《模拟电子技术》练习题一

《模拟电子技术》练习题一一、选择题1、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（B）失真。A饱和B截止C交越D频率2、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（A）（B）。AU-=U+BI-=I+=0CUo=UiDAu=13、如果希望提高某放大器的输入电阻和增强其带负载能力，则应当选用（D）。A电流并联负反馈 B电流串联负反馈C电压并联负反馈 D电压串联负反馈4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（A）失真，下半周失真时为（B）失真。A、饱和B、截止C、交越D、频率5、共集电极放大电路的负反馈组态是（B）。A、压串负 B、流串负 C、压并负6、为了使放大器带负载能力强，一般引入（B）负反馈。A、电压 B、电流 C、串联7、振荡器的输出信号最初是由（C）而来的。A基本放大器B选频网络 C干扰或噪声信号8、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为UC（ A）uB（ A ）uE。A>B<C=D≤9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（A）。A大B小 C相等10、二极管两端电压大于（ B ）电压时，二极管才导通。A击穿电压B死区 C饱和11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流（ A）。A增大B减小 C不变 D无法判定12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（C ）。A放大状态B截止状态 C饱和状态D不能确定。13、晶体三极管是（A ）控制型器件。A电流控制电流源B电流控制电压源C电压控制电流源D电压控制电压源14、晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于（B）。A发射结正偏、集电结正偏 B发射结正偏、集电结反偏C发射结反偏、集电结正偏 D发射结反偏、集电结反偏15、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用（D ）负反馈放大电路。A.电流并联B电压并联C电流串联D电压串联16、空穴为少子的半导体称为（B）。A.P型半导体B.N型半导体C.纯净半导体D.金属导体17、晶体三极管工作在饱和区，发射结、集电结的偏置是（B）。A发射结正向偏置，集电结反向偏置B发射结正向偏置，集电结正向偏置C发射结反向偏置，集电结反向偏置D发射结反向偏置，集电结正向偏置18、一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（B）。A、有微弱电流 B、无电流C、有瞬间微弱电流19、三极管的反向电流ICBO是由（B）组成的。A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子20、关于反馈对放大电路输入电阻Ri的影响，（D）是正确的。A负反馈增大Ri，正反馈减少Ri B串联反馈增大Ri，并联反馈减小RiC并联负反馈增大Ri，串联正反馈减少RiD串联负反馈增大Ri，并联负反馈减小Ri二、填空题1、自由电子为（多数）载流子，空穴为（少数）载流子的杂质半导体称为（少数）半导体。2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（导通），反偏时（截止）。3、场效应管的漏极电流ID=（ gmugs）,所以它是（电压）控制文件。4、当温度升高时三极管的集电极电流IC（增加），电流放大系数β（增加）。5、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（串联）负反馈。为了稳定输出电流，采用（电流）负反馈。6、晶体管的导电方式为（载流子的扩散及漂移 ）。7、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（正偏）反之称为（反偏8、晶体三极管的集电极电流Ic=（β）所以它是（电流）控制元件。9、当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（增加）所以Ic也（增加）。10、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（直流）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（电压）负反馈，为了提高输入电阻采用（串联）负反馈.。