华灿光电（苏州）有限公司LED外延片芯片项目环评报告

本简本内容由南京国环环境科技发展股份有限公司编制，并经华灿光电(苏州)有限公司确认同意提供给环保主管部门作为《华灿光电(苏州)有限公司LED外延片芯片项目》环境影响评价审批受理信息公开。华灿光电(苏州)有限公司、南京国环环境科技发展股份有限公司对简本文本内容的真实性、与环评文件全本内容的一致性负责。前言 二、建设项目周围环境现状 14三、工程建设的环境影响预测及拟采取的主要措施与效果 18 五、环境影响评价结论要点 52 1《华灿光电(苏州)有限公司LED外延片芯片项目》环境影响报告书的编制已完作。营业利润13455万元。华灿光电(苏州)有限公司是由华灿光电股份有限公司投资设立的全资子公司，公司位于江苏省苏州市张家港经济技术开发区晨丰公路，成立于2012年9月。本项目由华灿光电(苏州)有限公司投资建设，项目建成后正常年年产42万华灿光电股份有限公司是国内领先的LED芯片供应商，本项目依托母公司技术和营销资源，具有良好的市场发展前景。目前全球LED照明市场需求量呈持续增长的趋势，应用领域越来越广，本项目的实施将巩固并提高华灿光电公司在LED芯片全球市项目名称LED外延片芯片项目建设地点张家港经济技术开发区北区拓展区内，南临晨丰公路。建设性质新建工作制度年工作日数为350天，四班三运转制，每班工作时间8h总投资181236万元人民币，其中环保投资1540万元，占总投资的0.85%总占地面积总占地面积112015.2m2；绿化面积14337.9m2，绿化率12.8%员工人数厂内职工总人数921人虹路，(1)项目组成2设计能力(m2).9存放3只11t氨气槽车(5个车位)。存放2辆氢气鱼雷车(6个车位)。5m3/am3/h3台2016m3/h冷却塔(两用一备)。位于动力3台20m3/min空压机(两用一备)。位于动力3台制冷机(1备)，T8MW热水锅炉+4t/hNm。mh3(2)项目工艺流程料包括蓝宝石衬底片、MO源、氨气(NH3)、浓度为200ppm的硅烷(SiH4)等。外延4TMGa、SiH4W:有机废水G11:W:有机废水G11:乙醇NHNHNHNHS12:有机废液G12:正胶、增粘剂G13:酸性废气S13:废显影液W12:有机废水NHNHNHNH S液W13:酸性废水G15：含氨含尘废气G18含氨含尘5(1)检验及清洗(2)PSS(衬底图形化)图形化衬底技术(PattemedSapphireSubstrate)，简称“PSS”。通过在蓝宝石LED衬底表面制作具有细微结构的图形，然后再在图形化衬底表面进行LED材料外延。蓝宝PSS包括：光刻(具体同芯片生产光刻工艺)、干法刻蚀(具体同芯片生产ICP刻表(3)清洗：刻蚀后的基片送至芯片厂房清洗。基片进入清洗槽，将基片按要求依次经过酸洗(硫酸、双氧水)、纯水洗，烘干后送至外延厂房进入下一工序。(4)MOVCD(有机金属化学气相沉积)，MOVCD外延炉要进行抽真空，可使外延生长3)压力温度控制常MOCVD外延炉的反应室压力为100-400托(Torr，0℃时1mmHg)，衬底温度为4)外延生长在一定温度(550℃)及压力下，通入高流速的氢气和氮气的混合气体，用N2保护、6H2作载体，使三甲基镓(TMGa)、三乙基镓(TEGa)和氨气反应生成GaN层，GaN(用于掺杂)反应生成GaN的N电极层，生长时间约60min。Ga(CH3)3+In(CH3)3+2NH3→InGaN+6CH4使三甲基镓、三甲基铝、氨气反应生成AlGaN层，此步会有甲烷气体生成。其反应方Ga(CH3)3+Al(CH3)3+2NH3→AlGaN+6CH4N(5)降温取片：从MOVCD外延炉取出生长完成的外延片。外延材料生长时炉内(6)检测：在常温常压下，检查外延片的量子阱以及发光性能等，合格的产品包装后入库。不合格外延片返工至工序(1)有机清洗除胶后继续加工生产。7双氧水W水烤S212铝GW水SiO2光刻S215OW水G：去胶液双氧水W水烤S212铝GW水SiO2光刻S215OW水G：去胶液蜡水G：乙醇W水W水W水 不符合使用GG废气S废液W：含氟废水G210：去胶液、丙酮乙醇S28：有机废液W：有机废水要求的合格品符合使用要求的合格品片ITO光刻W：有机废水G212：酸性废气S210：酸性废液W28：酸性废水W：有机废水ICP刻蚀CBL光刻 NHF8(1)清洗：清洗工作是在不破坏外延片表面特性的前提下，有效的使用化学溶液清除外延片表面的各种残留污染物。