第二章 晶体三极管

第二章晶体三极管第1页，课件共84页，创作于2023年2月5.二极管的等效电路①折线化的等效电路②微变等效电路

6.常用的二极管①整流二极管②稳压二极管③发光二极管④光电二极管⑤变容二极管第2页，课件共84页，创作于2023年2月要求导通电压低时选_________；要求导通电压高时选_________；要求反向电流小时选_________；要求反向击穿电压高时_________；要求耐高温时选_________；要求导通电流大时选_________；要求工作频率高时选_________。锗二极管硅二极管点接触型二极管面接触型二极管第3页，课件共84页，创作于2023年2月

第二章半导体三极管第4页，课件共84页，创作于2023年2月（晶体三极管、半导体三极管简称晶体管）晶体管的结构及类型晶体管的几种常见外形第5页，课件共84页，创作于2023年2月晶体管的结构（以NPN管为例）及符号结构特点：①发射区掺杂浓度高，几何尺寸小；②集电区掺杂浓度低，几何尺寸大；③基区掺杂浓度很低，且很薄。构成：三区、三极、两结第6页，课件共84页，创作于2023年2月

晶体管的类型①按结构分①NPN型②PNP型②按材料分①硅管②锗管多为NPN型多为PNP型晶体管的电流放大作用基本的共射放大电路如图所示

晶体管起电流放大作用的外部条件：发射结正向偏置集电结反向偏置图中VCC>VBB第7页，课件共84页，创作于2023年2月三极管三种工作模式发射结正偏，集电结反偏。放大模式：发射结正偏，集电结正偏。饱和模式：发射结反偏，集电结反偏。截止模式：注意：三极管具有正向受控作用，除了满足内部结构特点外，还必须满足放大模式的外部工作条件。第8页，课件共84页，创作于2023年2月2.1放大模式下三极管工作原理2.1.1内部载流子传输过程PNN+-+-+V1V2R2R1IEnIEpIBBICnICBOIEIE=IEn+IEpICIC=ICn+ICBOIBIB=IEp+IBB-ICBO=IEp+(IEn-ICn)-ICBO=IE-IC第2章晶体三极管第9页，课件共84页，创作于2023年2月发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。发射区掺杂浓度>>基区掺杂浓度：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。

集电结反偏且集电结面积大：保证扩散到集电结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。第2章晶体三极管第10页，课件共84页，创作于2023年2月三极管特性——具有正向受控作用即三极管输出的集电极电流IC，主要受正向发射结电压VBE的控制，而与反向集电结电压VCE近似无关。注意：NPN型管与PNP型管工作原理相似，但由于它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向相反，加在各极上的电压极性相反。V1NPP+PNN+V2V2V1+

-+

--+-+IEICIBIEICIB第2章晶体三极管第11页，课件共84页，创作于2023年2月观察输入信号作用在哪个电极上，输出信号从哪个电极取出，此外的另一个电极即为组态形式。2.1.2电流传输方程三极管的三种连接方式——三种组态BCEBTICIEECBETICIBCEBCTIEIB(共发射极)(共基极)(共集电极)放大电路的组态是针对交流信号而言的。第2章晶体三极管第12页，课件共84页，创作于2023年2月共基极直流电流传输方程BCEBTICIE直流电流传输系数：直流电流传输方程：共发射极直流电流传输方程ECBETICIB直流电流传输方程：其中：第2章晶体三极管第13页，课件共84页，创作于2023年2月的物理含义：

表示，受发射结电压控制的复合电流IBB，对集电极正向受控电流ICn的控制能力。

若忽略ICBO，则：ECBETICIB

可见，为共发射极电流放大系数。第2章晶体三极管第14页，课件共84页，创作于2023年2月ICEO

的物理含义：

ICEO指基极开路时，集电极直通到发射极的电流。因为

IB=0IEPICBOICnIEn+_VCENPN+CBEICEOIB=0所以

IEp+(IEn-

ICn)=IE

-

ICn=ICBO因此第2章晶体三极管第15页，课件共84页，创作于2023年2月三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式：2.1.3放大模式下三极管的模型

数学模型(指数模型)

IS指发射结反向饱和电流IEBS转化到集电极上的电流值，它不同于二极管的反向饱和电流IS。式中第2章晶体三极管第16页，课件共84页，创作于2023年2月2.2晶体三极管模型2.2.1埃伯尔斯－莫尔模型

