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SMTPCBA测试与维修培训资料一、电子及传感器基础知识、元器件基础知识前言:PCBA维修原则:1、 首先,要确认不良现象,排除误判误测,不良现象要有可重复性;2、 第二,要对外观进行复检,及时发现是否存在有错料,少料,多料等简单的外观不良;3、第三,要找出维修记录或维修速查表,针对相应电子元件作检查。确认不良元件时可以与良 品交替互换或从电路板上拆除后单独测量;4、 第四,要找出PCBA功能的原理图,对照相应电路模块作检查,测量相关元件是否存在不良;5、 第五,如果是批量性不良,或以上方法无法维修的不良,可能是设计缺陷。1、电子基础知识电路的基本原理:电流,电压,电阻,电荷电流是电荷在导线内流动的现象,电流的测量单位是安培(A)。电荷分为正电荷和负电荷二种。物质中的电子带有负电荷;而质子带有正电荷。电荷在导线内会由高电位的地方流向低电位的地方。电位的高低便形成了电位差,我们称为电压。电压愈大,流动的电流便愈大,电压的测量单位是伏特(V)。电流流动时会遇到阻力,就是电阻。每种物质都有电阻值,优良的导体如铜、白金等,它们的电阻很小,电流很容易通过。电阻很大,大到电流无法通过的物质就是绝缘体,而介于导体和绝缘体之间就是半导体。电阻的测量单位是欧姆 (Q)。电流是指电线中电子流动的相反方向,也就是质子流动的方向,通常以I表示,其单位为安培 A(Ampere)。直流电的电流方向固定由正极流向负极,并不会随时间而改变;而交流电的电流流向则会不断地交替变化,例如公司用电的电流便是每秒正负极交替变换50次的交流电,称为50赫兹(Hz)。而在台湾地区交流电的频率为60Hz。电压是指能使电在电线中流动的力量,通常以E表示,其单位为伏特V(Volt),电流一般都是从高电压流向低电压,通常电源电位较高的一端以"+"号表示,而电位较低的一端则以"_"表示。电池、水银电池等,电压包含1.5V、3V、9V等,而家庭用电电压在台湾、美国日本为交流 110V;在大陆为220V;欧州为240V。电阻是指阻挡电流在电线流动的阻力,通常以R表示,其单位为欧姆,任何物体都具有电阻,如同水流一般,物体的电阻大小随材质、长度、大小而异。电阻值大到不能导电的物质称为「绝缘体」,如塑料、木材等。电阻会消耗能量,消耗的能量通常以热的形式呈现,所以传输材料的电阻值愈低愈好,因此一般电线便采用导电性佳的铜线,为了减低能源的消耗,「低温超导体」已成为新兴的科技了。
电路符号示例电路是由各种不同的组件组成,其相互关系通常使用电路图描述,而电路图的每个基本组件均使用电路符号表示。下图是摘取ATA2001(1866)—部分电路图为例。>>fO>>fO81CR5TF电路的基本概念一般电路包含电源、传导体、负载,而能工作的电路必须是「回路」,亦即电流能自电源绕行电路一周再回到原点,反之如果回路有缺口,导致电流无法流通,便称为「断路」或「开路」。如果电路回路之一没有负载,则称为「短路」,此时因为回路只有导线上非常小的电阻值,因此电源会因阻力小而产生大电流,这些电流便被接在导线上以热能的方式消耗,导致电线燃烧,这便是常造成火灾的电线走火,用电应该小心避免。从某种程度上来说,没有绝对的绝缘体或导体。必须形成回路才会有电流产生,电路的作用是通过电流来形成能量转换即功率的。欧姆定律这个定律是电学最基本的定律。德国物理学家欧姆发现了电流、电压、电阻三者之间的关系,这便是欧姆定律R=V/I,电阻等于电压除以电流。例如 将一个12V的电源接上6欧姆的电阻时,将会产生2A的大电流。串并联电路串联是将电路组件一个接一个串接起来,而并联则是将组件的相同端连接起来。我通常维修用的原理图就是一个大的串并联电路。通常我们可以用所实现的功能将大的电路图分成多个小块电路图,不良品分析中经常用到。常见电学单位转换电阻:1M?=1000K?=1000,000?=1000,000,000m?电流:1A=1000mA=1000,000uA电压:1KV=1000V=1000,1000mV电感:1H=1000mH=1000,000uH电容:1F=1000mF=1000,1000uF=1000,000,000nF=1000,000,000,000pF2、电子元器件知识电容、电感、二极学习和掌握常用元器件的性能、用途、质量判别方法,对功能维修是一项基本技能。电阻、管、三极管、集成电路等都是电子电路常用的器件。电容、电感、二极电阻电阻是用电阻率较大的材料(碳或镍铬合金等)制成。它在电路中起着限流、分压的作用。(一)电阻的分类电阻在电子产品中是必不可少、使用最多的元器件。它的种类很多,常见的有下列几种分类。1、按阻值可否调节分有固定电阻、可变电阻两大类。
固定电阻是指电阻值不能调节的电阻;可变电阻是指阻值在某个范围内可调节的电阻,如电位器。2、按制造材料分有线绕电阻、非线绕电阻。3、按用途分有通用型、高阻型、高压型、高频无感型。除以上三种分类方法以外,还有按结构形状及引出线进行分类。(二)部分电阻外形及图形符号1电阻外形:2、图形符号:-XAArAA/V-\AArAkAAtAAAz1615~141312T1W9RP16r?16r?14nTo9丄23468R?三、电阻的主要技术参数标称阻值、允许误差和额定功率是固定电阻的主要参数。
电阻标有的电阻数值,这就是电阻的 阻值标称值。电阻标称值往往和它的实际值不完全相符, 实际值和标称值的差值除以标称值所得的百分数,它反映了电阻的精密程度。下表为常用电阻的误差等级。允许误差±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%级另U0050102In出类型精密型普诵型就是电阻的误差,就是电阻的误差,(四)电阻主要技术参数的标志方法电阻的标称阻值和误差通常都标在电阻上,标志方法有以下几种。1直标法直标法是用数字和文字符号在电阻上直接标出主要参数的标志方法 •如:电阻值为5.1KQ,误差为土5%若电阻上未标注误差,则均为土20%2、 文字符号法文字符号法是用数字和文字符号或两者有规律的组合,在电阻上标志出主要参数的标志方法。具体方法为:阻值的整数部分写在阻值单位标志符号的前面,阻值的小数部分写在阻值单位标志符号的后面。贴片电阻一般以欧姆为单位,如104,表示10后面4个0,应为100K欧。3、 色标法色标法是按规定的颜色在电阻上标志主要参数的标志方法。具体规定参见下表:颜色有效数字乘数允许误差%棕色1101±红色2102橙色3103黄色4104绿色5105±0.5蓝色6106±).25紫色7107±0.1灰色8108白色9109黑色0100银色10-2±10金色10-1±)一般用在色环电阻上,如四环电阻、五环电阻4、数码表示法是在电阻上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左至右,第一、二位为有效值,第三位为乘数,即零的个数,单位为 Q。误差通常采用文字符号J(±5%)K(±10%表示。
