电子行业存储板块市场前景及投资研究报告：DRAM价格创新低、NAND价格企稳海外存储大厂存货达峰值

证券研究报告2023年2月14日存储板块追踪九：DRAM价格继续创新低、NAND价格企稳海外存储大厂Q1存货达峰值1目

录一、DRAM价格追踪：合约价、现货价持续创新低，1月跌幅扩大1.1主流：价格继续创新低，现货价跌幅小于合约价1.2利基：合约价跌幅环比扩大，现货价跌幅小于合约价二、NAND价格追踪：合约价环比持平，现货价小幅下跌、整体稳定三、要闻&公告：Intel发布DDR5服务器CPU，海外存储厂Q1存货达峰值四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化2DRAM：DDR4是目前主流，DDR5跑马进场◼

DRAM细分市场：DRAM不断迭代，目前DDR4是主流产品➢

按照RAM和CPU的时钟频率是否同步，DRAM可分为同步DRAM（Synchronous

DRAM，简称SDRAM）和异步DRAM。SDRAM目前已迭代了六代，分别是SDR（Single

DataRate

SDRAM）、DDR1(DoubleData

Rate1SDRAM)、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5。每次迭代，芯片性能显著提升。目前DRAM主流是DDR4，2021年占90%，DDR-DDR3合计占比10%图：DRAM细分产品市场规模占比DDR1/OtherDDR2DDR3DDR4/DDR4+100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%200620082010201220142016201820202022e3：ICInsights，Statistia，中泰证券研究所DRAM：大陆聚焦利基，重点关注◼

大陆目前发力利基，重点关注➢

兆易创新2021年量产19nm4GbDDR4,

23年9月兆易创新发布17nm

2Gb/4Gb

DDR3，北京君正(ISSI)目前在大陆利基DRAM领域料号数量最为全面、营收体量最大，DRAM中出货量最大的是DDR3，东芯股份在DDR3方面有所布局。➢

利基DRAM：Specialty

DRAM，按照Dramexchange现在的划分，包括DDR2、DDR3及部分DDR4颗粒➢

主流DRAM：Commodity

DRAM，代表产品包括8Gb以上的DDR4、DDR5颗粒和DDR4、DDR5模组图：目前Dramexchange中的利基DRAM与主流DRAMDDR2DDR3DDR4DDR5DDR31Gb64M*16DDR32Gb128M*16DDR34Gb256M*16DDR2512Mb32M*16DDR21Gb64M*16DDR44Gb256M*16DDR48Gb512M*16利基DRAM主流DRAMDDR48Gb1G*8DDR416Gb2G*8DDR48GBU-DIMNDDR48GBSO-DIMMDDR416GBU-DIMMDDR416GBSO-DIMMDDR516Gb2G*8DDR58GBU-DIMMDDR58GBSO-DIMMDDR516GBU-DIMMDDR516GBSO-DIMM4：DRAMeXchange，中泰证券研究所DRAM：合约价、现货价持续创新低，1月跌幅扩大◼

主流DRAM合约价12月环比持平，2023年1月创历史新低，利基DRAM合约价12月环比下跌，

2023年1月环比跌幅6-13%➢

1）主流DRAM：12月环比持平，

2023年1月环比下跌16%-26%，继续创历史新低➢

2）利基DRAM：12月环比下跌0%-7%，

2023年1月环比下跌6%-13%，跌幅较12月扩大，仍未全部触底图：DRAM合约价（美金）2023年1月2022年12月

2022年11月

2022年10月类型型号价格1.83.8月同比-47%-47%-44%月环比-18%-18%-16%月环比0%0%月环比0%0%月环比-22%-22%-21%DDR48Gb1Gx8DDR416Gb

2Gx8DDR48GB

U-DIMM16.50%0%DDR416GB

U-DIMMDDR516Gb

2Gx832.04.0-45%-61%-58%-59%-17%-26%-23%-23%0%0%0%0%0%0%0%0%-21%-23%-24%-24%主流DRAMDDR58GB

U-DIMMDDR516GB

U-DIMM19.036.8DDR44Gb256Mx16DDR48Gb512Mx16DDR34Gb256Mx16DDR32Gb128Mx16DDR31Gb64Mx16DDR21Gb64Mx161.32.11.41.21.01.0-47%-45%-45%-45%-45%-43%-10%-13%-11%-10%-10%-7%-3%-4%-7%-7%-3%-3%-9%-8%-10%-10%-8%-11%-9%-10%-12%-10%-8%利基DRAM-4%DDR2512Mb

32Mx160.9-39%-6%0%-2%-8%注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；价格数据截至2023年1月31日更新：Dramexchange，中泰证券研究所5DRAM：合约价、现货价持续创新低，1月跌幅扩大◼