第17页，课件共84页，创作于2023年2月当发射结加正偏，集电结加反偏，晶体三极管工作在放大模式时:

当晶体三极管两个结均加正偏，IF和IR都较大,晶体三极管工作在饱和模式,IC和IE将同时受到两个结正偏电压的控制，三极管失去正向受控作用。且随着集电结正偏电压VBC的增大，IR增大，导致IC和IE迅速减小，同时IB迅速增加，当晶体三极管两个结均加反偏，晶体三极管工作在截止模式时，IC

0，IE

0，因而IB

0放大模式截止模式饱和模式第18页，课件共84页，创作于2023年2月2.2.2放大模式直流简化电路模型ECBETICIB共发射极VBE(on)为发射结导通电压，工程上一般取：硅管VBE(on)=0.7V锗管VBE(on)=0.25V第2章晶体三极管电路模型VBE+-ECBEICIBIB

VCE+-直流简化电路模型VBE(on)ECBEICIBIB

+-+-VCE第19页，课件共84页，创作于2023年2月

三极管参数的温度特性温度每升高1

C，

/

增大0.5%1%，即温度每升高1

C，VBE(on)

减小(22.5)mV，即温度每升高10

C，ICBO

增大一倍，即第2章晶体三极管第20页，课件共84页，创作于2023年2月PNN+V1V2R2R1饱和模式(E结正偏，C结正偏)-+IF

FIF+-IR

RIRIE=IF-

RIRICIC=

FIF-IRIE

结论：三极管失去正向受控作用。第2章晶体三极管第21页，课件共84页，创作于2023年2月饱和模式直流简化电路模型ECBETICIB共发射极通常，饱和压降

VCE(sat)

硅管

VCE(sat)

0.3V锗管

VCE(sat)

0.1V电路模型VBE+-ECBEICIB+-VCE(sat)直流简化电路模型VBE(on)ECBEICIB+-+-VCE(sat)若忽略饱和压降，三极管输出端近似短路。即三极管工作于饱和模式时，相当于开关闭合。第2章晶体三极管第22页，课件共84页，创作于2023年2月截止模式(E结反偏，C结反偏)若忽略反向饱和电流，三极管IB

0，IC

0。即三极管工作于截止模式时，相当于开关断开。ECBETICIB共发射极电路模型VBE+-ECBEICIB截止模式直流简化电路模型直流简化电路模型ECBEIC

0IB

0第2章晶体三极管第23页，课件共84页，创作于2023年2月第24页，课件共84页，创作于2023年2月放大电路小信号作用时，在静态工作点附近的小范围内，特性曲线的非线性可忽略不计，近似用一段直线来代替，从而获得一线性化的电路模型，即小信号(或微变)电路模型。晶体三极管小信号电路模型三极管作为四端网络，选择不同的自变量，可以形成多种电路模型。最常用的是混合

型小信号电路模型。第2章晶体三极管第25页，课件共84页，创作于2023年2月混合Π型电路模型的引出基区体电阻发射结电阻与电容集电结电阻与电容反映三极管正向受控作用的电流源由基区宽度调制效应引起的输出电阻ibicbcerbb

rbecbecbcrbcb

gmvb

erce第2章晶体三极管第26页，课件共84页，创作于2023年2月混合

型小信号电路模型若忽略rbc

影响，整理后即可得出混合型电路模型。rb

ercecbccberbb

bcegmvb

eb

ibic电路低频工作时，可忽略结电容影响，因此低频混合型电路模型简化为：rb

ercerbb

bcegmvb

eb

ibic第2章晶体三极管第27页，课件共84页，创作于2023年2月小信号电路参数rbb

基区体电阻，其值较小，约几十欧，常忽略不计。

rbe

三极管输入电阻，约千欧数量级。跨导gm表示三极管具有正向受控作用的增量电导。rce三极管输出电阻，数值较大。RL<<rce时，常忽略。第2章晶体三极管第28页，课件共84页，创作于2023年2月简化的低频混

电路模型由于因此，等效电路中的gmvb

e，也可用ib

表示。cbeTiCiBrb

ebcegmvb

eibic=ib注意：小信号电路模型只能用来分析叠加在Q点上各交流量之间的相互关系，不能分析直流参量。第2章晶体三极管第29页，课件共84页，创作于2023年2月2.2.3晶体三极管伏安特性曲线伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用于任何工作模式。IB=f1E(VBE)VCE=常数IC=f2E(VCE)IB=常数共发射极输入特性：输出特性：+-TVCEIBVBEIC+-第2章晶体三极管第30页，课件共84页，创作于2023年2月输入特性曲线VCE=0IB/