(五)电阻的好坏判别目测可以看出引线折断或电阻体烧坏等外表故障;用万用表欧姆档或其他专用测试仪器可测试电阻内部是否良好及阻值是否正常。电容一、 电容的分类1按电容量可否变化分固定式及可变式两大类2、 按介质分电容。有空气介质电容、油浸电容及固体介质(云母、纸介、陶瓷、薄膜等)电容。3、 按极性分有极性电容和无极性电容二、 部分电容外形及图形符号1、 电容外形2、图形符号:电容电解电容可变电容三、电容的主要技术参数标称容量、允许误差、额定电压、绝缘电阻、漏电流、损耗因数及时间常数均为电容的主要技术参数。电容F)、纳1、电容的标称容量及允许误差的基本含义与电阻一样。电容的基本单位为 F(法拉),即在电容F)、纳所能储存的电量为1库伦,其容量即为1F。用F作单位在应用中往往太大,所以常用毫法(mF)、微法(卩法(nF)和皮法(pF)。其关系如下:33331F=103mF 1mF=103疔 1诉=103nF 1nF=103pF2、额定电压额定电压通常也称作耐压,是指在允许的环境温度范围内,电容长时间正常工作施加的最大电压有效值。电容的额定电压通常是指直流工作电压。3、 绝缘电阻及漏电流电容介质不可能绝对不导电,当电容加上直流电压时,电容会有漏电流产生。若漏电流太大,电容就会发热损坏。除电解电容外,其他电容的漏电流是极小的,故用绝缘电阻参数来表示其绝缘性能;而电解电容因漏电较大,故用漏电流表示其绝缘性能(与容量成正比)。4、 损耗因数电容的损耗因数指有功损耗与无功损耗功率之比。通常电容在电场作用下,其储存或传递的一部份电能会因介质漏电及极化作用而变为有害的热能,这部分发热消耗的能量就是电容的损耗,显然损耗越大,发热也越严重。四、 电容参数的标志方法电容的标称容量及允许误差一般标在电容上,其方法可分为以下几种。1、直标法直标法是将电容的标称容量及允许误差直接标在电容上的标志方法。2、文字符号法标称容量的整数部分通常写在容量单位标志符号的前面,小数部分写在容量单位标志符号的后面。如 3.3标为3卩3,2.2pF标为2p2。3、数码表示法电容的数码表示法与电阻的相同。但电容数码表示法中,其单位为 pF。如0.1标为104。四、 电容的用途电容的基本功能是储存电荷,它在电子电气电路中使用十分广泛,主要用用交流耦合、隔离直流、滤波、交流或脉冲旁路及选频等。主要是通过充放电的过程实现其功能。电感电感也叫电感线圈,是利用电磁感应原理制成的,电感在电路中起着阻流、变压、传送信号等作用。一、 电感的分类电感的种类很多,而且分类标准也不一样,通常按电感量变化情况分为固定电感、可变电感、微调电感等;按电感线圈芯性质又可分为空芯电感、磁芯电感、铜芯电感等;按绕制特点可分为单层电感、多层电感、蜂房电感等。二、 部分电感外形及图形符号1电感外形2、电感图形符号rn 严r r(e> <O三、电感的主要技术参数1电感量L电感量L 也称为自感系数,是表示电感元件自感应能力的一种物理量。当通过一个线圈的磁通发生变化时,线圈中便会产生电势,这是电磁感应现象。所产生的电势称感应电势,电势大小正比于磁通变化的速度和线圈匝数。电感量的基本单位为 H(亨),实际应有中还有毫亨(mH,微亨(卩H),其换算关系如下:1H=103mH=106田。2、感抗Xl感抗在电感元件参数表上一般查不到, 但它与电感量、品质因数Q等参数密切相关,由于电感线圈的自感电势总是阻止线圈中电流变化,故线圈对交流电有阻力作用,阻力大小就用感抗 Xl表示。Xl与线圈电感量L和交流电频率?成正比,计算公式为:XL=2n?Lo(式中Xl单位为Q,?单位为HZ,L单位为H)不难看出,线圈通过低频电流时Xl小,通过直流电时Xl为零,此时仅线圈的直流电阻起阻力作用(电感线圈的直流电阻很小,可近似短路)。通过高频电流时 Xl很大,若L也大,则可看作开路。3、品质因素品质因素也称作Q值或优值,即线圈在一定频率的交流电压下工作时感抗和等效损耗电阻之比。4、 直流电阻即电感受线圈自身的直流电阻,可用万用表直接测得。5、 额定电流指电感长时间正常工作允许通过电感元件的最大直流电流值。四、 电感的标志方法电感的标志方法与电阻、 电容的标志方法相同,有直标法、文字符号法和色标法。常用的固定电感过去多彩色码标志法,统称为色码电感。目前我国生产的固定电感有的采用色码标志法,有的在电感上直接标出数值,即直标法。在一些电子机器中,如电视机,广泛使用的是固定电感。它是将铜线绕在磁芯上。然后再用环氧树脂或塑料封装起来,这种电感的特点是体积小,重量轻、结构牢固、使用方便。五、 电感的作用基本作用:滤波、振荡、延迟、陷波等形象说法:通直流,阻交流”细化解说:在电子线路中,电感线圈对交流有限流作用,它与电阻器或电容器能组成高通或低通滤波器、移相电路及谐振电路等;变压器可以进行交流耦合、变压、变流和阻抗变换等。由感抗XL=2nfL知,电感L越大,频率f越高,感抗就越大。该电感器两端电压的大小与电感 L成正比,还与电流变化速度厶"△t成正比变压器将两个线圈靠近放在一起, 当一个线圈线中的电流变化时, 穿过另一线圈的磁通会发生相应的变化, 从而使该线圈中出现感应电势,这就是互感现象。变压器就是根据互感原理制成的。一、 变压器的分类变压器按线圈之间耦合材料分,有空芯变压器、磁芯变压器、铁芯变压器。按工作频率分,有高频变压器、中频变压器、低频变压器、脉冲变压器。如收音机的磁性天线,它是高频变压器;在收音机的中频放大级,用的是中频变压器,俗称“中周”;低频变压器种类较多,有电源变压器、输入变压器等;电视机的行输出变压器,也称“高压包”,它是一种脉冲变压器。二、 变压器图形符号(*) (V) (c)三、变压器主要技术参数变压比、额定功率、温升、效率、空载电流、绝缘电阻均为变压器的主要技术参数。1、变压比n变压比n是指变压器初级电压U与次级电压U2的比值,或初级线圈匝数N与次级线圈匝数N2的比值。2、额定功率P指在规定的频率和电压中变压器能长时间工作而不超过规定温升的输出功率。额定功率的容量单位用 VA(伏安)表示。3、温升指变压器在满负荷工作时线圈温度上升后的稳定值与工作环境温度的差值, 温升是影响变压器绝缘性能的原因之一。4、 效率n指变压器输出功率与输入功率的比值。 Po为变压器的输出功率,Pi为变压器的输入功率。因为在电路中存在损耗的缘故,变压器的效率总是小于 100%。5、 空载电流次级负载为零(开路)时,初级中仍有一定的电流,这部分电流叫空载电流。6、 绝缘电阻变压器各绕组间,绕组与铁心之间并不是理想的绝缘。当外加电压时, 会有漏电流存在,这是由于变压器存在绝缘电阻所致。绝缘电阻越大漏电流越小;变压器的绝缘电阻过低,可能会使仪器和设备机壳带电,造成对仪器、设备或人身危害。四、变压器的用途变压器在电路中电压变换、电流变换、传递功率、阻抗匹配、或阻抗变换等用途,下面只简单介绍电压变换及阻抗匹配。1、电压变换通常我们把接电源的线圈称作初级线圈或原边线圈,把在互感作用下产生感应电势的线圈称作次级线圈或副边线圈,一个变压器一般只有一个初级线圈,但次级线圈可有一个或多个。左图初、次级线圈均为一个, N为初级线圈匝数,Na为次级线圈匝数,RL为负载;U为初级线圈交流电压, U2为次级线圈产生的感应电压,那么由此可见,次级电压与初级线圈匝数成反比关系。即 N>Na时,uvU,这是一个降压变压器;当NvNa时,U2>U,这是一个升压变压器。若变压器有多个次级线圈,则每个次级线圈与初级线圈的匝数比均可能不同,所以一个变压器可以同时存在升压和降压的可能。2、阻抗匹配在电子线路的信号源和负载阻抗不匹配时,需用匹配元件或电路插在两者之间以实现阻抗匹配,变压器的阻抗变换功能便在此发挥作用。如左图所示,变压器的次级线圈负载为 RL,次级线圈的等效负载阻抗即从变压器 A、B端看进去的等效阻抗为R/,等效阻抗R/与变压比、负载的关系为: RL/=n2xRlo继电器继电器是自动控制电路中常用的电子元件,它是用较小的电流来控制较大电流的自动开关,在电路中起着自动操作、自动调节、安全保护等作用。