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文档简介

§6-2功函数和接触势差

1热电子发射和功函数

热电子发射电流密度W——功函数金属中电子势阱高度为

——正离子的吸引——电子获得足够的能量有可能脱离金属——产生热电子发射电流

经典电子论热电子发射电流密度的计算速度在区间的电子数密度——电子服从麦克斯韦速率分布率——电子沿X方向发射，发射电流密度功函数——比较热电子发射电流密度——经典电子论中的电子相当于导带中的电子带底与势阱对应功函数

——导带底一个电子离开金属必须做的功

量子理论热电子发射电流密度的计算——电子的速度——电子的能量——将电子看作准经典粒子对两边微分单位体积(V=1)中，在中量子态数费米分布函数内平均电子数离开金属外表满足与经典结果比照功函数——比较热电子发射电流密度W——导带中费密能级附近的电子离开金属必须做的功2不同金属中电子的平衡和接触电势

——两块不同金属A和B相互接触金属的费米能级不同，相互接触时发生电子交换到达平衡后,两块金属中产生接触电势差——接触电势差的计算

单位时间从金属A单位外表逸出的电子数——电流密度单位时间从金属B单位外表逸出的电子数——金属的静电势——A板接触面带正电B板接触面带负电——两块金属中的电子分别具有附加的静电势能金属A和金属B发射电子数——两块金属到达平衡接触电势差接触电势差——接触电势差来源于两块金属的费米能级不一样高——电子从费米能级较高的金属流向费米能级较低的金属——到达平衡时，两块金属的费米能级相同接触电势差补偿了原来两块金属的费米能级差

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