AVBE/VVBE(on)0.3V10VOV(BR)BEOIEBO+ICBO

VCE一定：类似二极管伏安特性。

VCE增加：正向特性曲线略右移。由于VCE=VCB+VBEWB

WBEBC基区宽度调制效应注：VCE>0.3V后，曲线移动可忽略不计。因此当VBE一定时：VCE

VCB

复合机会IB

曲线右移。第2章晶体三极管第31页，课件共84页，创作于2023年2月输出特性曲线

饱和区(VBE

0.7V，VCE

<0.3V)IC/mAVCE/VOIB=40A30A20A10A0特点：条件：发射结正偏，集电结正偏。IC不受IB控制，而受VCE影响。VCE略增，IC显著增加。输出特性曲线可划分为四个区域：饱和区、放大区、截止区、击穿区。第2章晶体三极管第32页，课件共84页，创作于2023年2月

放大区(VBE

0.7V，

VCE

>0.3V)IC/mAVCE/VOIB=40A30A20A10A0特点条件发射结正偏集电结反偏VCE

曲线略上翘具有正向受控作用满足IC=

IB+ICEO说明IC/mAVCE/VOVA上翘程度—取决于厄尔利电压VA上翘原因—基区宽度调制效应(VCE

IC略

)第2章晶体三极管第33页，课件共84页，创作于2023年2月在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的修正方程基宽WB越小调制效应对IC影响越大则VA越小。

与IC的关系：ICO

在IC一定范围内

近似为常数。IC过小使IB造成

。IC过大发射效率

造成

。考虑上述因素，IB等量增加时，ICVCEO输出曲线不再等间隔平行上移。第2章晶体三极管第34页，课件共84页，创作于2023年2月

截止区(VBE

0.5V，VCE

0.3V)IC/mAVCE/VOIB=40A30A20A10A0特点：条件：发射结反偏，集电结反偏。IC0，IB0近似为

IB≤0以下区域

严格说，截止区应是IE=0即IB=-ICBO以下的区域。因为IB在0-ICBO时，仍满足第2章晶体三极管第35页，课件共84页，创作于2023年2月

击穿区特点：VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。V(BR)CEO集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。注意：IB=0时，击穿电压为V(BR)CEOIE=0时，击穿电压为V(BR)CBOV(BR)CBO>V(BR)CEOIC/mAVCE/VOIB=40A30A20A10A0IB=-ICBO(IE=

0)V(BR)CBO第2章晶体三极管第36页，课件共84页，创作于2023年2月

三极管安全工作区ICVCEOV(BR)CEOICMPCM最大允许集电极电流ICM(若IC>ICM造成

)反向击穿电压V(BR)CEO(若VCE>V(BR)CEO管子击穿)VCE<V(BR)CEO

最大允许集电极耗散功率PCM(PC=ICVCE，若PC>PCM烧管)PC<PCM

要求IC

ICM第2章晶体三极管第37页，课件共84页，创作于2023年2月3.晶体管的主要参数一、直流参数1.共射直流电流放大系数2.共基直流电流放大系数3.极间反向电流①ICBO：集电结反向饱和电流。

②ICEO：穿透电流IC>>ICEO若不计ICBO说明选管原则：β＝几十～100多，好硅管比锗管的温度稳定性好第38页，课件共84页，创作于2023年2月1.共射交流电流放大系数β

2.共基交流电流放大系数α3.特征频率fT

二、交流参数说明近似地，第39页，课件共84页，创作于2023年2月三、极限参数1.最大集电极耗散功率PCM

2.最大集电极电流

ICM

3.极间反向击穿电压集－基极反向击穿电压U(BR)CBO（几十～上千伏）

集－射极反向击穿电压U(BR)CEO[U(BR)CEO<U(BR)CBO]射－基极反向击穿电压U(BR)EBO（1V~几V）

要求：pC<PCM要求：iC<ICM要求：uCE<u(BR)CEO晶体管的安全工作区第40页，课件共84页，创作于2023年2月4.温度对晶体管特性及参数的影响一、温度对ICBO的影响

二、温度对输入特性的影响温度每升高100C,ICBO增加约一倍。TICBOT正向特性曲线左移温度每升高10℃，|uBE|大约下降2～2.5mV第41页，课件共84页，创作于2023年2月

