GB/T 6616-2023半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法

ICS77040

CCSH.21

中华人民共和国国家标准

GB/T6616—2023

代替GB/T6616—2009

半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层

电阻的测试非接触涡流法

Testmethodforresistivityofsemiconductorwafersandsheetresistanceof

semiconductorfilms—Noncontacteddy-currentgauge

2023-08-06发布2024-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T6616—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6616—2009《》,

与相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

GB/T6616—2009,,:

更改了范围见第章年版的第章

a)(1,20091);

更改了干扰因素见第章版的第章

b)(5,20095);

更改了试验条件见第章年版的

c)(6,20096.1);

更改了标准片和参考片的要求见年版的

d)(8.1、8.2、8.3,20094.2);

增加了样品的要求见

e)(8.4、8.5、8.6);

更改了试验步骤见第章年版的第章

f)(9,20096);

更改了精密度见第章年版的第章

g)(10,20097);

增加了硅单晶电阻率温度系数见附录

h)(A)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会和全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所有色金属技术经济研究院有限责任公

:、

司浙江金瑞泓科技股份有限公司浙江海纳半导体股份有限公司广东天域半导体股份有限公司北京

、、、、

通美晶体技术股份有限公司山东有研半导体材料有限公司天津中环领先材料技术有限公司北京天

、、、

科合达半导体股份有限公司中电晶华天津半导体材料有限公司浙江旭盛电子有限公司浙江中晶

、()、、

科技股份有限公司昆山海菲曼科技集团有限公司

、。

本文件主要起草人何烜坤刘立娜李素青张颖马春喜张海英潘金平丁雄杰任殿胜

:、、、、、、、、、

王元立朱晓彤张雪囡佘宗静齐斐许蓉李明达詹玉峰黄笑容边仿

、、、、、、、、、。

本文件于年首次发布年第一次修订本次为第二次修订

1995,2009,。

Ⅰ

GB/T6616—2023

半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层

电阻的测试非接触涡流法

1范围

本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法

。

本文件适用于测试直径或边长不小于厚度为的硅导电型砷化镓导

25.0mm、0.1mm~1.0mm、、

电型碳化硅单晶片的电阻率以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻倍的薄膜薄层的电阻单

,1000。

晶片电阻率的测试范围为薄膜薄层电阻的测试范围为3

0.001Ω·cm~200Ω·cm,2.0×10Ω/□~

3本方法也可以扩展到其他半导体材料中但不适用于晶片径向电阻率变化的判定

3.0×10Ω/□。,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体材料术语

GB/T14264

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4原理

将晶片平插入一对共轴涡流探头涡流传感器之间的固定间隙内与振荡回路相连接的两个涡流

(),

探头之间的交变磁场在晶片上感应产生涡流激励电流的变化是晶片电导的函数通过测试激励电流

,。

的变化即可测得晶片的电导率晶片的薄层电阻R按公式进行计算

。(s)(1)。

ρ

R==1=1

stGδt…………(1)

式中

:

R晶片的