脚12是IC的（电源）引脚，可以看到它通过一个10欧姆（电阻器）连接到电池，该（电阻）器可以滤除IC任何可能的尖峰或开关浪涌。

引脚#7是IC的主接地，而引脚#4和引脚#16出于某些特定目的而接地。

（Pi）n#4是IC的DTC或死区时间控制引脚，它决定IC两个输出的死区时间或开关ON周期之间的间隙。

默认情况下，它必须接地，以便IC生成“死区时间”的最小周期，但是为了实现更高的死区时间周期，可以为该引脚提供0至3.3V的外部变化电压，从而允许线性死区时间从0%到100%可控。

Pin#5和pin#6是IC的频率引脚，必须与外部Rt、Ct（电阻器、（电容器））（网络）连接，以设置IC输出引脚的所需频率。

可以改变两者中的任何一个来调整所需的频率，在所提出的PWM改进逆变器电路中，我们采用可变电阻器来实现相同的功能。用户可以根据要求在IC的引脚9/10上进行调整，以实现50Hz或60Hz频率。

ICTL494具有内部设置为误差（放大器）的双（运算放大器）网络，其定位是根据应用规范来校正和调整输出开关占空比或PWM，以便输出产生准确的PWM并确保完美的（RMS）定制输出级。

误差放大器功能

误差放大器的输入配置为一个误差放大器的引脚15和引脚16，以及第二个误差放大器的引脚1和引脚2。

通常，只有一个误差放大器用于自动PWM设置，而另一个误差放大器保持休眠状态。

从图中可以看出，通过将同相引脚16接地并通过引脚14将反相引脚15连接到+5V，可以使引脚15和引脚16输入的误差放大器处于非活动状态。

因此，在内部，与上述引脚相关的误差放大器保持不活动状态。

然而，以引脚1和引脚2作为输入的误差放大器在这里有效地用于PWM校正实现。

该图显示，误差放大器的同相输入引脚1通过使用（电位器）的可调分压器连接到5V参考引脚#14。

反相输入与IC的引脚3（反馈引脚）连接，该引脚实际上是误差放大器的输出，并使IC的引脚1形成反馈环路。

上述pin1/2/3配置允许通过调整pin#1电位器来准确设置输出PWM。

这就是所讨论的使用ICTL494的改进正弦波逆变器的主要引脚排列实施指南。

逆变器的输出功率级

现在，对于输出功率级，我们可以想象正在使用的几个（MOSFET），由缓冲器BJT推挽级驱动。

BJT级通过为MOSFET提供最小的杂散电感问题以及FET内部（电容）的快速放电，确保为MOSFET提供理想的开关平台。串联栅极电阻器可防止任何试图进入FET的瞬变，从而确保操作完全安全且高效。

MOSFET漏极与电源变压器连接，如果逆变器电池额定电压为12V，电源变压器可以是普通铁芯变压器，初级配置为9-0-9V，次级可以根据用户国家规格为220V或120V。

逆变器的功率基本上由变压器瓦数和电池AH容量决定，可以根据个人选择改变这些参数。

使用铁氧体变压器

为了制作紧凑型PWM正弦波逆变器，可以用铁氧体磁芯变压器代替铁芯变压器。其缠绕细节如下：

采用超级漆包铜线：

主要：缠绕5x5匝中心抽头，使用4毫米（两根2毫米线平行缠绕）

次级：缠绕200至300圈0.5毫米

磁芯：任何能够舒适地容纳这些绕组的合适的EE磁芯。

TL494全桥逆变电路

以下设计可用于使用ICTL494制作全桥或H桥逆变器电路。

可以看出，p沟道和n沟道MOSFET的组合用于创建全桥网络，这使得事情变得相当简单，并且避免了复杂的自举电容器网络，而复杂的自举电容器网络通常对于仅具有n沟道MOSFET的全桥逆变器来说是必需的。

然而，在高侧采用p沟道MOSFET，在低侧采用n沟道MOSFET，使得设计容易出现击穿问题。

为了避免击穿，必须使用ICTL494确保足够的死区时间，从而防止出现这种情况的任何可能性。

IC4093门用于保证全桥导通两侧的完美隔离，以及变压器初级的正确切换。（仿真）结果

TL494带反馈逆变器

下图显示了使用ICTL494的非常简单但准确且稳定的逆变器电路。

该逆变器包括一个用于自动输出电压校正的反馈（控制系统），应用于IC的误差放大器引脚1。