截至2023年1月31日，现货价继续下跌，且跌幅整体扩大，DDR5、

DDR4、DDR3创历史新低➢

1）主流DRAM：主流DDR4创历史新低，

2023年1月跌幅5%-7%，较12月的3%-5%扩大➢

2）利基DRAM：

2023年1月利基DDR4、DDR3

跌幅3%-5%，创历史新低，DDR3

4Gb跌幅扩大图：DRAM现货价（美金）23/1/31变化幅度类型型号价格1/16-1/311/1-1/3112/1-12/3011/1-11/30DDR416Gb

2Gx82666

MbpsDDR48Gb1Gx82666

Mbps3.91.9-2%-3%-5%-7%-3%-5%-5%-6%主流DRAMDDR48Gb512Mx16

2666

MbpsDDR44Gb256Mx16

2400/2666

MbpsDDR34Gb256Mx16

1600/1866MbpsDDR32Gb128Mx16

1600/1866MbpsDDR31Gb64Mx16

1600/1866Mbps1.81.21.31.1--1%-1%-1%-1%--5%-3%-5%-4%--6%-2%-2%-4%--7%-8%-6%-7%-利基DRAM注：价格数据截至2023年1月31日更新：Dramexchange，中泰证券研究所6主流：价格继续创新低，现货价跌幅小于合约价◼

DDR4芯片：1月合约价、现货价继续创历史新低，合约价环比跌幅18%，现货价跌幅5%-7%，现货价跌幅收窄。➢

1）合约价：2023年1月，DDR4

8Gb（1Gx8）的价格为$1.81，同比-47%，环比-18%，价格自从2021年9月的$4.1开始一路下跌，目前已跌破历史低价；2023年1月，

DDR4

16Gb（2Gx8）的价格为$3.75，同比-47%，环比-18%，价格从2021年9月的$8.45开始下跌，目前价格已跌破历史低价➢

2）现货价：截至2023年1月31日，DDR4

8Gb（1Gx8）2666

Mbps的价格为$1.86，创历史新低，近一月下跌7%，近一周降低3%；DDR4

16Gb(2Gx8)2666

Mbps的价格为$3.94，创历史新低，近一个月下跌5%，近一周降低2%，现货价跌幅扩大图：典型主流DDR4芯片的合约价（美金/颗）图：典型主流DDR4芯片的现货价（美金/颗）DDR48Gb

1Gx8DDR416Gb2Gx8DDR4

16Gb（2Gx8）2666

MbpsDDR4

8Gb（1Gx8）2666

Mbps9.008.007.006.005.004.003.002.001.000.00DDR48Gb1Gx82400Mbps111098765432107：Dramexchange，中泰证券研究所主流：价格继续创新低，现货价跌幅小于合约价◼

DDR4模组：

12月合约价持平，

2023年1月环比下滑16%-17%，继续创历史新低➢

合约价：2023年1月，DDR4

8Gb

U-DIMM的合约价格为$16.50，同比-44%，环比-16%，为历史新低，价格从2021年9月的$34.80开始下跌；

2023年1月，DDR4

16Gb

U-DIMM的合约价格为$32.00，同比-45%，环比-17%，为历史最低点图：典型主流DDR4模组的合约价（美金/个）DDR48GB

U-DIMMDDR416GB

U-DIMM80706050403020100注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；模组主要用于服务器，PCDRAM主要是在合约市场进行交易，现货市场占比小，没纳入8：Dramexchange，中泰证券研究所主流：价格继续创新低，现货价跌幅小于合约价◼

DDR5芯片&模组：12月合约价止跌，

2023年1月环比跌幅23%-26%，继续创历史新低➢

1）芯片合约价：

2023年1月，DDR5

16Gb（2Gx8）的合约价为$4.00，同比-61%，环比-26%，2022年2月价格开始下降，目前已是历史最低价➢

2）模组合约价：

2023年1月，DDR5

16Gb

U-DIMM合约价为$36.80，同比-59%，环比-23%；2023年1月，DDR5

8Gb

U-DIMM合约价为$18.98，同比-58%，环比-23%图：典型主流DDR5芯片的合约价（美金/颗）图：典型主流DDR5模组的合约价（美金/个）DDR516Gb

2Gx8DDR58GB

U-DIMMDDR516GB

U-DIMM1210810090807060504030201006420注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；模组主要用于服务器，服务器DRAM主要是在合约市场进行交易，现货市场占比小，没纳入9：Dramexchange，中泰证券研究所利基：

合约价跌幅环比扩大，现货价跌幅小于合约价◼

DDR4芯片：1月合约价、现货价继续创新低，合约价环比跌幅10%-13%，跌幅扩大，现货价下跌3%-5%➢

1）合约价：

2023年1月，DDR4

8Gb（512Mx16）的合约价为$2.1，继续创历史新低，同比-45%，环比-13%；2023年1月，DDR4

4Gb（256Mx16）的合约价为$1.30，创历史新低，同比-47%，环比-10%➢

2）现货价：截至2023年1月31日，DDR4

8Gb（512Mx16）2666

Mbps的现货价为$1.82，创历史新低，近一月下跌5%，近一周下跌1%；2023年1月，DDR4

4Gb（256Mx16）2400/2666

Mbps的现货价为$1.22，创历史新低，近一月下跌3%，近一周下跌1%图：典型利基DDR4芯片的现货价（美金/颗）图：典型利基DDR4芯片的合约价（美金/颗）DDR48Gb512Mx16DDR44Gb256Mx16DDR4