11、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（扩展）通频带（ 减少）失真。12、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成开断。14、负反馈使放大电路增益（下降），但（提高）增益稳定性。15、（（1+AF））称为负反馈深度，其中F=（ Xf/Xo）,称为（反馈系数 ）。16、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；17、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。18、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。19、在三极管多级放大电路中，已知Ai=20,au2=T3%=1，则可知其接法分别为：Au1是一共基一放大器，Au2是—共射一放大器，Au3是一共集一放大器。20、杂质半导体有N型和P型之分。21、晶体管的导电方式为—载流子的扩散及漂移—22、PN结最重要的特性是—单向导电性，它是一切半导体器件的基础。23、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了负向电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是―正向电压。24、稳压二极管是利用二极管的 反向 特性工作的25、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小， 应该在电路中引入负反馈。26、P型半导体是在纯净半导体中加入3—价元素物质后形成的杂质半导体。27、和开路PN结的结区宽度相比，当PN结加上正偏压时，其结区宽度—变窄28、场效应管属于电压控制型器件。它的导电过程取决于多数载流子的运动。29、当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称—耗尽—型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为增强—型场效应管。30、场效应管分为—结型场效应管—和—绝缘栅场效应管—两大类。31、反馈分为正反馈和负反馈。32、放大电路引入负反馈以后得到的最直接、最显著的效果就是—提高放大倍数的稳定性三、简答题：在集成运算放大电路中，常用的偏置电路有哪几种？（5分）答：镜像电流源、比例电流源和微电流源。简述温度对三极管参数的影响。答：首先，从输入特性看，当温度升高时。为得到同样的IB所需的UBE值将减小。其次，温度升高时三极管的β值也将增加，使输出特性之间的间距增大。最后，当温度升高时，三极管的反向饱和电流ICBO将急剧增加。试对放大电路三种基本组态进行比较答：（1）、共射电路同时具有较高的电压放大倍数和电流放大倍数，输入电阻和输出电阻值比较适中，所以，一般只要对输入电阻、输出电阻和频率相应没有特殊要求的地方，均常采用。因此，共射电路被广泛地用作低频电压放大电路的输入级、中间级和输出级。（2）、共集电路的特点是电压跟随，这就是电压放大倍数接近于1而小于1，而且输入电阻很高、输出电阻很低，由于具有这些特点，常被用作多级放大电路的输入级、输出级或作为隔离用的中间级。（3）、共基电路的突出特点在于它具有很低的输入电阻，使晶体管结电容的影响不显著，因而频率相应得到很大的改善，所以这种接法常常用于宽频带放大器中。另外，由于输出电阻高，共基电路还可以作为恒流源。4、简述集成电路的分类。答：集成电路按其功能的不同，可以分为数字集成电路和模拟集成电路；按模拟集成电路的类型来分，则又有集成运算放大器、集成功率放大器、集成高频放大器、集成中频放大器、集成比较器、集成乘法器、集成稳压器、集成数/模和模/数转换器以及集成锁相环等；按其构成有源器件的类型来分，则有双极型和单极型。5、简述组成放大电路必须遵循的几个原则。答：首先，外加直流电源的极性必须使三极管的发射结正向偏置，而集电结反向偏置，以保证三极管工作在放大区。其次，输入回路的接法应该使输入电压的变化量能够传送到算极管的基极回路，并使基极电流产生相应的变化量。第三，输出回路的接法应该使集电极电流的变化量能够转化为集电极电压的变化量，并传送到放大电路的输出端。6、简述反馈电路的分类答：（1）、根据反馈极性的不同，可以分为正反馈和负反馈。（2）、根据反馈信号本身的交、直流性质，可以分为直流反馈和交流反馈。（3）、根据反馈信号在放大电路输出端采样方式的不同，可以分为电压反馈和电流反馈。（4）、根据反馈信号与输入信号在放大电路输入回路中求和形式的不同，可以分为串联反馈和并联反馈。