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报告人：谭先华光刻过程中的驻波效应分析2010-11-21驻波效应形成的原因抗蚀剂在曝光过程中由于其折射率和基底材料折射率不匹配，在基底表面产生的反射光和入射光相互干涉而形成驻波。光强的驻波分布使抗蚀剂内的光敏化合物(photoactivecompound，PAC)的浓度也呈驻波分布，从而使抗蚀剂在显影后边缘轮廓有一定的起伏。抗反射膜衍射效应曝光剂量3300rpmfor30seconds200nm，正胶：AZ5206E

光谱的宽度抑制驻波效应的方法有

1、采用多波长混合光源进行曝光[3],这种工艺虽能明显抑制驻波效应,但这势必引起光刻胶过度曝光,显然不适合亚微米光刻;2、采用着色光刻胶是另一种方法,即在光刻胶中添加着色剂(感光机团或吸光剂)以吸收反射光,从而弱化驻波效应及光刻胶多重曝光现象。但着色剂同样能吸收入射光,因此需增加曝光能量,导致曝光量难以控制。3、采用ARC(抗反射涂层)是目前应用较广泛的工艺,即在光刻胶上或晶片上涂敷一层抗反射膜,分别称作TARC与BARC(图2),亦可同时涂敷TARC与BARC驻波效应的抑制用驻波效应做结构总结消除驻波效应1、宽频光谱曝光2、抗反射涂层3、后烘工艺4、厚胶工艺产生驻波效应1、单色光曝光2、增反层（镀金属膜、抛光的多晶硅）3、不后烘3、胶厚在1um以下（500nm）其他的方面1、曝光剂量适当2、衍射影响3、根切效应4、吸收率低的光刻胶总结问题1、断面观察（场扫电镜）？2、薄胶获得？3、衍射效应的影响？（接触光刻）4、曝光剂量控制。基本想

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