8Gb（512Mx16）2666

MbpsDDR4

4Gb（256Mx16）2400/2666

Mbps9.008.007.006.005.004.003.002.001.000.007654321010：Dramexchange，中泰证券研究所利基：

合约价跌幅环比扩大，现货价跌幅小于合约价◼

DDR3芯片：1月合约价环比下跌10%左右，现货价跌幅4-5%，其中DDR3

4Gb价格创新低。➢

1）合约价：

2023年1月DDR3

4Gb（256Mx16）的合约价为$1.38，首次创历史新低，同比-45%，环比-11%，12月环比跌幅为7%；

DDR3

2Gb（128Mx16）的合约价为$1.24，同比-45%，环比-10%，12月环比-7%，历史最低为2019年12月的$0.92；DDR3

1Gb（64Mx16）的合约价为$0.96，同比-45%,

环比-10%，12月环比-3%，历史最低为2019年12月的$0.9。➢

2）现货价：

2023年1月31日，DDR3

4Gb（256Mx16）1600/1866Mbps的现货价为$1.25，近一月跌幅5%，近一周跌幅1%，创历史新低，12月一月内跌幅2%；

2023年1月31日，

DDR3

2Gb（128Mx16）1600/1866Mbps的现货价为$1.10，近一月跌幅4%，近一周跌幅1%，

12月一月内跌幅4%，历史最低为2019年7月的$0.9图：典型利基DDR3芯片的现货价（美金/颗）图：典型利基DDR3芯片的合约价（美金/颗）DDR34Gb256Mx161600/1866MbpsDDR31Gb64Mx161600/1866MbpsDDR32Gb128Mx161600/1866MbpsDDR34Gb256Mx16DDR32Gb128Mx16DDR31Gb64Mx163.53432102.521.510.5011：Dramexchange，中泰证券研究所利基：

合约价跌幅环比扩大，现货价跌幅小于合约价◼

DDR2芯片：

2023年1月合约价格环比下跌6%-7%，12月跌幅0-3%，跌幅扩大➢

合约价：2023年1月，DDR2

1Gb（64Mx16）的合约价为$1.00，同比-43%，环比-7%，12月环比跌幅为-3%，历史最低为2019年12月的$0.91；2023年1月，DDR2

512Mb（32Mx16）的合约价为$0.85，同比-39%，环比-6%，12月环比持平，历史最低为2013年4月的$0.68图：典型利基DDR2芯片的合约价（美金/颗）DDR21Gb64Mx16DDR2512Mb32Mx162.001.801.601.401.201.000.800.600.400.200.00注：利基DDR2市场小，在现货市场占比小，故无现货价格：Dramexchange，中泰证券研究所12利基：DDR3、DDR4仍倒挂，价差已趋近于零◼

DDR3结构优化，DDR3与DDR4价格出现倒挂，2023年1月合约价差$0.08，价差自2022年5月后呈缩小趋势➢

1）合约价：过去4Gb

DDR4价格高于4Gb

DDR3，2021年12月价格打平，自2022年1月价格开始倒挂，5月价差扩大至$0.40，此后价差减小，1月价差已缩小至0.08美金。➢

2）现货价：2021年10月中旬，4Gb

DDR3与4Gb

DDR4价格基本打平，后开始出现倒挂，价差最大可达$0.52，目前4Gb

DDR3与4GbDDR4的现货价价差呈下降趋势，2023年1月31日价差$0.03图：4G

DDR4

VS

4G

DDR3

合约价对比（美金/颗）图：4G

DDR4

VS

4G

DDR3

现货价对比（美金/颗）DDR4与DDR3差值DDR44Gb256Mx16DDR34Gb256Mx161.0DDR4

DDR3差值与DDR44Gb（256Mx16）2400/2666

Mbps4.54.03.53.02.52.01.51.00.50.0DDR34Gb

256Mx161600/1866Mbps0.80.6554433221101.50.41.00.20.50.00.0(0.2)(0.4)(0.6)(0.5)(1.0)(1.5)2017/82018/82019/82020/82021/82022/813：Dramexchange，中泰证券研究所目

录一、DRAM价格追踪：合约价、现货价持续创新低，1月跌幅扩大二、NAND价格追踪：合约价环比持平，现货价小幅下跌、整体稳定1.1主流：合约价环比稳定，现货价小幅下跌1.2利基：SLC合约价环比持平，现货价基本稳定三、要闻&公告：Intel发布DDR5服务器CPU，海外存储厂Q1存货达峰值四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化14NAND：2D到3D大势所趋，TLC、QLC渐成主流◼