、继电器的分类继电器的种类很多,常用的有电磁式和干簧式,通常将继电器分为直流、交流、舌簧及时间继电器四种。二、主要技术参数1、额定工作电压或额定工作电流这是指继电器正常工作时线圈需要的电压或电流值。2、吸合电压或电流指继电器能够产生吸合动作的最小电压或电流。在一般情况下吸合电压为额定工作电压的 75%左右。3、释放电压或电流继电器线圈两端的电压减小到一定数值时,继电器就从吸合状态转换到释放状态。4、接点负荷指接点的负载能力。如继电器接点负载是 DC28V/10A或AC220V/5A它表示这种继电器的接点在工作时的电压和电流值不应超过该值,否则会使接点损坏。三、干簧管继电器干簧管全称“干式舌簧开关管”,是由两片导磁又导电的材料做成的簧片平行地封入充有惰性气体(如氮气、氦气等)的玻璃管中组成开关元件,重叠并留有一定间隙以构成接点。干簧管的工作原理为:当永久磁铁靠近干簧管或者由绕在干簧管上的线圈通电后形成磁场使簧片磁化时,簧片的接点部分就被磁化感应出极性相反的磁极,如下图所示,异名的磁极相互吸引,当吸引的磁力超过簧片的弹力时,接点就会吸合;当磁力减小到一定值时,接点又会被簧片的弹力弹开。干簧管有以下几个优缺点:接点与大气隔绝,管内又充有惰性气体,这样就大大减少了接点在开、闭过程中由于接点火花而引起的接点氧化和碳化。并防止外界有机蒸气和灰尘等杂质对接点的侵蚀。簧片细而短,有较高的固有频率,提高了接点的通断速度,其开关速度要比一般的电磁继电器快 5~10倍体积小,重量轻。其缺点是开关容量小,接点易产生抖动以及接点接触电阻大。二极管要真正认识二极管,必须先了解什么是半导体。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,称为半导体。例如,锗(Ge-32)、硅(Si-14)、硒(Se-34)及金属的氧化物。硅或锗等半导体材料被制成单晶时,其原子排列就变成非常整齐的晶体结构,这种纯单晶半导体称为本征半导体。本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子,但由于数量极少,导电能力仍然很低。如果在本征半导体中掺入微量的杂质,其导电能力将大大地提高。由于掺入的杂质不同,这种掺杂半导体可分为N型和P型半导体两大类:一类是在硅或锗的晶体中掺入少量五价元素,如磷(P-15),半导体中自由电子数远大于空穴数,即自由电子成为“多数载流子”。而空穴成为“少数载流子”。也就是说这种杂质半导体以自由电子导电为主,所以称为 N型(电子型)半导体。另一类是在硅或锗的晶体中掺入少量的三价元素,如硼(B-5),半导体中空穴数远大于电子数,即空穴成为“多数载流子”。而电子成为“少数载流子”。也就是说这种杂质半导体以空穴导电为主, 所以称为P型(空穴型)半导体。在一块完整的晶片上,用不同的掺杂工艺使晶体的一边形成 P型半导体,另一边形成N型半导体,那么在两者的交界处就会形成PN结。PN结是构成二极管、三极管、场效应管等半导体器件的基础。当 PN结两端加正向电压(即P侧接电源的正极,N侧接电源的负极),此时PN结呈现的电阻很低,正向电流大(PN结处于导通状态);当PN结两端加反向电压(即P侧接电源的负极,N侧接电源的正极),此时PN结呈现很高的电阻,反向电流微弱(PN结处于截止状态),这就是PN结的单向导电性二极管是由一个PN结,加上引线、接触电极和管壳而构成。一、二极管的分类1按用途分有整流二极管、稳压二极管、检波二极管、发光二极管、开关二极管、光电二极管等。2、 按制造材料分有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等。3、 按制造工艺分有点接触二极管和面接触二极管两种。4、 按工作原理分有变容二极管、雪崩二极管、齐纳二极管等。AnodeIFAnodexAnode工LLCathodeCathodeC^ihodePNdiodeSchottkydiodeZenerdiode三、 整流二极管1、伏安特性:指加在二极管两端的电压与流过二极管的电流关系曲线, 这个曲线可分为正向特性和反向特性两个部分。正向特性当二极管加上正向电压时,便有正向电流通过。但正向电压很低时,外电场还不能克服 PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力,此时正向电流很小,二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值(硅管约0.5V,锗管约0.3)后,二极管电阻变得很小,电流增长很快。这个电压往往称死区电压或阀门电压。反向特性二极管加上反向电压时,由于少数载流子的漂移运动,形成很小的反向电流, 反向电流有两个特性:一是随温度的增加而增长很快;二是在反向电压不超过一定范围时,反向电流不随反向电压改变而达到饱和,故这个电流IBO称为反向饱和电流。 当加在二极管两端电压到达一定值时, 反向电流急剧增大,二极管失去单向导电性,这种现象称为电击穿,这个电压称为反向击穿电压。二极管因电击穿而造成管子损坏是永久性的。2、 主要参数最大整流电流IoM最大整流电流是指二极管能够允许通过的最大正向平均电流值。当电流超过这个允许值时,二极管会因过热而烧坏。反向击穿电压Urb与最高反向工作电压UrmUrb是指二极管反向击穿时的电压值,击穿后其反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏。通常手册上给出的最高反向工作Urm电压约为反向击穿电压的一半或三分之二,以确保二极管安全运行。最大反向电流IrmIrm指在二极管上加最高反向工作电压时的反向电流值。 Irm愈小,则管子的单向导电性能愈好。3、 整流二极管的应用利用二极管的单向导电性将交流电转换为单向脉动直流电的电路,称为整流电路。此时的二极管可看成开关元件,即所谓理想二极管。四、 稳压二极管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管,由于它在电路中能起稳定电压的作用,故称稳压管 •其外形与普通二极管类似,但其伏安特性不同于普通二极管就在于它的反向特性很陡 •所示。稳压管是工作在反向击穿区,当反向电压在击穿电压 UZ范围内变化时,反向电流很微弱,当反向电压增大到击穿电压 UZ时,稳压管反向击穿,反向电流突然剧增,此后电流虽然在很大范围内变化,但稳压管两端的电压变化很小, 利用这一特性,稳压管在电路中起到稳压作用,但稳压管与一般二极管不同,它的反向击穿是可逆的,就是说去掉反向电压之后,稳压管又恢复正常,但如果反向电流超过允许范围,稳压管会发生热击穿而损坏。五、发光二极管发光二极管是采用磷化镓或磷砷化镓等半导体材料制成的,以直接将电能转变为光能的发光器件。与普通二极管一样也由PN结构成,同样具有单向导电性, 但发光二极管不是用它的单向导电性,而是让它发光作指示 (显示)器件。发光二极管以功耗低、体积小、响应速度快、抗震动、寿命长等优点而广泛用作指示灯等方面。发光二极管可按制造材料、发光色别、封装形式和外形等分成许多种类,发光二极管的外形如上图所示。目前较常用的是圆形、方形等发光管,发光颜色以红、绿、黄等单色为主,也有一些能发出两、三种色光的发光管。