将外延片按要求依次经过酸洗(硫酸)、双氧水洗、1)涂胶、软烤：涂敷光刻胶之前，将洗净的外延片表面涂上附着性增强剂，可增的粘度和匀胶的转速来控制。光刻胶主要是由对光与能量非常敏感的高分子聚合物组2)曝光：在掩模版的遮蔽下，对光刻胶进行曝光。3)显影：将曝光后的外延片放到显影机里，片子在机台内高速旋转，同时片子上4)显影后无需清洗，直接烘干。9其原理是利用10%的硅烷(SiH4/H2)热分解得到硅外延层的生长技术。先将腔体抽至低压，再流进特定气体(10%SiH4和笑气)，并将腔体控制在特定压力下，温度约设定200~300℃，以射频产生器来产生电浆，而使存在于空间中的气体被活化而可以在更低确保SiH4等完全分解。淀积前，腔体内部需抽真空处理，设备起始真空度可达CFOSiOSiF4与氢氟酸生成氟硅酸(六氟合硅酸)，方程式：(8)去胶和清洗：经腐蚀完成图形复制以后，将外延片依次放入去胶液槽、丙酮(9)ITO蒸镀：在真空环境下，在外延层表面镀上一层ITO膜。本项目ITO蒸镀采用真空蒸发法，是采用电子束加热法将金属原料蒸发沉积到外延片上的一种成膜方法。蒸发原料的分子(或原子)的平均自由程长(10-4Pa以下，达几十米)，所以在真ITO蒸镀使用的主要材料为氧化铟、氧化锡等。使用的主要设备为ITO蒸镀台。(10)退火：将蒸镀的ITO透明电极进行热退火，使ITO膜重结晶，膜质更致密，。(13)NP电极光刻：外延片经电极光刻对需要区域进行保护，露出少量不需要的(14)焊盘制备(蒸镀)：在芯片上制作焊盘。焊盘的作用是芯片封装时，通过焊胶后冲洗。具体操作同前述(8)去胶和清洗。同(5)钝化层制备。SiOSiOSiO露出P、N两SiO挥发性的氟化物，生成物被泵抽离反应腔体。量纯水冲洗。具体操作同前述(8)去胶和清洗。(21)减薄：通过蜡将外延片粘接在研磨盘上，放入研磨机内，用砂轮打薄衬底，片作为圆片外售给低要求的厂方使用；符合要求的外延片则进入切割工段进行划片切(28)目检：在显微镜下用真空吸笔将外观不合格和点墨水的芯片剔除。(1)产业政策符合性敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等)制造”。亦属于《江苏省工业和信息产业结构调整指导目录》(2012年本)鼓励类中信息产业类第23条“新型电子元器件(片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光、高密度印刷电路板和柔性电路板等)新敏感元器件及传感器、新型机电元件等)制造”。(2)符合地区规划要求(1)与《江苏省国民经济和社会发展第十二五规划纲要》的相符性(2)与《苏州市经济和发展第十二五规划纲要》的相符性(3)与《张家港市城市总体规划(修编)2003-2020》的相符性(4)与江苏张家港经济开发区北区拓展区规划及环境影响报告书批复的符合性项目选址于江苏张家港经济开发区北区拓展区，北区拓展区区域环评于2008年10月取得江苏省环保厅的批复(苏环管[2008]241号)。本项目建设地属于北区拓展区中。(5)与江苏省重要生态功能区划的符合性分析(6)与苏环办[2011]177号相符性业(或项目)排放污水严谨直接接入城市生活污水处理厂处理。]241号)。拓展区产业定位为光电(不含电镀)、光伏(不含单晶、多晶硅原料生产)、新能源、新材料(不含化学新材料)、精密机械及装备(不含电镀)等高新技术产业，项目属于光电行业，本项目生产过程中不使用重金属作为生产原辅料，因此，符合苏环办[2011]177号建设项目周围环境现状距离(m)N2000人E642人N215人NE316人W41人250人彩虹苑小区(规ESN准(1)环境空气大气环境监测根据评价区域的地形及气象特征，各环境功能区和敏感点的分布情。地W(2)地表水环境类、镍、铬(六价)口进(3)声环境(4)地下水环境Dm(5)土壤环境锌。