三、温度对输出特性的影响T曲线上移结论T输入特性左移ICEOIC第42页，课件共84页，创作于2023年2月

【例1】在一个单管放大电路中，电源电压为30V。已知三只管子的参数如表所示，请选用一只管子，并简述理由。晶体管参数T1T2T3ICBO/μA0.010.10.05UCEO/V505020β15100100【解】选T2管第43页，课件共84页，创作于2023年2月小结1.晶体管的特性曲线①输入特性曲线②输出特性曲线

2.晶体管的参数①直流参数：②交流参数：β、α、fT③极限参数：PCM、ICM、U（BR）CEO3.温度对晶体管特性及参数的影响第44页，课件共84页，创作于2023年2月由于交流信号均叠加在静态工作点上，且交流信号幅度很小，因此对工作在放大模式下的电路进行分析时，应先进行直流分析，后进行交流分析。直流分析法分析指标：IBQ、ICQ、VCEQ分析方法：图解法、估算法

交流分析法分析指标：Av

、Ri、Ro分析方法：图解法、微变等效电路法

第2章晶体三极管2.3三极管电路分析方法第45页，课件共84页，创作于2023年2月一、图解法确定Q点由基极回路：EC=IBRB+UBE由集电极回路：EC=ICRC+UCE由输入特性曲线：IB=f1(UBE)由输出特性曲线：IC=f2(UCE)RB+ECRCT2.3.1图解分析法优点：便于直接观察Q点位置是否合适，输出信号波形是否会产生失真。要求：已知三极管特性曲线和管外电路元件参数。第46页，课件共84页，创作于2023年2月(1)由电路输入特性确定IBQ

写出管外输入回路直流负载线方程(VBE

-

IB)。图解法分析步骤：在输入特性曲线上作直流负载线。找出对应交点，得IBQ与VBEQ。(2)由电路输出特性确定ICQ与VCEQ

写出管外输出回路直流负载线方程(VCE

-

IC)。在输出特性曲线上作直流负载线。找出负载线与特性曲线中IB=IBQ曲线的交点，即Q点，得到ICQ与VCEQ。第2章晶体三极管第47页，课件共84页，创作于2023年2月先估算IB，然后在输出特性曲线上作出直流负载线，与IB对应的输出特性曲线与直流负载线的交点就是Q点。ICUCEQEC2、直流负载线一、图解法确定Q点直流负载线的特点（1）

与横轴的截距为EC（2）

与纵轴的截距为EC/Rb或EC/RC（3）与横轴的锐夹角为α=tg-11/RC第48页，课件共84页，创作于2023年2月3、电路参数的改变时对Q点的影响一、图解法确定Q点ICUCEQECRB+ECRCT（1）

RB的影响若改变RB，就会改变偏流IBRB↓→EC/RB↑→IB↑→Q↑Q’（2）

RC的影响若改变RC，直流负载线的斜率会发生变化RC↓→EC/RC↑→Q右移Q’’第49页，课件共84页，创作于2023年2月3、电路参数的改变时对Q点的影响一、图解法确定Q点ICUCEQECRB+ECRCT（3）

电源EC的影响改变EC，直流负载线发生平移EC↑→Q↑RB、RC、EC的改变都对Q点的位置有影响，但RB的影响最大，故为了得到合适的Q点，常常调节RB。Q’第50页，课件共84页，创作于2023年2月例1已知电路参数和三极管输入、输出特性曲线，试求IBQ、ICQ、VCEQ。Q输入回路直流负载线方程VBE=VBB

-

IBRBVBBVBB/RBVBEQIBQ+-IBVBBIC-+VCCRBRC+-VBE+-VCE输出回路直流负载线方程VCE=VCC

-

ICRCICVCEOVBEIBOIB=

IBQVCCVCC/RCQICQVCEQ第2章晶体三极管第51页，课件共84页，创作于2023年2月工程近似法--估算法即利用直流通路，计算静态工作点。直流通路是指输入信号为零，耦合及旁路电容开路时对应的电路。分析步骤：确定三极管工作模式。用相应简化电路模型替代三极管。分析电路直流工作点。只要VBE

0.5V(E结反偏)截止模式假定放大模式，估算VCE：若VＣE

>0.3V放大模式若VＣE<0.3V饱和模式第2章晶体三极管第52页，课件共84页，创作于2023年2月例2已知VBE(on)=0.7V，VCE(sat)=0.3V，