NAND细分市场：3D渗透率提高，TLC、QLC为主要颗粒类型➢

1）NAND分类：根据结构，NAND分为2D

NAND、3D

NAND，根据颗粒类型，NAND分为SLC/MLC/TLC/QLC，SLC每单元存储1

bit数据、MLC的存储2个bit、TLC的存储3个bit、QLC的存储4个bit➢

2）2D到3D大势所趋：2D在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩遇到物理极限，现已面临瓶颈，达到发展极限。为了在维持性能的情况下实现容量提升，3D

NAND成为发展主流。2019年，3D

NAND的渗透率为72.6%，已远超2DNAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3D

NAND将占闪存总市场的97.5%➢

3）TLC、QLC为市场主流：目前TLC、QLC是NAND的主流产品，合计占95%的份额，根据Gartner数据，2019年SLC

NAND市场16.7亿+美金，占NAND市场的3%-4%左右图：NAND细分产品市场规模2D收入（十亿美金）

3D收入（十亿美金）图：NAND细分产品市场规模占比SLC

MLC

TLC

QLC706050403020100100%80%60%40%20%0%15：Internationalbusinessstrategies，联芸科技市场闪存市场研究中心，中泰证券研究所NAND：主流占大头，大陆发力SLC

NAND◼

NAND：主流占大头，利基产品是大陆设计公司现阶段的重点，长存定位主流➢

1）NAND分成利基与主流：SLCNAND、MLC/TLC

NAND<=4GB是利基产品，MLC/TLC

NAND>4GB是主流产品➢

2）SLC

NAND是大陆设计公司发力点：根据Gartner数据统计，2019

年SLC

NAND

全球市场16.7亿美元，在原有刚性需求的支撑和下游不断出现的新兴应用领域，2021年市场预计达到

21.4亿美元，占NAND市场的3%-4%；台系厂商华邦、旺宏占据SLC

NAND的主要份额，目前大陆如兆易创新、东芯股份、北京君正均发力SLC

NAND，长江存储做主流NAND（3D

NAND256Gb\512Gb\1.33Tb）图：目前Dramexchange记录价格的利基NAND与主流NAND类别NAND产品SLC16Gb2Gx8SLC8Gb1Gx8SLC4Gb512Mx8SLC2Gb256Mx8SLC1Gb128Mx8MLC256Gb32Gx8MLC128Gb16Gx8MLC64Gb8Gx8MCL32Gb4Gx83DTCL1Tb利基NAND主流NAND3DTCL512Gb3DTCL256Gb16：Dramexchange，兆易创新年报，中泰证券研究所NAND：合约价环比持平，现货价小幅下跌、整体稳定◼

1月主流、利基合约价环比持平➢

1）主流NAND：2023年1月MLC

NAND

合约价稳定，与12月持平，同比跌幅13%-14%➢

2）利基NAND：2023年1月SLC

NAND

合约价稳定，与12月持平，同比跌幅6%-10%图：NAND合约价（美金）2023年1月2022年12月2022年11月2022年10月类型型号价格月同比月环比月环比月环比月环比MLC

128Gb（16Gx8）4.14-14%0%0%0%-4%主流NANDMLC

64Gb（8Gx8）MLC

32Gb（4Gx8）SLC32Gb(4Gx8)SLC16Gb(2Gx8)SLC8Gb(1024Mx8)SLC4Gb(512Mx8)SLC2Gb(256Mx8)SLC1Gb(128Mx8)2.982.5911.836.163.181.711.240.98-13%-14%-10%-10%-10%-9%0%0%0%0%0%0%0%0%-1%0%0%0%0%0%0%0%0%0%-3%-4%0%0%0%0%0%0%0%0%0%利基NAND-1%-1%-1%-9%-6%17：Dramexchange，中泰证券研究所NAND：合约价环比持平，现货价小幅下跌、整体稳定◼

2023年1月现货价环比跌幅0-2.4%，整体较稳定➢

1）主流NAND：12月现货价波动-2%-+1%，2023年1月现货价跌幅0%-1.6%，波动较小➢

2）利基NAND：12月现货价跌幅0%-4%，2023年1月现货价跌幅0%-2.4%，跌幅不一，近一周SLC

1Gb现货价上涨1%图：NAND现货价（美金）2023/1/31变化幅度类型型号价格1/16-1/31

1/1-1/31

12/1-12/30

11/1-11/30MLC256Gb(32GBx8)MLC128Gb(16GBx8)MLC64Gb(8GBx8)MLC32Gb(4GBx8)3D

TLC1Tb12.076.483.872.1612.104.882.4110.053.181.531.130.970.0%0.0%-0.3%0.0%0.0%0.0%0.0%-0.5%0.0%0.0%0.0%1.0%-0.2%-0.9%-0.8%0.0%-1.6%-0.8%-1.2%-2.4%-0.3%-0.6%0.0%-0.4%0.3%0.0%1.4%-1.6%-1.6%0.4%-1.2%-1.8%-0.6%0.0%-4.0%-7.2%-0.8%-0.8%-0.9%-0.4%0.0%主流NAND3D