发光二极管的基本应用电路中 U为电源电压,R为限流电阻,I为流过发光二极管的电流。发光二极管为正向电流驱动器件,流过发光二极管的电流不可超过管子所允许的极限值,否则发光二极管会因此而烧毁。六、瞬态电压抑制二极管(TVS管)瞬态电压抑制二极管常称为防雷管,是一种安全保护器件。这种器件在电路系统中起到分流、箝位作用,可以有效降低由于雷电、电路中开关通断时产生的高压脉冲,避免雷电、高压脉冲损坏其它器件。瞬态电压抑制二极管有单向、双向两种。单向的图形符号与稳压管相似,左图为双向瞬态电压抑制二极管的图形符号与应用电路。当输入端有高压浪涌脉冲引入时,不论脉冲方向如何, TVS管能快速进入击穿状态,对输入电压进行箝位。F表为我司常用的双向TVS管参数:型号截止电压击穿电压击穿电压测试电流最大箝位电最高脉冲电反向漏电流(V)(Vmin)(VmaX(mA压(V流(A) I(uA) |P6KE6.8CA5.86.457.141010.558.11000P6KE12CA10.211.4012.6116.735.35P6KE22CA18.820.9023.10130.619.95七、 肖特基二极管肖特基二极管是由金属和半导体采用平面工艺制造形成的,它仅用一种载流子(电子)输送电荷,因而没有少数载流子的存储效应。所以它具有反向恢复时间短( 7ns)和正向压降低(0.4V)的突出优点,它主要用于开关稳压电源做整流和逆变器中作续流二极管。八、 快恢复二极管快恢复二极管工作原理与普通二极管相似, 亦是利用PN结单导性,但制造工艺与普通二极管不同。 它的扩散深度及处延层可以精确控制。因而可获得较高的开关速度。同时,在耐压允许范围内,外延层可做得较薄。它的反向恢复时间是快恢复二极管的重要参数,定义是电流通过零点由正向转换成反向,再从反向转换到规定低值的时间间隔。和肖特基二极管相比,其耐压高得多,主要也用在逆变电源中做整流元件,以降低关断损耗,提高效率和减少噪声。九、齐纳二极管齐纳二极管(又叫稳压二极管),此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用 .其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。工厂使用的TVS瞬变电压二极管的反应速度远比齐纳二极管快.吸收瞬变电流的能力强.Zener二极管的设计原则如下:.稳压管可进行串联使用,但不得并联使用(对数个稳压管并联时,当所加的电压超过齐纳电压时,哪怕各管子间有微小的差异,也将会引起电流大大失去平衡,电流将集中到个别管子上)。.在电路的连接中,应使稳压管工作在其反向击穿状态,即工作在稳压区。.设计时要充分考虑到功耗的温度转折点,对功耗和电流进行降额设计(一般规格书中提供的最大稳压电流,都是降额后的值;如果规格书中没有提供该电流值,则可以先用公式 PD/VZ计算出一个最大电流值,再进行降额取值)。降额取值的标准可参考军标要求如下:TOC\o"1-5"\h\z一级标准:电流、功率降额等级为 0.50 ;二级标准:电流、功率降额等级为 0.65 ;三级标准:电流、功率降额等级为 0.80 ;验证:以FAIRCHILD1N957B稳压管为例,PD=500mv,VZ=6.8V,IZM=47mA;则PD/VZ=73.53mA,降额标准取为二级标准,有0.65X73.53=47.8mA,基本与给定值吻合。.为了保证Zener的稳压效果,流过其的电流值还必须大于一个最小值Izmin(当电流小于该值时也并不是不能稳压,只是稳压的效果比较差)。由此可求得限制Zener二极管电流得串联电阻值R的大小。串联电阻的范围应满足:(U/IZM)<R<(U/Izmin)其中U为加在R上的电压,IZM可由上面的方法估计得到;Izmin可取规格书中对应最大阻抗值的测试电流值,一般取1mA左右。三极管我们通常所说的三极管是指对信号有放大作用或开关作用,具有三个电极的半导体器件,其内部都有三层半导体,分别称为发射区、基区和集电区,三极管的重要特征是具有电流控制作用,这是由于三极管内各电流之间有确定的分配关系,即lc*B和Ie=Ic+Ib。就是说,Ic的大小主要由Ib决定的,Ib的大小变化决定了Ic按比例增减,所以三极管是电流控制器件。我们利用三极管的电流控制作用来实现对信号幅值的放大和能量的转换,必须使其工作在输出特性的放大区,即发射结正向偏置,集电结反向偏置,如图7-2是一个NPN管共发射极放大电路,Vcc、Rb和三极管发射结共同构成基极回路,使发射结处于正偏; Rc为集电极电阻,Vcc、Rc和三极管集电结-发射结共同构成集电极回路。 Rc的另一重要作用是当基极有信号输入时,将集电极电流的变化转变为集电极电压的变化作为输出信号。 c1、c2为耦合电容,具有隔离直流、传递交流的作用。、三极管的分类三极管按工作频率分,有高频三极管和低频三极管;按功率大小分有大功率、中功率及小功率三极管;按封装形式分,有金属封装和塑料封装;按电极性不同分有符号如下图:形式分,有金属封装和塑料封装;按电极性不同分有符号如下图:PNP和NPN三极管。PNP和NPN三极管的外图及图形二、三极管的输出特性曲线三极管的输出特性曲线是用来表示该管各极电压和电流之间相互关系,它反映出三极管的性能,是分析放大电路的重要依据,左图为最常见的发射极接法时的输出特性曲线。根据输出特性曲线的特点,通常将三极管的工作范围分为三个区域:截止区、饱和区、放大区,它们的各自特点概述如下:1、 截止区输出特性曲线Ib=O这条曲线以下的区域称为截止区,此时发射结与集电结均处于反向偏置。 由于三极管中存在穿透电流Iceo,集电极电流并未真正截止。对硅管而言, UbeV0.5V时截止,锗管UbeV0.1V时截止。当三极管工作在截止区时,通常理想地认为集电极与发射极之间相当于一个开关的断开状态。2、 饱和区在UCEV1V的范围内所对应的特性曲线近似直线上升的区域, 称为饱和区,三极管饱和时UCE的值称为饱和压降,用Uces表示,小功率硅管约0.3V,锗管约0.1V。三极管工作在饱和区时,集电结与发射结均处于正向偏置,呈现低电阻状态,故电流较大,相当于一个开关的接通状态。3、 放大区IC随IB三极管发射结正向偏置、集电结反向偏置时,此时三极管的工作区域为放大区,三极管工作在放大区时的增大而成比例地增大,为表征它们之间的数值关系,当 UCE不变时,ICIC随IB放大系数,又简称为直流放大系数。由于输出特性曲线在截止区附近的间距较小, IB增大时,曲线间距也较大,所以值也随之变化。为此又引出动态电流放大系数 3,它是指在同一UcE值时,集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△Ib的比值,3也称交流放大系数。虽然 和3的含义不同,但因两者数值相差不大,故通常不作严格区分。三、三极管的主要参数1、 电流放大系数3电流放大系数是三极管的重要参数,关于它的定义,前面出做介绍,这里不再重复。2、 反向饱和电流IcBO它是指集电区的少数载流子在集电结反向偏置作用下漂移而形成的反向电流。它与二极管中的反向饱和电流在本质上是相同的,因此当发射极开路( Ie=0)时,集电极电流值即为反向饱和电流。 IcBO大小是管子质量好坏的标志之一,IcBO越小越好。小功率管约为几个微安,此值虽小但受温度影响很大,是三极管工作不稳定的主要因素之一。3、 穿透电流IcEO它是指基极开路(Ib=0)时,集电极与发射极之间的反向电流。 