=30

，试判断三极管工作状态，并计算VC。解：假设T工作在放大模式VCCRCRB(+6V)1k

100k

T因为VCEQ>0.3V，所以三极管工作在放大模式。VC=VCEQ=4.41V第2章晶体三极管第53页，课件共84页，创作于2023年2月例3若将上例电路中的电阻RB改为10k，试重新判断三极管工作状态，并计算VC。解：假设T工作在放大模式VCCRCRB(+6V)1k

10k

T因为VCEQ<0.3V，假设不成立，所以三极管工作在饱和模式。第2章晶体三极管第54页，课件共84页，创作于2023年2月例4已知VBE(on)=0.7V，VCE(sat)=0.3V，

=30

，试判断三极管工作状态，并计算VC。解：所以三极管工作在截止模式，VCCRCRB1(+6V)1k

100k

TRB22k

<VBE(on)第2章晶体三极管+-VBBRBRC+-VCC第55页，课件共84页，创作于2023年2月1、交流负载线ic其中：uceRBRCRLuiuo交流通路二、动态分析因为iC=IC+icuCE=UCE+uce

同时uce=uo=-icRL'=-(iC-IC)RL'则uCE=UCE-(iC-IC)RL'或iC=(-1/RL')uCE+(UCE+ICRL')/RL'结论（1）交流负载线的斜率是-1/RL'，与横轴的锐夹角为α=tg-11/RL'（2）iC=IC时uCE=UCE说明交流负载线通过Q点。第56页，课件共84页，创作于2023年2月交流负载线的作法ICUCEECQIB方法1：过Q点作一条直线，斜率为：交流负载线1、交流负载线图解法二、动态分析第57页，课件共84页，创作于2023年2月交流负载线的作法ICUCEECQIB方法2：过原点作一斜率为-1/RL'的辅助直线，再平行移动通过Q点即为交流负载线。交流负载线1、交流负载线图解法二、动态分析第58页，课件共84页，创作于2023年2月交流负载线的作法ICUCEECQIB方法3：

选择两个特殊的点──静态工作点、与横轴的交点。与横轴的交点的作法：令iC=0、由交流负载方程得uCE=UCE+ICRL'

1、交流负载线图解法二、动态分析第59页，课件共84页，创作于2023年2月ICUCEECQIB说明（1）当有交流信号输入时，电路的瞬时工作状态将沿着交流负载线移动。（2）直流负载线只能用来确定静态工作点。（3）当RL=∞时，直流负载线与交流负载线重合。1、交流负载线图解法二、动态分析第60页，课件共84页，创作于2023年2月2、用图解法描绘放大电路各处的电流和电压的波形作图步骤（1）

确定放大器的直流工作状态。（2）

按照输入电压的变化规律，在输入特性上画出iB的波形。（3）

在输出特性上按iB的波形作出iC和uCE的波形。注意：☆各级电流和电压的交流分量是总瞬时值的一部分。虽然极性和方向始终不变，但为了分析和计算方便，其中交流分量的极性和方向可以认为是变化的。这样对交流分量的分析就存在一个假定正方向的问题。☆各级电流和电压的交流成分保持一定的相位关系：输出电压与输入电压相位相反是共射极电路的重要特点之一。图解法二、动态分析第61页，课件共84页，创作于2023年2月IBUBEQuCE怎么变化？iBtiCtuit图解法二、动态分析2、用图解法描绘放大电路各处的电流和电压的波形ICUCEQuCEt#动态工作时，iB、iC的实际电流方向是否改变，vCE的实际电压极性是否改变？第62页，课件共84页，创作于2023年2月IBUBEQiBtuit图解法二、动态分析3、根据图解的结果计算放大器的放大倍数Au=Uo/Ui

Ai=Io/Ii

Ap=Au·AiiCtICUCEQuCEt第63页，课件共84页，创作于2023年2月在放大电路中，输出信号应该成比例地放大输入信号（即线性放大）；如果两者不成比例，则输出信号不能反映输入信号的情况，放大电路产生非线性失真。失真产生的原因：①晶体管的非线性。解决的办法；选管子：线性区要宽，输入曲线成直线，输出曲线簇接近于平行等距。②静态工作点不合适。图解法二、动态分析4、失真分析第64页，课件共84页，创作于2023年2月iCuCEuo可输出的最大不失真信号ib图解法二、动态分析4、失真分析（1）Q点合适时第65页，课件共84页，创作于2023年2月iCuCEuo（2）Q点过低，信号进入截止区放大电路产生截止失真输出波形输入波形ib图解法二、动态分析4、失真分析第66页，课件共84页，创作于2023年2月iCuCE（3）Q点过高，信号进入饱和区放大电路产生饱和失真ib输入波形uo输出波形为了得到尽量大的输出信号，要把Q设置在交流负载线的中间部分。如果Q设置不合适，信号进入截止区或饱和区，造成非线性失真。图解法二、动态分析4、失真分析第67页，课件共84页，创作于2023年2月5.BJT的三个工作区当工作点进入饱和区或截止区时，将产生非线性失真。饱和区特点：

