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文档简介

实验6用磁阻传感器测量地磁场实验地磁场的数值比较小,约10-5T量级,但在直流磁场测量,特别是弱磁场测量中,往往需要知道其数值,并设法消除其影响,地磁场作为一种天然磁源,在军事、工业、医学、探矿等科研中也有着重要用途。本实验采用新型坡莫合金磁阻传感器测定地磁场磁感应强度及地磁场磁感应强度的水平分量和垂直分量;测量地磁场的磁倾角,从而掌握磁阻传感器的特性及测量地磁场的一种重要方法。由于磁阻传感器体积小,灵敏度高、易安装,因而在弱磁场测量方面有广泛应用前景。[实验目的]1、 掌握磁阻传感器的特性。2、 了解测量地磁场的一种重要方法。[实验仪器]测量地磁场装置如图6-1所示。它主要包括底座、转轴,带角刻度的转盘、磁阻传感器的引线、亥姆霍兹线圈、地磁场测定仪控制主机(包括数字式电压表、5V直流电源等)图6-1磁阻传感器测量地磁场实验装置[实验原理]物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁、钻、镍及其合金等磁性金属,当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时,电阻几乎不随外加磁场变化;当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时,此类金属的电阻减小,这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。HMC1021Z型磁阻传感器由长而薄的坡莫合金(铁镍合金)制成一维磁阻微电路集成芯片(二维和三维磁阻传感器可以测量二维或三维磁场)。它利用通常的半导体工艺,将铁镍合金薄膜附着在硅片上,如图31-2所示。薄膜的电阻率P(0)依赖于磁化强度M和电流I方向间的夹角。,具有以下关系式p(p(0)=p+(p〃-p)cos20(1)其中p〃、p【分别是电流/平行于M和垂直于M时的电阻率。当沿着铁镍合金带的长度方向通以一定的直流电流,而垂直于电流方向施加一个外界磁场时,合金带自身的阻值会生较大的变化,利用合金带阻值这一变化,可以测量磁场大小和方向。同时制作时还在硅片上设计了两条铝制电流带,一条是置位与复位带,该传感器遇到强磁场感应时,将产生磁畴饱和现象,也可以用来置位或复位极性;另一条是偏置磁场带,用于产生一个偏置磁场,补偿环境磁场中的弱磁场部分(当外加磁场较弱时,磁阻相对变化值与磁感应强度成平方关系),使磁阻传感器输出显示线性关系。HMC1021Z磁阻传感器是一种单边封装的磁场传感器,它能测量与管脚平行方向的磁场。传感器由四条铁镍合金磁电阻组成一个非平衡电桥,非平衡电桥输出部分接集成运算放大器,将信号放大输出。传感器内部结构如图31-3所示。图中由于适当配置的四个磁电阻电流方向不相同,当存在外界磁场时,引起电阻值变化有增有减。因而输出电压Uout可以用下式表示为图6-2磁阻传感器的构造示意图图6-2磁阻传感器的构造示意图图6-3磁阻传感器内的惠斯登电桥对于一定的工作电压,如U.=5.00V,HMC1021Z磁阻传感器输出电压U。成与外界磁场的磁感应强度成正比关系,U=U0+KB (3)(3)式中,K为传感器的灵敏度,B为待测磁感应强度。U0为外加磁场为零时传感器的输出量。由于亥姆霍兹线圈的特点是能在其轴线中心点附近产生较宽范围的均匀磁场区,所以常用作弱磁场的标准磁场。亥姆霍兹线圈公共轴线中心点位置的磁感应强度为(4)B)空里(4)R 53/2(4)式中N为线圈匝数,I为线圈流过的电流强度,R为亥姆霍兹线圈的平均半径,*为真空磁导率。[实验内容]磁阻传感器的定标用仪器配套的水准仪调节刻度盘水平,并调节刻度盘调节旋钮使转盘刻度调节为。=0。。拆除亥姆霍兹线圈和直流电源连接线,地磁场测定仪调零。调节旋钮,测出表1给出的励磁电流值对应的电压值。测反向电压时注意先将电流调至零后再打电流换向旋钮。用亥姆霍兹线圈产生磁场作为已知量,测量磁阻传感器的灵敏度K。地磁场水平分量的测量将磁阻传感器平行固定在转盘上,调整转盘至水平(可用水准器指示)。调节刻度盘调节旋钮,找到传感器输出电压最大方向,这个方向就是地磁场磁感应强度的水平分量B〃的方向。记录此时传感器输出电压U1后,再调节刻度盘调节旋钮,记录传感器输出最小电压U2,由U1-U2|/2=KB〃,求得当地地磁场水平分量B〃。地磁倾角P和地磁场磁感应强度B的测量调刻度盘和底座水平。转底座使地磁场测定仪电压读数达最大或最小值,此时转盘面与地磁子午面方向垂直。将带有磁阻传感器的转盘平面调整为铅直,转动调节转盘角度,分别记下传感器输出最大和最小时转盘指示值和水平面之间的夹角P1和P2,同时记录此最大读数U1和U2。由磁倾角P=(P1+P2)/2计算P的值。(3)由|U1-U2|/2=KB,计算地磁场磁感应强度B的值。并计算地磁场的垂直分量B」=Bsinp。记录实验环境条件,整理好实验仪器。本实验须注意:实验仪器周围的一定范围内不应存在铁磁金属物体,以保证测量结果的准确性。[数据与结果]亥姆霍兹线圈每个线圈匝数N=500匝,线圈的半径r=10cm;真空磁导率扁=4kx10-7N/A2。亥姆霍兹线圈轴线上中心位置的磁感应强度为(二个线圈串联)B=冬=8X4脂10-7x500xI=44.96x10-41R53/2 0.100X53/2式中,B为磁感应强度单位T;I为通过线圈的电流,单位A。测量传感器的灵敏度K测出励磁电流为10.0,20.0,30.0,40.0,50.0,60.0mA对应的传感器输出电压〃(注意正向和反向电压),并算出^;接着用逐差法得到该磁阻传感器的灵敏度K。测量地磁场的水平分量B;地磁场的磁感应强度B总;地磁场的垂直分量B^,磁倾角p。直接测量地磁场水平分量,U〃=mV,计算得地磁场水平分量磁感应强度B=T,//传感器输出最大和最小时转盘指示值和水平面之间的夹角p]=和p2=;最大读数u;=V和U2=V。计算得地磁场磁感应强度B总=T,磁倾角p=;地磁场垂直分量磁感应强度,B=B总Sinp=T,杭州地区地磁场水平分量为B=0.337x10-4T,磁倾角为p=46。数据处理结果表述用不确定度形式给出。[注意事项]测量地磁场水平分量,须将转盘调节至水平;测量地磁场U总和磁倾角p时,须将转盘面处于地磁子午面方向。切记不要用强磁场的物体和手触碰磁阻传感器。实验过程中最好不要改变传感器与主机的位置(为什么?)。[实验报告]1、 记录实验所用的实验仪器(型号或规格),实验环境条件;2、 简述实验原理和实验的操作过程,按数据处理要求,给出实验测量结

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