硅片接收和检验

原硅片接收检验标准•目的：规定本公司的硅片检验流程，保证和持续提高产品质量•范围：用于本公司硅片的来料检验过程•职责：质量部门负责按照本标准严格执行硅片的来料检验工作。4.内容4.1硅片中金属杂质和碳氧含量标准，见表1表一硅片中金属杂质和碳氧含量杂志种类基体总金属杂质含量（fecrnicu） ppba表面总金属杂质含量（feznna）ppba氧(at0ms/cm3)碳(atoms/cm3)杂质含量（单晶N-type）W50<70<9X1017<5X1016杂质含量（单晶P-type）W50<70<9X1017<5X1016杂质含量（多晶P-type）<50<70<3X1017<5X10174.2硅片检验方法:Ltem检验项目Level检验水平AQL%Conductivetype导电类型H1Resistivity电阻率1Thicknesstolerance厚度1TTV厚度变化量1Bow弯曲度1Appearance外观Lndents凹坑1Chips崩边1SawMarks切痕1Craters应力1Cracks裂纹1Else其他1

4.2 P型单晶硅片检验标准 见表2检验项目合格标准检验方法说明导电类型P型冷热探针测试仪器电阻率(n.cm)1-3/3-6四探针测试仪器径向电阻率不均匀度RRVV25%四探针测试仪器对边宽(mm)125±0.5 165±0.5数显游标卡尺对角钱(mm)150±1 165±1200±1 205±1数显游标卡尺圆弧长(mm)27.77-32.20/10.4-14.1119.93-23.80/14.43-18.16模具方片角度90°±0.3°角尺厚度(um)200±20设备1.硅片的平均厚度为200微米；2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3•同批硅片的厚度要呈正态分布，即测量数据的均值±3,&应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TTVW30设备在保证硅片表面厚度情况，对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6mm各取一点)来换算厚度变化量位错密度(个/cm?)<1000供方保证项有效载流子寿命>1.35us，且>1.4us占90%以上WT-1000少子寿命测试仪体少子寿命>15usSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LID<3%预投流程验证硅片中心低响应(黑心片)比例<0.05%预投流程验证弯曲度至40塞尺切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度＜10um凹坑无凹坑目视硅片表面平整，无硅落现象穿孔无穿孔目视沾污无沾污目视不允许有肉眼可见的油污，硅粉,清洗剂，水痕朋边无崩边目视应力无应力手感当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声孪晶无孪晶目视从外观看，出现两个及以上的晶体划伤无划伤目视只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹，不论长度和面积大小都不合格

氧化膜末磨无氧化膜末磨目视缺口无缺口目视缺角无缺角目视裂纹/隐裂无裂纹/隐裂目视偏心偏离度v0.5mm模具4.3P型多晶硅片检验标准 见表3检验项目合格标准检验方法说明导电类型P型冷热探针测试仪电阻率（n.cm）1-3/3-6四探针测试仪径向电阻率不均匀RRVV25%四探针测试仪对边宽（mm）125±0.5156±0.5数显游标卡尺对角线（mm）175±1219±1数显游标卡尺倒角（mm）1X45°模具方片角度90°±30°角尺厚度200±20数显千分表或硅片检片机1•硅片的平均厚度为200微米；2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3•同批硅片的厚度要呈正态分布，即测量数据的均值±3,&应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TTVW30数显千分表在保证硅片表面厚度情况，对硅片表面取五点测试（中心点以及距四周边缘6mm各取一点）来换算厚度变化量有效载流子寿命>1.35us,且>1.4us占90%以上WT-1000少子寿命测试仪体少子寿命>2usSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LID^2%预投流程验证弯曲度至40塞尺微晶1厘米长度内至5个晶粒目视硅片表面任一方向明显切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度W10um凹坑无目视硅片表面平整，无硅落现象穿孔无目视粘污无目视不允许有肉眼可见的油污，硅粉,清洗剂，水痕朋边无目视应力无当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声

划伤无只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹，不论长度和面积大小都不合格缺口无缺角无裂纹/隐裂无4.4N型单晶硅片检验标准，见表4检验项目合格标准检验方法说明导电类型N型冷热探针测试仪器电阻率(n.cm)1-3/3-6四探针测试仪器径向电阻率不均匀度RRVV25%四探针测试仪器对边宽(mm)125±0.5 156±0.5数显游标卡尺对角钱(mm)165土1200±1 205±1数显游标卡尺圆弧长(mm)10.40-14.1119.93-23.80/14.43-18.16模具方片角度90°±0.3°角尺厚度(um)200±20数显千分表或硅片检片机1.硅片的平均厚度为200微米；2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3•同批硅片的厚度要呈正态分布，即测量数据的均值±3,&应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TTVW30数显千分表在保证硅片表面厚度情况，对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6mm各取一点)来换算厚度变化量位错密度(个/cm?)无供方保证项体少子寿命>1000usSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LIDW0.5%预投流程验证硅片中心低响应(黑心片)比例V0.05%预投流程验证弯曲度(um)至40塞尺切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度＜10um凹坑无凹坑目视硅片表面平整，无硅落现象穿孔无穿孔目视沾污无沾污目视不允许有肉眼可见的油污，硅粉,清洗剂，水痕朋边无崩边目视应力无应力手感当硅片拿在手上轻微晃动时