IcEO的大小为IcBO的3倍。IcEO受温度影响更严重,因此它对三极管的工作影响更大。4、场效应管场效应管是利用电场效应来控制电流变化的放大元件。 它与晶体管相比,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好等优点,因而得到迅速发展与应用。场效应管与三极管同为放大器件,但工作原理不同:三极管是电流控制器件,在一定条件下,集电极电流受基极电流控制,而场效应管是电压控制器件,电子电流受栅极电压控制。场效应管的类型可分两类:一类是结型场效应管,一类是绝缘栅型场效应管,也叫金属—氧化物—半导体绝缘栅型场效应管,简称MOS管。半导体三极管有PNP型和NPN型;场效应管根据其沟道所采用的半导体材料,另分为P型和N型沟道两种。沟道,就是电流通道。1、 结型场效应管N型沟道结型场效应管的基体是一块 N型硅材料,为N沟道。从基体引出两个电极分别叫源极( S)和漏极(D)。在基体两边各附一小片 P型材料,其引出的电极叫栅极(G)。这样,在沟道和栅极之间形成了两个PN结,当栅极开路时,沟道就相当于一个电阻,不同型号的管子其阻值不相同,一般约数百欧到千欧不等。其中栅极带有箭头,箭头指向沟道即为 N沟道结型场效应管,箭头背离沟道为 P沟道结型场效应管。2、 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管的特点是输入电阻高,便于做成集成电路。在一块N型硅片上有两个相距很近浓度很高的 P扩散区,分别为源极和漏极,在源区与漏区之间的硅片上,有一层绝缘二氧化硅,绝缘层上覆盖着金属铝,这就是栅极。栅极和其它电极之间是绝缘的,所以称为绝缘栅场效应管。由于源、栅之间有一层氧化层,这种管子基本上没有栅极电流,因此输入阻抗非常高。磁珠磁珠有很高的电阻率和磁导率,等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变化。比普通的电感有更好的高频滤波特性,在高频时呈现阻性,所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗,从而提高调频滤波效果。作为电源滤波,可以使用电感。磁珠的电路符号就是电感但是型号上可以看出使用的是磁珠在电路功能上,磁珠和电感是原理相同的,只是频率特性不同罢了磁珠由氧磁体组成,电感由磁心和线圈组成,磁珠把交流信号转化为热能,电感把交流存储起来,缓慢的释放出去。磁珠对高频信号才有较大阻碍作用,一般规格有 100欧/100mMHZ,它在低频时电阻比电感小得多。铁氧体磁珠(FerriteBead)是目前应用发展很快的一种抗干扰组件,廉价、易用,滤除高频噪声效果显着。在电路中只要导线穿过它即可。当导线中电流穿过时,铁氧体对低频电流几乎没有什么阻抗,而对较高频率的电流会产生较大衰减作用。高频电流在其中以热量形式散发,其等效电路为一个电感和一个电阻串联,两个组件的值都与磁珠的长度成比例。磁珠种类很多,制造商应提供技术指标说明,特别是磁珠的阻抗与频率关系的曲线。有的磁珠上有多个孔洞,用导线穿过可增加组件阻抗(穿过磁珠次数的平方),不过在高频时所增加的抑制噪声能力不可能如预期的多,而用多串联几个磁珠的办法会好些。铁氧体是磁性材料,会因通过电流过大而产生磁饱和,导磁率急剧下降。大电流滤波应采用结构上专门设计的磁珠,还要注意其散热措施。铁氧体磁珠不仅可用于电源电路中滤除高频噪声(可用于直流和交流输出),还可广泛应用于其它电路,其体积可以做得很小。特别是在数字电路中,由于脉冲信号含有频率很高的高次谐波,也是电路高频辐射的主要根源,所以可在这种场合发挥磁珠的作用。铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。以常用于电源滤波的HH-1H3216-500为例,其型号各字段含义依次为:HH是其一个系列,主要用于电源滤波,用于信号线是 HB系列;1表示一个组件封装了一个磁珠,若为4则是并排封装四个的;H表示组成物质,HC、M为中频应用(50-2OOMH0,T低频应用(50MHz),S高频应用(200MHz);3216封装尺寸,长3.2mm,宽1.6mm,即卩1206封装;500阻抗(一般为100MHz时),50ohm。其产品参数主要有三项:阻抗[Z]@100MHz(ohm):Typical50,Minimum37;直流电阻DCResistance(mohm):Maximum20;额定电流RatedCurrent(mA):2500.磁珠的原理磁珠的主要原料为铁氧体。铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料。铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金,它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似,颜色为灰黑色。电磁干扰滤波器中经常使用的一类磁芯就是铁氧体材料,许多厂商都提供专门用于电磁干扰抑制的铁氧体材料。这种材料的特点是高频损耗非常大,具有很高的导磁率,他可以是电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容最小。对于抑制电磁干扰用的铁氧体,最重要的性能参数为磁导率卩和饱和磁通密度Bs。磁导率卩可以表示为复数,实数部分构成电感,虚数部分代表损耗,随着频率的增加而增加。因此,它的等效电路为由电感 L和电阻R组成的串联电路,L和R都是频率的函数。当导线穿过这种铁氧体磁芯时,所构成的电感阻抗在形式上是随着频率的升高而增加,但是在不同频率时其机理是完全不同的。在低频段,阻抗由电感的感抗构成,低频时R很小,磁芯的磁导率较高,因此电感量较大, L起主要作用,电磁干扰被反射而受到抑制,并且这时磁芯的损耗较小,整个器件是一个低损耗、高 Q特性的电感,这种电感容易造成谐振因此在低频段,有时可能出现使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。在高频段,阻抗由电阻成分构成,随着频率升高,磁芯的磁导率降低,导致电感的电感量减小,感抗成分减小但是,这时磁芯的损耗增加,电阻成分增加,导致总的阻抗增加,当高频信号通过铁氧体时,电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉。铁氧体抑制元件广泛应用于印制电路板、电源线和数据线上。如在印制板的电源线入口端加上铁氧体抑制元件,就可以滤除高频干扰。铁氧体磁环或磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频干扰和尖峰干扰,它也具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。两个元件的数值大小与磁珠的长度成正比,而且磁珠的长度对抑制效果有明显影响,磁珠长度越长抑制效果越好。磁珠和电感的区别电感是储能元件,而磁珠是能量转换(消耗)器件。电感多用于电源滤波回路,侧重于抑止传导性干扰;磁珠多用于信号回路,主要用于 EMI方面。