iC不再随iB的增加而线性增加，即此时截止区特点：iB=0，iC=ICEOvCE=VCES，典型值为0.3V放大区特点：iC=βiB，vCE≥1V第68页，课件共84页，创作于2023年2月6.输出功率和功率三角形

要想PO大，就要使功率三角形的面积大，即必须使Vom和Iom都要大。功率三角形放大电路向电阻性负载提供的输出功率在输出特性曲线上，正好是三角形

ABQ的面积，这一三角形称为功率三角形。第69页，课件共84页，创作于2023年2月2.3.2等效电路分析法例1在下图(a)所示电路中，已知

＝100，(1)试求晶体三极管的各极电压和电流值；(2)将RC增大到20k

，试求IB和IC值；(3)RC仍为5.8k，而将RB减小到10k，试求IB和IC。

假设晶体三极管工作在放大模式，将晶体三极管用放大模式下的大信号等效电路模型表示，如图(b)所示。

解:(1),假设成立，计算有效一、直流分析第70页，课件共84页，创作于2023年2月(2)同样先假设晶体三极管工作在放大模式，输入回路与(1)一样，得到IB=10

A，IC=1mA，则

假设不成立，三极管需要采用饱和模式下的等效电路模型，重新计算得到

例1中饱和模式等效电路

IB=10

A(3)同样先假设晶体三极管工作在放大模式，采用与(1)中一样的方法求得IB=100

A，IC=10mA，VCE＝－46V<0.3V，故假设不成立，三极管需要采用饱和模式下的等效电路模型，重新计算得到IB=100

A，IC=2mA。直流分析时，输入回路只需要考虑三极管的VBE(on)，增加RC或减小RB(或增大VBB)，都可使晶体三极管自放大模式进入饱和模式。第71页，课件共84页，创作于2023年2月例2试求下图(a)所示电路中晶体三极管的各极电压和电流值。已知

＝100。

先将电路转化为(b)所示电路，再通过戴维宁定理将电路等效为(c)所示电路。

解:第72页，课件共84页，创作于2023年2月例3试求下图(a)所示电路中晶体三极管的各极电压和电流值。已知

＝100。

解:(a)(b)

与例2一样，先通过戴维宁定理将电路等效为(b)所示电路，VBB＝2V，RB＝16.67k

。

输入回路直流方程

：也可以直接先求IE：第73页，课件共84页，创作于2023年2月试求下图所示电路各极交流电流和电压值。已知ICQ=1mA，v=20sint(mV)，=100，VA=100V。二、交流分析例4分析方法：先根据直流工作点求三极管的各个小信号参数，并在电路的交流通路中用小信号电路模型取代晶体三极管

，再求解交流电流和电压值。解:第74页，课件共84页，创作于2023年2月利用三极管放大区iB恒定时iC接近恒流的特性，可构成集成电路中广泛采用的一种单元电路——电流源。iCvCEOiBVCE(sat)QiCR+-VQ+viB恒值外电路(负载电路)该电流源不是普通意义上的电流源，因它本身不提供能量。电流源电路的输出电流I０，由外电路中的直流电源提供。I０只受IB控制，与外电路在电流源两端呈现的电压大小几乎无关。就这个意义而言，将其看作为电流源。第2章晶体三极管2.4三极管应用原理2.4.1电流源第75页，课件共84页，创作于2023年2月2.4.2放大器一、放大器的组成基本放大器由4部分构成：晶体三极管偏置电路信号源负载二、放大器的直流通路和交流通路

交流通路：隔直流电容和旁路电容短路，扼流圈等大电感开路，独立的直流电压源短路，独立的直流电流源开路。

直流通路：隔直流电容和旁路电容开路，电感短路。第76页，课件共84页，创作于2023年2月实际放大器电路直流通路交流通路

三、放大器的偏置电路

基本要求：一是提供放大管所需的静态工作点Q；二