TLC512Gb3D

TLC256Gb0.0%SLC16Gb(2GBx8)SLC8Gb(1GBx8)SLC4Gb(512MBx8)SLC2Gb(256MBx8)SLC1Gb(128MBx8)-2.9%-0.9%-7.2%-2.6%-1.9%利基NAND-1.0%18：Dramexchange，中泰证券研究所主流：合约价环比稳定，现货价小幅下跌◼

MLC

NAND：2023年1月合约价环比稳定，现货价小幅下跌，跌幅0-1%➢

1）合约价：2023年1月，MLC

128Gb(16Gx8)的合约价为$4.1，同比-14%，连续三个月环比无变化；MLC

64Gb（8Gx8）的合约价为$2.98，同比-13%，环比无变化；MLC

32Gb（4Gx8）的合约价为$2.59，同比-14%，连续三个月环比无变化。这3款NAND从2021年7月起价格坚挺、价格无变化，2022年6月打破平稳态势，7-10月继续下跌，11月起止跌。➢

2）现货价：2023年1月31日，MLC256Gb(32GBx8)的现货价为$12.07，近一月下跌0.2%，近一周无变化；MLC128Gb(16GBx8)的现货价为$6.48，近一月下降1%，近一周无变化；MLC64Gb(8GBx8)的现货价为$3.87，近一月下跌1%，近一周下降0.3%；MLC32Gb(4GBx8)的现货价为$2.16，近一月、近一周无变化图：MLC

NAND芯片的合约价（美金/颗）图：MLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）MLC

128Gb（16Gx8）MLC

32Gb（4Gx8）MLC

64Gb（8Gx8）MLC256Gb(32GBx8)MLC64Gb(8GBx8)MLC128Gb(16GBx8)MLC32Gb(4GBx8)7654321018161412108642019：Dramexchange，中泰证券研究所主流：合约价环比稳定，现货价小幅下跌◼

3D

TLC

NAND：2023年1月现货价基本稳定，略微下跌1%-2%➢

现货价：截至2023年1月31日，3D

TLC

1Tb的现货价为$12.1，近一月下跌1.6%，近一周无变化；3D

TLC

512Gb的现货价为$4.88，近一月下跌0.8%，近一周价格无变化；3D

TLC256Gb的现货价为$2.41，近一月下跌1.2%，近一周价格无变化图：3DTLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）3DTLC1Tb3DTLC512Gb3DTLC256Gb252015105020：Dramexchange，中泰证券研究所利基：SLC合约价环比持平，现货价基本稳定◼

SLC

NAND：2023年1月合约价环比稳定，除SLC

16Gb(2GBx8)外现货价稳定➢

（1）合约价：2023年1月，SLC

32Gb(4Gx8)的合约价为$11.83，同比-10%，连续五个月价格不变；SLC

16Gb(2Gx8)的合约价为$6.16，同比-10%，连续五个月价格不变；SLC

8Gb(1024Mx8)的合约价为$3.18，同比-10%，连续五个月价格不变；SLC4Gb(512Mx8)的合约价为$1.71，同比-9%，2022年8-11月为$1.72；SLC

2Gb(256Mx8)的合约价为$1.24，同比-9%，2022年8-11月为$1.25；SLC

1Gb(128Mx8)的合约价为$0.98，同比-6%，2022年8-11月为$0.99➢

（2）现货价：截至2023年1月31日，SLC16Gb(2GBx8)的现货价为$10.05，近一月下跌2%，近一周下跌1%；SLC8Gb(1GBx8)的现货价为$3.18，近一月下跌$0.01；SLC

4Gb(512MBx8)的现货价为$1.53，近一月下降$0.01；SLC

2Gb(256MBx8)的现货价为$1.13，近一月无变化；SLC1Gb(128MBx8)的现货价为$0.97，近一个月在$0.96-0.97波动图：SLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）图：SLC

NAND芯片的合约价（美金/颗）SLC32Gb(4Gx8)SLC4Gb(512Mx8)SLC16Gb(2Gx8)SLC2Gb(256Mx8)SLC8Gb(1024Mx8)SLC1Gb(128Mx8)SLC16Gb(2GBx8)SLC2Gb(256MBx8)SLC8Gb(1GBx8)SLC4Gb(512MBx8)SLC1Gb(128MBx8)201816141210814121086644202021：Dramexchange，中泰证券研究所目

录一、DRAM价格追踪：合约价、现货价持续创新低，1月跌幅扩大二、NAND价格追踪：合约价环比持平，现货价小幅下跌、整体稳定1.1主流：价格继续创新低，1月现货价跌幅小于合约价1.2利基：合约价跌幅环比扩大，现货价跌幅小于合约价三、要闻&公告：Intel发布DDR5服务器CPU，海外存储厂Q1存货达峰值四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化22要闻：英特尔发布支持DDR5服务器CPU，DDR5渗透率迎拐点◼