磁珠用来吸收超高频信号,象一些 RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR,SDRAM,RAMB等S都需要在电源输入部分加磁珠,而电感是一种储能元件,用在 LC振荡电路、中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过 50MHz。磁珠的单位是欧姆,而不是亨特,这一点要特别注意。因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。磁珠的DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图,一般以100MHz为标准,比如1000R@100MHz意思就是在100MHz频率的时候磁珠的阻抗相当于600欧姆。光电耦合器光电耦合器是一种光电结合的半导体器件,由发光器和受光器组成的一个“电—光—电”器件。当输入端有电信号输入时,发光器发光,受光器受到光照后产生电流,输出端就有电信号输出,实现了以光为媒介的电信号的传输。这种电路使输入端与输出端无导电的直接联系,有优良的抗干扰性能,广泛应用于电气隔离、电平转换、级间耦合、开关电路、脉冲耦合等电路。常见的光电耦合器有管式、双列直杆式等封装形式。上图为常用的光电二极管型耦合器及光电三极管型耦合器电路符号,以光电三极管为例说明光电耦器的工作过程:光敏三极管的导通与截止,是由发光二管所加正向电压控制的,当发光二极管加上正向电压时,发光二极管有电流通过而发光,使光敏三极管内阻减小而导通;反之,当发光二极管截止时,发光二极管中无电流通过,光敏三极管的内阻增大而截止。保险元件常用的保险元件有普通玻璃管熔丝、延迟型熔丝、熔断电阻和温度保险丝等,下面简单介绍各自特点:1、普通玻璃管熔丝这种保险元件十分常用,其价格低廉,使用方便,额定电流从0.1A到数十安不等,尺寸规格主要有18mm20mm22mm2、延迟型熔丝延迟型保险丝的特点是能承受短时间大电流(浪涌电流)的冲击,而在电流过载超过一定时限后又能可靠地熔断。这种熔丝主要用在开机瞬时电流较大的电子整机中,如彩电中就广泛使用了延迟型保险丝,其规格主要有2A、3A、4A等。延迟型熔丝常在电流规格前加字母T,如T2A,这可区别于普通熔丝。3、 熔断电阻熔断电阻又称保险电阻,是一种具电阻和保险丝双重功能的元件, 不过其电阻值通常较小,仅数欧至零点几欧,少数为几十欧或千欧,保险电阻大都起限流作用,因此主要功能还是起保险作用。保险电阻大都是灰色,用色环或数字表示阻值,额定功率由电阻尺寸大小决定,也有直接标在阻体上的。4、 可恢复保险丝可恢复保险丝是由高分子材料及导电材料混合做成的过流保护元件,在常温下,其阻抗很小,但在动作后会形成高阻状态,当故障排除后又自动返回低阻状态。依据能承受的最大电压,可恢复保险丝可分为多个系列, 每个系列中,又根据的不同工作电流, 分为若干型号。F表为某公司生产的WH60-005可恢复保险丝的电气特性:1H(A)1T(A)Time-to-TripVmax(V)1max(A)Rnin(Q)Rmax(Q)1trip(A)Tmax(S)0.050.100.15w106040512电气特性说明如下:Ih:最大工作电流(25C)It:最小动作电流(25C)Itrip:过载电流Tmax:过载电流最大动作时间Vnax:最大过载电压Imax:最大过载电流Rnin:最小电阻(25C)Rnax:最大电阻(25C)Time-to-Trip:过流特性可恢复保险丝在电路中的用法,当输入电压异常或负载短路引起电路电流 I突增时,可恢复保险丝起动后形成高阻状态,限制电路电流在一定的安全范围而起到保护电路的作用,如在故障排除后,可恢复保险丝自动返加低阻状态,电路又能进入正常工作。晶体振荡器(晶振)晶体振荡器是一种用于稳定频率和选择频率的电子元件,我们常说的晶体振荡器(也叫晶振),是从石英晶体上按一定的方位角切下薄片,然后在晶片的两个对应表面上涂上银层并装上一对金属引脚后用外壳密封就构成晶体振荡器(见示左图)。石英晶片能做振荡器是基于它的“压电效应”,即在晶片的两个极板间加一电场,会使晶片产生机械变形;返之,若在极板间施加机械压力,又会在相应的方向上产生电场,这种现象称为压电效应。如在极板间所加的是交变电压,就会产生机械变形振动,同时机械变形又会产生交变电场,但这种机械振动的振幅很小,但其振动频率是很稳定的。晶体振荡器按封装外形分有金属壳、玻璃壳、胶木壳和塑封等几种,按频率稳定度分有普通型和高精密型两种。晶体振荡器的主要电参数是标称频率 ?。、负载电容Cl、激励电平、工作温度范围和温度频差。 晶振元件组成振荡电路时需配接外部电容,此电容即负载电容,负载电容可从产品的技术参数查得。 Cl是参与决定振荡频率的,因此在规定的负载电容下晶振元件的振荡频率即为标称频率,标称频率都标注在外壳上,故很容易识别。激励电平是指晶振工作时消耗有效功率;温度频差是指在工作温度范围内的工作频率相对于基准温度下的最大偏离值,该参数代表了晶振的频率温度特性。霍尔器件霍尔器件是在霍尔效应原理的基础上利用集成电路技术制成的。当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地置于磁场中时,薄片两侧由此会产生出电位差,此现象即称为霍尔效应。薄片两侧产生的电位差称为霍尔电势。霍尔电势与外加磁场的磁感应强度 B、薄片中通过的电流I成正比,与薄片的厚度d成反比,即:U=K*B*l/d,K为霍尔系数,它与薄片的材料有关。霍尔器件按输出端功能可分为开关型、线性型霍尔器件;按有源类型可分为双极型和 MOSS。集成电路(IC)集成电路,就是在一块极小的单晶片上,利用半导体工艺制作许多晶体二极管、晶体三极管及电阻、电容等器件,并连接能完成特定功能的电子线路。这个太复杂,只能作一个简介。集成电路的种类相当多,按其功能不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。前者用来产生、放大和处理各种模拟电信号,后者则用来产生、放大和处理数字电信号。模拟信号是指幅度随时间连续变化的信号;数字信号是指时间上和幅度上离散取值的信号,也叫电脉冲或脉冲信号。按集成度不同,可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。集成度是指单位面积的芯片上所包含的电子元器件的数目。通常认为:芯片上的集成度小于100个元件或10个门电路的集成电路称为小规模集成电路;集成度为101〜1000个元件或11〜100个门电路称为中规模集成电路;集成度在 1001〜10万个元件或101〜1万个门电路称为大规模集成电路;集成度超过10万个元件或1万门电路称为超大规模集成电路。集成电路的分类还有很多,如按工艺结构或制造方法,可分为半导体集成电路、膜集成电路。为常见的集成电路外封装形式,其封装形式有圆形金属封装、扁平陶瓷、塑料处壳封装、单、双列直插式封装。引脚有4脚、8脚、14脚等多种。集成稳压器件三端固定集成稳压器件三端固定就是该集成稳压器件的引出脚只有三条:输入端、输出端,接地端,其输出电压是固定不能调节的;该器件内部设置了过流、芯片过热及调整器件安全工作区的保护电路,因此在使用时需要的外围元件很少,使用非常方便。三端固定集成稳压器件按输出电压类型分有正电压系列( 78系列)和负电压系列(79系列)两大系列,每个系列又有5V、6V、8V、9V、10V、12V、15V、18V、24V等多种类型的输出电压,每种类型又有 100mA(78LXX或79LXX)、500mA(78MKX或79MKX)、1.5A(78XX或79XX)的最大输出电流。