项目所在地土壤各监测因子均符合《土壤环境质量标准》(GB15618-1995)二级标(1)大气评价范围(2)地表水评价范围(3)噪声评价范围(4)地下水评价范围(5)风险评价范围三、工程建设的环境影响预测及拟采取的主要措施与效果(一)有组织排放(1)外延生产①含氨含尘尾气(G15-G110)N(2)芯片生产1)光刻间1(G22、G28(1)、G211(1)、G213(1)、G216(1))a2)光刻间2(G23、G28(2)、G211(2)、G213(2)、G216(2))3)PSS光刻间(G12)4)有机清洗间(G11、G25-26、G210、G214、G218)5)去蜡间(G219)1)无机清洗间(G14、G21、G29、G212)BOEHFNHFITOHCl液)。外延片生产后需用硫酸/双氧水或盐酸清洗，会有酸性气体及酸雾产生，主要污染2)ICP间(G13、G24)Cl2(未完全反应的)。结合排放标准及排放量，气体刻蚀步骤的大气污染物考虑氯。本③刻蚀间(G215、G217)全反应的硅烷(0.02t/a)和反应剩余的笑气N2O(5.084t/a)产生。废气为设备内管道(3)食堂油烟(4)燃料废气表3.1项目有组织废气产生及排放情况数mhmgm3kghtamgm3kghtamkghm直径m温度CCVD氨5946—95(设备内过滤)统(设备内过滤+———热———————————正胶(主要为有机酯类)——负胶(主要为有机酯类)——附着液(六甲基二硅氨)——4—显影液(四甲基氢氧化—SS(主要为有机酯类)——(六甲基二硅氨)——(四甲基氢氧化氨)————85—(N-甲基吡咯烷酮)——128422——87—去蜡液(脂肪族碳氢化合——1—9ICP间9——2热———————————122/—12—98/—98—/———(2)废水目废水包括①含氮废水(BOE蚀刻清洗废水、去胶后清洗废水、酸性废气吸收废水)，②不含氮工艺废水，③生活污水，④冷却水弃水。本项目拟针对各废水水质，①含氮废水：来自BOE蚀刻清洗废水及去胶后清洗废水、酸性废气吸收废水，合。表3.2项目水污染物产生及排放状况aLa法LBOE酸雾吸pH5~6/RO回用于工1艺锅炉排污pH3~5/淀pH6~9/6~96—558水—(3)噪声项480~8530(E)580(E)75~8580(E)动力间(屋顶)375(E)75~8530(N)(4)固废表3.4固废产生源强及处理处置量量 其数量(t/a)005-06固－－/S211/S21542液－－32液－－32液/S24/S21034液－SSS-3)/S217(2-3)42液－－S216(1)42液－－42液－－49固－－－固－－－－－－固－－－－液－－－－60－－(5)全厂“三本帐”表3.5项目投产后全厂污染物“三本帐”(t/a)000/0/0/00氨39氯00氨000000000000(1)环境质量标准表3.6地表水环境质量标准(单位：mg/L，PH除外)pH高锰酸盐指数16Ni1PM10NO2NH3H2S2司的相关中有害物最大允许浓度BA《地下水质量标准》参考执行(GB/T14848-93)Ⅲ类水质标准。pH度6.5~8.51铬镍镉s11表3.10土壤环境质量标准单位：mg/kg(pH无量纲)PH值<6.56.5-7.5>7.5(2)污染物排放标准水处理厂接管标准，污水处理厂尾水排放执行《城镇污水处理厂污染物排放标准》 ADB7)污水处理厂I类标准。含氮废水处理后回用于含氮管标准标准pH≤500≤5000000058)≤-.001放标准 食堂油烟排放执行《饮食业油烟排放标准》(GB18483-2001)中型规模标准，详见表mkgh高(GB16297-1996)m9氯《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)氨8(GB13271-2001)m*本项目有机废气排气筒实际高度为25m，根据此高度下的计算公式取值，丙酮、异丙醇、TVOC的允许排放速率分别为17.6kg/h、13.2kg/h、13.2kg/h，数值较为宽泛，对环境管理来说意义不大。因此本项目有机废气排气筒污染物允许排放速率从严按15m高度下的参数取值进行计算，计h表3.13饮食油烟排放标准模型大型≥6率(108J/h)对应排气罩灶面总投影面积(m2)3，<6.6≥6.6最高允许排放浓度(mg/m3)净化设施最低去除效率(%)排放标准3建筑施工阶段，场界作业噪声按照《建筑施工场界环境噪声排放标准》(GB12523-2011)执行，即昼间70dB(A)，夜间55dB(A)。