江波龙：目前企业级SSD产品正与行业大客户进行验证阶段➢

2023年1月31日消息：江波龙接受机构调研时表示，目前企业级SSD产品正处于与行业大客户进行验证的阶段，如进展顺利，预计六个月或更久的时间完成测试导入。➢

/s?id=1756541101086124310&wfr=spider&for=pc◼

美光：DDR5服务器内存已获英特尔验证➢

2023年1月19日消息：美光宣布用于数据中心的DDR5服务器内存产品组合已在第四代英特尔至强可扩展处理器上得到全面验证。据介绍，美光DDR5提供的内存带宽是前几代产品的两倍，这对于推动当今数据中心处理器内核的快速增长至关重要。过渡到DDR5将提供更高的带宽以释放每个处理器的更多计算能力，从而有助于缓解未来几年的潜在瓶颈。➢

/News/Memory/20230119-33237.html◼

SK海力士：第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证➢

2023年1月12日消息：SK海力士宣布，公司研发的第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM获得了英特尔近期上市的第四代至强可扩展服务器处理器兼容认证。➢

/s/F8sgAAPgqafqF88zS4U81A◼

Intel：发布支持DDR5的服务器CPU，服务器DDR5渗透率迎拐点。➢

2023年1月11日消息：Intel发布用于服务器的第四代至强可扩展处理器（代号

Sapphire

Rapids），支持DDR5-4800。2022年11月10日，2022年11月10日AMD发布支持DDR5的服务器CPU第四代霄龙处理器。内存配套服务器，Intel、AMD分别占据96%、4%的服务器处理器市场。➢

/86374.html◼

澜起：公司第一代AI芯片已于2022年底前完成工程样片流片

距离量产还需时间➢

2023年1月10日消息：澜起科技宣布公司第一代AI芯片已于2022年底前如期完成工程样片的流片，后续还将开展一系列测试、验证、送样等工作，详细情况请关注公司2022年年报。➢

/articles/2023-01-10/2628598.html23：公开信息，中泰证券研究所重要公告：大陆存储厂商Q4业绩承压◼

聚辰股份：公司发布业绩预告➢

（1）2022：预计归母净利润3.5-3.8亿元，同比+223%~+251%，扣非3.85~

4.15亿元，同比+352%~+387%。（2）22Q4：预计归母净利润0.9~1.2，同比+254%~+369%，环比-16%~+11%；扣非0.9~1.2亿元，同比+221%~+329%，环比-30%~-7%。◼

澜起科技：公司发布业绩预告➢

1）2022：预计归母净利润12.44~13.68亿元，同比+50%~+65%，扣非8.33~9.26亿元，同比+35%~+50%。2）22Q4：预计归母净利润2.5~3.7亿元，同比-23%~+17%，环比-23%～+16%；扣非0.7~1.6亿元，同比-74%~-38%，环比-75%～-41%。◼

佰维存储：公司发布业绩预告，Q4业绩承压➢

1）2022：预计营收25~28亿元，同比-4%~7%，归母净利润0.65~0.8亿元，同比-44%~-31%，扣非0.65~0.8亿元，同比-45%~-32%。因消费电子行业需求下滑、公司研发投入加大，22年公司利润同比下滑。2）22Q4：预计营收3.2~6.2亿元，同比-44%~+9%，环比-61%~-23%；归母净利润-0.11~+0.04亿元，同比-954%~+206%，环比-142%~-85%；扣非-0.11~0.04亿元，环比-136%~-88%。◼

江波龙：公司发布业绩预告，Q4业绩承压➢

1）2022：预计归母净利润0.57~0.85亿元，同比-94%~-92%，扣非0.31~0.47亿元，同比-97%~-95%。因消费电子行业需求下滑，2022年量价齐跌，公司利润同比出现下滑，同时因存储器产品单价下降明显，公司预计计提存货减值准备1.4~1.6亿元。2）22Q4：Q3公司归母净利润-1.61亿元，预计Q4归母净利润-1.53~-1.25亿元，同比-335%~-292%；Q3公司扣非-1.64亿元，预计Q4扣非-1.78~-1.62亿元。◼

北京君正：公司发布业绩预告，Q4业绩承压➢

预计全年实现归母净利7.60~8.89亿元，中值8.24亿元，同比-11%；扣非归母净利7.22~8.51亿元，中值7.87亿元，同比-12%。按业绩中值测算，对应22Q4归母净利0.92亿元，同比-68.2%，环比-58.1%；扣非归母净利0.70亿元，同比-75.0%，环比-68.2%。◼