三端固定集成稳压器命名规则,如 78L05为输出正5V电压,最大负载电流为100mA7909为输出负9V电压,最大负载电流为1.5A。1、三端固定集成稳压器参数三端固定集成稳压器参数以 7805为例说明参 数测试条件(Tj_25C)标准值单位最小典型最大输出电压VO5.0mAWIw1.0A4.85.05.2V7.0V<Vi<20V电压调整率Sv7.0VWVW25V350mV电流调整率Si5.0mA<Iow1.5A15100mV备用电流Iq4.26.0mA输出噪声电压Vno10Hz〜100Hz40200uV纹波抑制比SripF_100Hz,8Vwvi<18V6878dB最小输入输出压差|V|-Vo|Io1.0A2.02.5V短路输出限制电流Isc0.751.2A输出峰值电流Iop1.32.23.3A输出电压温度系数St±).6mV/C二、公司现有产品简介及传感器原理公司产品简介:压力传感器:传感器测量范围从几英寸的水柱到超过30000PSI的压力,适应于恶劣工况环境。MEA95力传感器产品主要应用范围包括:医疗仪器,汽车电子,柴油机高压共轨,轧机,工业仪表,压缩机,制冷, HVAC军事航天等领域。PC圭寸装式压力传感器MEAS5力传感器/变送器隔离膜片压力传感器静压式液位传感器位置传感器:MEAS勺直线位移、角位移、编码器和倾角传感器拥有极高的可靠性和最佳性价比,可适用于各种复杂的工业环境。直线位移传感器角位移传感器倾角传感器LVDT配套控制显示仪霍尔编码器磁阻传感器:基于磁阻效应工作原理,其核心部分采用一片特殊金属材料,其电阻值随外界磁场的变化而变化。具有宽的温度范围,可广泛应用于非接触位置测量,角度测量,特别适用于汽车节气阀位置,汽车座椅,方向盘,雨刷位置非接触测量等及千分尺的核心元件。振动传感器&加速度计:加速度计可以用于测量振动,冲击,速度,位移和倾斜等。产品广泛应用于汽车,医疗,军事/航空,以及消费类产品等领域,并拥有硅微机械加工(硅压阻),应变计邦定及压电材料等核心技术。硅压阻MEM技术加速度计-Entran压电薄膜振动传感器湿度传感器:拥有电容式原理的湿度传感器的专利技术,先进的自动化传感器生产线,严格的质量管理体系。湿度传感器已通过了汽车领域的 TS16949认证。产品从元件级温湿度传感器、 PCB莫块式传感器到一体化温湿度变送器。该产品主要应用于汽车电子、 HVAC医疗、家用电器、复印机、干衣机等众多领域。HS系列温湿度传感器HT系列湿度传感器-PCB模块HM系列湿度传感器/变送器光电传感器:传感器采用世界领先的硅平面扩散型光电二极管技术,专业生产医疗专用血氧探头.压电薄膜传感器:压电薄膜是一种独特的高分子传感材料,能相对于压力或拉伸力的变化输出电压信号,因此是一种理想的动态应变片,可加工成为高效可靠、低成本的振动传感器、加速度计或动态开关,也可作为高音频(>1kHz)至超声波(可高达100MHz)的高保真传感器。压电薄膜元件压电薄膜压电电缆压电薄膜超声波传感器压电薄膜加速度计交通传感器:交通传感器是精量电子-MEAS传感器在压电薄膜共聚合物轴类传感器产品的基础上开发出的两款智能交通传感器。该传感器广泛应用于行驶中称重 (WIM)、车速监控、闯红灯拍照、车型分类、车轴数及轴距测量、收费站地磅、停车区域监控、交通信息采集(道路监控)及机场滑行道等领域.力传感器:力传感器是精量电子-MEAS传感器采用MEMS技术制成的宇航、军工级别的超小、超可靠性、高性价比的特殊力传感器、称重传感器和为 OEM客户量身定制的经济型力传感器。带有放大输出功能的压电薄膜式力传感器,为巨大冲击力的测量提供了可靠的解决办法。F系列力传感器/称重传感器EL系列高性能力传感器温度传感器:生产高精度NTC热敏电阻、测温探头组合件及热电堆的领先者。 我公司生产的NTC热敏电阻、测温探头组合件及热电堆系列产品适用于广泛的温度测量、温度控制及温度补偿应用。精量电子在温度设计方面拥有50余年的经验,技术力量雄厚,可以满足医疗、国防军工、航天航空、仪器仪表、暖通空调、汽车电子及家用电器等领域对温度传感应用的特殊要求。红外温度传感器客户定制探头表面贴装温度传感器医用探头专用温度补偿传感器玻璃封装探头镍4000系列传感器原理:传感器是一种能把物理量或化学量转变成便于利用的电信号的器件。国际电工委员会 (IEC:InternationalElectrotechnicalCommittee)的定义为:“传感器是测量系统中的一种前置部件,它将输入变量转换成可供测量的信号”。一、 传感器的定义国家标准GB7665-87对传感器下的定义是:“能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用信号的器件或装置,通常由敏感元件和转换元件组成”。传感器是一种检测装置,能感受到被测量的信息,并能将检测感受到的信息,按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出,以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。它是实现自动检测和自动控制的首要环节。二、 传感器的分类目前对传感器尚无一个统一的分类方法,但比较常用的有如下三种:1、 按传感器的物理量分类,可分为位移、力、速度、温度、流量、气体成份等传感器2、 按传感器工作原理分类,可分为电阻、电容、电感、电压、霍尔、光电、光栅、热电偶等传感器。3、 按传感器输出信号的性质分类,可分为:输出为开关量(“1”和 ”0”或“开”和“关”)的开关型传感器;输出为模拟型传感器;输出为脉冲或代码的数字型传感器。关于传感器的分类:按被测物理量分:如:力,压力,位移,温度,角度传感器等;按照传感器的工作原理分:如:应变式传感器、压电式传感器、压阻式传感器、电感式传感器、电容式传感器、光电式传感器等;按照传感器转换能量的方式分:(1)能量转换型:如:压电式、热电偶、光电式传感器等;(2)能量控制型:如:电阻式、电感式、霍尔式等传感器以及热敏电阻、光敏电阻、湿敏电阻等;按照传感器工作机理分:(1)结构型:如:电感式、电容式传感器等;(2)物性型:如:压电式、光电式、各种半导体式传感器等;按照传感器输出信号的形式分:(1)模拟式:传感器输出为模拟电压量;(2)数字式:传感器输出为数字量,如:编码器式传感器。三、传感器的静态特性传感器的静态特性是指对静态的输入信号,传感器的输出量与输入量之间所具有相互关系。因为这时输入量和输出量都和时间无关,所以它们之间的关系,即传感器的静态特性可用一个不含时间变量的代数方程,或以输入量作横坐标,把与其对应的输出量作纵坐标而画出的特性曲线来描述。表征传感器静态特性的主要参数有:线性度、灵敏度、分辨力和迟滞等。四、传感器的动态特性所谓动态特性,是指传感器在输入变化时,它的输出的特性。在实际工作中,传感器的动态特性常用它对某些标准输入信号的响应来表示。这是因为传感器对标准输入信号的响应容易用实验方法求得,并且它对标准输入信号的响应与它对任意输入信号的响应之间存在一定的关系,往往知道了前者就能推定后者。最常用的标准输入信号有阶跃信号和正弦信号两种,所以传感器的动态特性也常用阶跃响应和频率响应来表示。\五、传感器的线性度通常情况下,传感器的实际静态特性输出是条曲线而非直线。