固体废物执行《一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准》(GB18599-2001)和《危险废物贮存污染控制标准》(GB18597-2001)。(1)地表水：本项目废水接管至张家港城北污水处理厂的生产废水和生活污水水。(2)空气环境：估算结果可知，各排气筒有组织排放以及芯片厂房、供氨站无组GBT00m以内时，级差(3)声环境：本项目各噪声源在采取降噪措施后，对厂界及外环境的影响很小，(4)地下水环境：预测结果表明：地下水渗漏对评价范围内地下水水质有一定的(5)生态环境：本项目拟建于张家港经济技术开发区工业用地范围内，作为成熟本项目外延炉尾气先分别经炉内自带除尘过滤器过滤后再经管道汇合后一并通入D根30m高的1#排气筒排放。由于是炉内管道收集，可认为废气捕集率为冷冻水系统低温纯水罐：(1)新工艺采用物理膜分离法+纯水高效吸收法。该法是利用氨氮分离膜的亲氨疏(2)在确保氨水浓度达到15%以上及尾气能达标排放，系统设计五级连续吸收的1)MOCVD含氨废气通过集气管道收集后由高压漩涡风机吸气增压输送至处理系统。在风机前官道上设置负压传感器，保证MOCVD机台排气保有一定的负压值，如机D收组件。MOCVD炉废气中含微尘，需采用过滤器预除去废气中的细小颗粒物。同时D4)膜吸收系统中冷冻水吸取含氨废气后变为氨水，氨水通过膜吸收组件吸收液出5)经过多级膜滤系统吸收后的超低含氨废气从膜吸收组件下方排出，接入尾气吸器发出的低液位信号控制电动三通阀切换排入第五级吸收液箱进行进一步吸收以增加6)尾气系统采用低温纯水对膜吸收系统处理后尾气中氨进一步去除，对尾气中的(2)酸性废气、淀积废气1)酸性废气是无机清洗间内各种酸性物质使用过程中挥发产生的酸雾(主要工段环ICP硫酸雾、氯化1气100Pa左右，采用新工艺双风机抽风(一备一用)，风机进风口的电动调节阀必须与风机填充物采用特拉瑞德，材质为PP，空隙率95%，对气流阻力小，表面积28FT2/FT3(96M2/M3)，其内部的压力损失为60mmAq，均为喷嘴型非阻塞型(BETEP物计)的去除率较低，约50%，废气达到《大气污染物综合排放标准》二级标准后由燃烧。所以本项目PECVD设备清洁时，每天会有少量有异味的SiF4排放。SiF4年(3)有机废气(4)无组织废气A．尽量保持生产车间和操作间(室)的密闭，合理设计送排风系统，提高废气捕B．加强生产管理，规范操作，使设备设施处于正常工作状态，减少生产、控制、C．对于酸洗、湿法蚀刻、有机溶剂清洗废气散发面较大的工段，合理设计废气捕DE、项目大宗气体(氮气、氨气、氢气等)通过管道直接输送至生产车间，供气系无组织废气经上述治理措施后可使无组织监控浓度达到《大气污染物综合排放标(2)废水治理措施(1)废水预处理方案有机、酸碱、研磨废水综合调节池PH反应池污泥污泥排放水池达标排放污泥浓缩池压压滤机污泥外运处理(2)含N废水处理措施1、生产废水(不含生活污水)中含磷情况分析2、生产废水(不含生活污水)中含氮情况分析E3)外延片生产PSS过程及芯片生产光刻、涂胶及去胶过程使用的正胶、负胶、附HNMOCVD5)上述进入废水中的N元素均随同含氮废水送交厂内设置的含氮废水处理设施处N因此，本项目最终外排生产废水(不含生活污水)中不含N元素。(3)噪声治理措施1)空压机房；2)废气处理风机3)冷却塔(4)固体废物处置措施容(万元)化氢、氮氯hTVOC00+1×100002000+1×1300GB015--水总氮、氟化物蒸发等水水q—GB08活—活—1000m3事故水池、自动监控系统、安全防护系统、应急设施、应急预案、环境风险管理等，详见环境风险管理章节测能力等)口规范化设置家港市内平衡；水污染物总量在城———施风险应急预案m项目最大可信事故环境风险值为1×10-5/a，低于化工同行业事故致死率(作为最大(1)提高企业市场竞争力，促进企业整体良性循环产线产能已经远不能满足客户需求。为有效发挥公司的产品和市场优势，急需对LEDLED力，也是目前我国半导体照明于保持华灿光电在国内同行业中的领先地位，也符合当前LED领域市场发展的总体方(2)提高