普冉股份：公司发布业绩预告，Q4业绩承压➢

1）2022：预计归母净利润0.64~0.96亿，同比-78%~-67%；扣非0.24~0.36亿元，同比-91%~-

87%。2）22Q4：预计归母净利润-0.74~-0.42亿，同比-208%~-162%，环比-313%~-221%；22Q3扣非12万，预计Q4扣非-0.77~-0.65亿，同比-239%~-217%。存货减值主要在Q4计提，全年计提金额5~7千万（三季报资产减值损失330万），剔除存货减值影响，Q4基本盈亏平衡；全年股权激励费用1100万；另外公司22年税率10%（21年免税），按照利润中值*10%计算，全年税费约800万。24：公司公告，中泰证券研究所重要公告：海外存储厂商预计Q1存货达峰值，展望H2需求复苏图：海外存储厂商Q4业绩承压，预计Q1存货达峰值，展望23H2需求复苏Q4营收Q4毛利率Q4净利润同比

环比

同比

环比

同比

环比展望Q1:全球性经济走缓，DRAM內存持续低迷。供应商库存持续增加，部分供应商调降资本支出、启动产能调节及减缓制程推进。2023：上半年市场持续疲弱，下半年有机会终端库存逐步去化、通胀影响趋缓,有利DRAM內存市场需求回温。资本支出：2023年将持续缩减资本支出，规划以约新台币185亿新台币为目标，2022年资本支出207亿新台币。南亚

-63%

-28%

-36%

-20%

-116%

-144%资本开支：继续进行必要的基础设施投资以应对长期需求，22年全年资本支持53.1万亿，预计23年资本开支与22年相似，内存方面的资本支出主要是发展先进节点23Q1：客户继续调整库存；预计全球IT需求和内存市场保持疲软。预计Q1

DRAM出现低个位数下降，三星与市场相似；NAND市场出现中位数下降，三星增长预计优于市场。预计公司智能手机出货量和售价将上升，平板电脑出货量下降，预计液晶电视销量收缩10%-15%。预计服务器客户继续调整库存三星-8%

-8%

-10%

-6%

124%

161%2023：宏观不确定性高，预计23H2下游需求开始复苏。2023年-2024年之间数据中心开始为现有服务器启动新的更新周期，预计客户大部分需求集中在23H2。预计下半年推高采用DDR5高规格服务器需求资本开支：22Q3法说会宣布2023年同比减少50%+，目前不考虑进一步缩减。库存：客户库存接近2019年下行周期水平，叠加供应商库存，行业库存达历史最高水平。目前智能手机的库存相对较低，服务器和数据中心库存目前相对较高海力士

-38%

-30%

-46%

-32%

-206%

-419%2023：23年PC出货量负增长，但PC的DRAM容量预计增长10%以上；移动端出货增长有限；由于弱的企业IT投资和库存修正，服务器需求增速放缓。预计23年不仅库存水平将恢复正常，而且24年可能会出现好于预期的好转23Q1：DRAM容量增长环比下降两位数，NAND环比下降高个位数2023：预计23年云计算对存储需求的增速小于历史水平（因为客户去库存）；预计23年PC出货量下降个位数、接近2019年的水平；预计手机出货量微增（因中国重新打开经济）；2023年汽车存储需求稳健，预计2023-2028年CAGR是存储市场增速的2倍。预计23下半财年收入浩宇23上半财年美光

-47%

-39%

-24%

-17%

-108%

-113%

资本开支：2023年资本开支70-75亿美金，同比减少40%左右，此前目标80亿美金供给：DRAM+NAND的晶圆产出减少20%。预计23年DRAM生产量个位数的负增长，NAND生产量小幅上升。削减费用和人员支出：2023全年停发奖金

、削减高管工资、裁员库存：客户库存持续改善，预计23年中恢复至健康水平；预计FYQ2美光存货周转天数达峰值25：公司公告，中泰证券研究所目

录一、DRAM价格追踪：产品价格历史低位，跌幅扩大二、NAND价格追踪：合约价稳定，现货价小幅下跌三、要闻&公告：英特尔推出服务器处理器，澜起DDR5出货量稳步提升四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化26投资建议◼

大陆存储大市场&低自给率，

空间广阔，建议关注兆易创新（大陆存储龙头）、聚辰股份（大陆EEPROM龙头）、北京君正（大陆车载存储龙头）、澜起科技（内存接口芯片龙头）、东芯股份（大陆SLC

NAND龙头）、普冉股份（从小容量到大容量，打开成长空间）等27风险提示◼

下游需求不及预期：存储公司下游应用领域广泛，客户众多，若疫情反复或其他影响致使经济不及预期，可能会给公司营收不及预期的风险◼

产能瓶颈的束缚：存储公司新建产能进展可能受疫情等因素影响，产能释放不及预期，进而影响公司业绩◼

大陆厂商技术进步不及预期：存储产品技术难度大，若技术迭代发展不及预期会影响公司业绩◼

中美贸易摩擦加剧：目前大陆半导体产业链未实现完全去美国化，存储设计公司使用的软件工具、下游代工等有被制程的风险◼

研报使用的信息更新不及时：研报使用信息为公开信息和调研数据，可能因为信息更新不及时产生一定影响◼

第三方数据库数据信息可信性风险：存储价格使用了第三方数据库，存在第三方数据库信息与实际情况有偏差的风险28目

录一、DRAM价格追踪：合约价、现货价持续创新低，1月跌幅扩大二、NAND价格追踪：合约价环比持平，现货价小幅下跌、整体稳定三、要闻&公告：Intel发布DDR5服务器CPU，海外存储厂Q1存货达峰值四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化29存储：半导体top2细分产品，周期波动大是典型特征◼