7、简述负反馈对放大电路性能的影响答：（1）、提高放大倍数的稳定性。（2）、减小非线性失真和抑制干扰。（3）、展宽频带。（4）、改变输入电阻和输出电阻。8、简述集成运算放大器的特点答：（1）、由集成电路工艺制造出来的元器件，虽然其参数的精度不是很高，受温度的影响也比较大，但由于各有关元器件都处在一个硅片上，距离又非常接近，因此对称性较好，适用于构成差分放大器。（2）、由集成电路工艺制造出来的电阻，其阻值范围有一定的局限性，一般在几十欧到几十千欧之间，因此在需要很高阻值的电阻时，就要在电路上另想办法。（3）、在集成电路中，制造三极管，特别是NPN三极管往往比制造电阻、电容等无源器件更加方便，占用更少的芯片的面积，因此成本更低廉。所以在集成放大电路中，常常用三极管代替电阻，尤其是大电阻。(4)、集成电路工艺不适于制造几十皮法以上的电容器，至于电感器就更加困难。因此放大级之间通常都采用直接耦合方式，而不采用阻容耦合方式。(5)、直接耦合放大电路中，经常遇到既有NPN又有PNP管的情况，但在单片集成电路中，一般情况下PNP管只能做成横向，此时它的β值比较小，而不能像分立1器件那样，使NPN和PNP管的特性匹配的比较接近。9、能否用1.5v的干电池，以正向接法直接加至二极管的两端，估计会出现什么问题？答：(1)不能．(2)若这样接法，二极管正向导通其导通电阻很小，导通电流很大，二极管将被击穿。10、简述二极管的种类。答：二极管的类型很多。从制造二极管的材料来分，有硅二极管和锗二极管；从管子的结构来分，主要有点接触型和面接触型，点接触型适用于高频、小电流工作；面接触型适用于低频、大电流下工作；根据其功能，二极管又分为整流管、稳压管、开关管等。11、试简述PN结的形成过程。答：在一块晶片上，利用掺杂工艺使一边生成P型半导体，另一边生成N型半导体，其交界处形成了PN结。N区的多子电子向P区扩散，与P区空穴复合，并在N区界面附近留下正离子，生成很薄的正电荷区。同样，P区的多子空穴向N区扩散，与N区电子复合，在P区界面附近留下负离子，生成很薄的负电荷区，这样在交界面附近就形成了一个空间电荷区。空间电荷区形成一个由N区指向P区的内电场，这个内电场阻碍多子的扩散运动而促进少子的漂移运动。扩散运动与漂移运动方向相反。当多子的扩散运动与少于的漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区便相对稳定下来。这一动态平衡下的空间电荷区就是PN结。12、负反馈放大电路产生自激荡的原因答：负反馈放大电路的闭环放大倍数可以表示为6=—^—，如果上式分母/ 1+AF1+AF=0，则＜=S，此时即使没有输入信号，放大电路仍将有一定的输出信号，说明f放大电路产生了自激荡。因此，负反馈放大电路产生自激荡的条件是1+AF=0，即AF∙=-1四、计算题：1.下图表示同向输入放大电路。试求此电路的放大倍数AV。vv+V

i—ii

解：i—R—1,V-(V+V')i—oiifRf因i—i，故1fV+Vf_V一(V+Vf).ii—oiii^R~~R1f根据“虚短”概念知V'-0，故iViR1V一o-ɪfV1A所以VVoV1R—1+」R1即仅由电阻比确定。而且，同相输入放大器的放大倍数大于1。2.如图所示电路为射极输出器，已知〈「20丫，RB=200KΩ，RE=3.9KQ，B=60,硅管，试求电路的静态工作点。（10分）下图为该电路的直流通路，由此可确定静态工作点：IRBB+U+1R=UIBBEU—UCCEEBECC20V—0.7vR+(1+β)R 200KQ+61X3.9KQBE=44μAI≈I=(1+β)I=61X44μA≈2.7μACUCEEB=U—IR=20V—3.9KX2.7mA≈9.5VCCEE3.如图所示电路中，已知\「12丫，RB=200KΩ,RC=3KΩ,RL=1.5KΩ,管子β=40,硅管，要求：（1）估算放大电路的静态工作点；(2)做出该电路的微变等效电路;(3)计算放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。(I)IBIC=BIBU—U U12V二_CC BE-≈—GC-― =60.AR R 200KΩBB―40X60μA=2.4mA—UCC—IR—12—2.4X3—4.8VCC(2)微变等效电路如下图所示。UCE»RR 3KΩx1.5KΩ…CCRf=CL=1000Ω(3)LR+R 3KΩ+1.5KΩCLr=300+(1+β)26(mV)≈300+41XΞl=744Ωbe I(mA) 24EA电压放大倍数UPR Lrbe40x1000 〜 ≈-54744r=R//r≈r=744Ω输入电阻i Bbeber≈R=3KΩC输出电阻o4.已知放大电路输入信号电压为Im