在实际工作中,为使仪表具有均匀刻度的读数,常用一条拟合直线近似地代表实际的特性曲线、线性度(非线性误差)就是这个近似程度的一个性能指标。拟合直线的选取有多种方法。如将零输入和满量程输出点相连的理论直线作为拟合直线;或将与特性曲线上各点偏差的平方和为最小的理论直线作为拟合直线,此拟合直线称为最小二乘法拟合直线。六、传感器的灵敏度灵敏度是指传感器在稳态工作情况下输出量变化△ y对输入量变化△x的比值。它是输出一输入特性曲线的斜率。如果传感器的输出和输入之间显线性关系,则灵敏度S是一个常数。否则,它将随输入量的变化而变化。灵敏度的量纲是输出、输入量的量纲之比。例如,某位移传感器,在位移变化 1mm时,输出电压变化为200mV,则其灵敏度应表示为200mV/mm。当传感器的输出、输入量的量纲相同时,灵敏度可理解为放大倍数。提高灵敏度,可得到较高的测量精度。但灵敏度愈高,测量范围愈窄,稳定性也往往愈差。七、传感器的分辨力分辨力是指传感器可能感受到的被测量的最小变化的能力。也就是说,如果输入量从某一非零值缓慢地变化。当输入变化值未超过某一数值时,传感器的输出不会发生变化,即传感器对此输入量的变化是分辨不出来的。只有当输入量的变化超过分辨力时,其输出才会发生变化。通常传感器在满量程范围内各点的分辨力并不相同,因此常用满量程中能使输出量产生阶跃变化的输入量中的最大变化值作为衡量分辨力的指标。上述指标若用满量程的百分比表示,则称为分辨率。八、电阻式传感器电阻式传感器是将被测量,如位移、形变、力、加速度、湿度、温度等这些物理量转换式成电阻值这样的一种器件。主要有电阻应变式、压阻式、热电阻、热敏、气敏、湿敏等电阻式传感器件。九、电阻应变式传感器传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应,即在外力作用下产生机械形变,从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类,金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高(通常是丝式、箔式的几十倍)、横向效应小等优点。十、压阻式传感器压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件,扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视,尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用最为普遍。十一、热电阻传感器热电阻传感器主要是利用电阻值随温度变化而变化这一特性来测量温度及与温度有关的参数。在温度检测精度要求比较高的场合,这种传感器比较适用。目前较为广泛的热电阻材料为铂、铜、镍等,它们具有电阻温度系数大、线性好、性能稳定、使用温度范围宽、加工容易等特点。用于测量 -200C〜+500C范围内的温度。十二、传感器的迟滞特性迟滞特性表征传感器在正向(输入量增大)和反向(输入量减小)行程间输出 -一输入特性曲线不一致的程度,通常用这两条曲线之间的最大差值厶 MAX与满量程输出F•S的百分比表示。迟滞可由传感器内部元件存在能量的吸收造成十三、传感器常用术语传感器通常由敏感元件和转换元件组成。敏感元件是指传感器中能直接(或响应)被测量的部分。转换元件指传感器中能较敏感元件感受(或响应)的北侧量转换成是与传输和(或)测量的电信号部分。当输出为规定的标准信号时,则称为变送器。测量范围在允许误差限内被测量值的范围。量程测量范围上限值和下限值的代数差。精确度被测量的测量结果与真值间的一致程度。重复性在所有下述条件下,对同一被测的量进行多次连续测量所得结果之间的符合程度: 相同测量方法:……相同观测者:……相同测量仪器:……相同地点:……相同使用条件:……在短时期内的重复。分辨率传感器在规定测量范围圆可能检测出的被测量的最小变化量。阈值能使传感器输出端产生可测变化量的被测量的最小变化量。零位使输出的绝对值为最小的状态,例如平衡状态。激励为使传感器正常工作而施加的外部能量(电压或电流)。最大激励在适当条件下,能够施加到传感器上的激励电压或电流的最大值。输入阻抗在输出端短路时,传感器输入的端测得的阻抗。输出有传感器产生的与外加被测量成函数关系的电量。输出阻抗在输入端短路时,传感器输出端测得的阻抗。零点输出在市内条件下,所加被测量为零时传感器的输出。滞后在规定的范围内,当被测量值增加和减少时,输出中出现的最大差值。迟后输出信号变化相对于输入信号变化的时间延迟。漂移在一定的时间间隔内,传感器输出终于被测量无关的不需要的变化量。零点漂移在规定的时间间隔及室内条件下零点输出时的变化。灵敏度传感器输出量的增量与相应的输入量增量之比。灵敏度漂移由于灵敏度的变化而引起的校准曲线斜率的变化。热灵敏度漂移由于灵敏度的变化而引起的灵敏度漂移。热零点漂移由于周围温度变化而引起的零点漂移。线性度校准曲线与某一规定只限一致的程度。非线性度校准曲线与某一规定直线偏离的程度。25•长期稳定性传感器在规定的时间内仍能保持不超过允许误差的能力。26.固有频率在无阻力时,传感器的自由(不加外力)振荡频率。27•响应输出时被测量变化的特性。28•补偿温度范围使传感器保持量程和规定极限内的零平衡所补偿的温度范围。29•蠕变当被测量机器多有环境条件保持恒定时,在规定时间内输出量的变化。30.绝缘电阻如无其他规定,指在室温条件下施加规定的直流电压时,从传感器规定绝缘部分之间测得的电阻值。LVDT式位移传感器
LVDT将直线移动的机械量转成电量,主要用于位移测量和控制 •广泛用于测量预先被变成位移的各种物理量,如:伸长、膨胀、张力、压力、压差、加速度、振动、应变、流量、厚度、重量等输入铁芯的机械移动,输出是与铁芯位置成正比的交流信号。 这些交流信号我们通过电路转成直流信号来应用,如AD598。LVDT传感器的特点:结构简单,工作可靠,寿命长,线性度好,重复性好最高精度可达0.05%绝对误差1um重复性O.lum灵敏度高,每毫米位移量输出信号电压可高达几百 mV到几伏分辨率高,一般为O.lum,最高可达O.OOOlum测量范围广+/-0.1mm到+/-500mm时间常数小濒带宽,可达200HZ(5ms)甚至更高LVDT原理:・工作原理:-铁芯可动变压器・工作原理:-铁芯可动变压器SI P S2电原理结构示意图输出特性曲线LVDT结构1.线圈骨架?非金属塑料骨架?金属骨架-大行程LVDT加工较简单,强度好-耐高温、高强度、高压等特殊要求的 LVDT-使用频率不能高于2.5KHZ,否则影响精度2•外壳?不锈钢1Cr18Ni9Ti,有磁和无磁两种3•铁芯?重要部件,材料、工艺处理、几何尺寸对性能有很大影响?软磁材料,起始导磁率U0和导磁率U越高越好?铁芯的直径影响灵敏度,越粗灵敏度越高,但受空间位置限制?铁芯长度对线性度和灵敏度都有很大影响压电薄膜是一种独特的高分子传感材料,能相对于压力或拉伸力的变化输出电压信号 •这种压电效应就是此类传感器的基本原理。压电薄膜元件通常由四部分组成:金属电极、加强电压信号压膜、引线和屏蔽层。压电效应(PiezoelectricEffect)由物理学知,一些离子型晶体的电介质 (如石英、酒石酸钾钠、钛酸钡等 )不仅在电场力作用下,而且在机械力作用下,都会产生极化现象在这
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