全球半导体产业大市场、强周期性➢

1）市场规模：2021年全球市场规模达到5531亿美金，同比+26%，WSTS预计2022年将继续增长，市场规模有望达6284亿美金，同比+14%，2023年市场规模达到6632亿美金，同比+6%➢

2）周期性：从1980年开始，全球半导体产业历经8轮周期，从2019年开始处于第9轮周期，目前处于下行阶段，近几轮周期一般持续3-4年，本次周期疫情打乱节奏，周期时间有拉长的趋势图：全球半导体市场规模强周期属性（亿美金）全球半导体市场规模(亿美金）yoy70006000500040003000200010000140%120%100%80%60%40%20%0%1996|20002001|20072008|20102011|20142015|20181985|19881989|19952019|Now1980|1984-20%-40%-60%注：全文数据2022年5月16日更新：WSTS，中泰证券研究所30存储：半导体top2细分产品，周期波动大是典型特征◼

存储占比大叠加周期波动大，对行业整体周期波动影响最为明显➢

规模占比：存储是半导体第二大细分市场。2021/2020/2019年全球存储市场规模为1534/1175/1064亿美金，占半导体规模的比例为28%/27%/26%，是全球第二大细分品类➢

周期波动：存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类图：半导体各细分市场占比图：半导体各细分市场yoy分立、光电器件、传感器微型元件模拟芯片逻辑芯片分立、光电器件、传感器集成电路微型元件存储器模拟芯片逻辑芯片存储器40%35%30%25%20%15%10%5%60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%-40%0%31：WSTS，中泰证券研究所存储：半导体top2细分产品，周期波动大是典型特征◼

存储是半导体细分产品成长性最优赛道➢

成长性：2002-2021年、2011-2021年、2016-2021年存储CAGR分别为9.5%、9.7%、14.9%，均为半导体成长性最优细分产品，且近5年增速显著高于近十年和近二十年增速，成长性显著提升图：全球半导体细分市场CAGR存储器逻辑芯片微型元件模拟芯片2016-21年CAGR2011-21年CAGR2002-21年CAGR0%2%4%6%8%

10%

12%

14%

16%32：WSTS，中泰证券研究所存储：DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪◼

2021年DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪➢

从细分产品看：DRAM、NAND占据主要份额，2021年占比分别为61、36%，合计占比97%➢

跟踪存储的景气度变化重点跟踪DRAM和NAND景气度变化图：全球存储细分市场占比DRAMNANDNor等100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%2009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016

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2019

2020

2021

2022e2023e33：WSTS，中泰证券研究所存储：DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪◼

DRAM周期波动幅度最大，成长性最优➢

周期波动：DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM周期波动性大于存储平均水平，是存储细分市场中周期性波动最大细分市场➢

成长性：从2009-21年、2011-21年、2016-21年存储器各细分品类CAGR看，DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM成长性大于存储平均水平，且近5年增速显著高于近十年增速，成长性显著提升图：全球存储细分市场规模增速DRAM

NAND

NOR及其他图：全球存储细分市场CAGR存储器DRAMNANDNOR及其他存储器80%60%40%20%0%2016-21年CAGR2011-21年CAGR2009-21年CAGR-20%-40%-60%-10.0%

-5.0%0.0%5.0%10.0%

15.0%

20.0%34：WSTS，中泰证券研究所存储：DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪DVD，CD，CD-ROM等光学存储半导体存储磁性存储SRAM：静态随机存储器显存平台：GDDR1-4RAM：随机存储器，断电数据会丢失异步存储：FPDRAM,EDO

DRAMDRAM：动态随机存储器同步存储：SDRAM笔记本平台：等LPDDR～930亿美元伪静态随机存储器：PC平台：PSRAMSDR,DDR1-4EEPROMPROMEPROM掩膜ROM串行

NOR～

31亿美元ROM：只读存储器，断电数据不会丢失存储器NOR

FLASH并行

NOReMMCFLASH～591亿美元嵌入式存储NANDFLASH:eMMC,SSD,USB3.0UFS～

560亿美元SATA接口固态硬盘（SSD）3D-XpointRRAM:阻变MRAM:磁阻NVMe接口SD/MicroSD等存储卡移动存储闪存盘新型RAM：断电数（“U盘”）据不会丢失FRAM:铁电PCM:相变磁带、软盘、机械硬盘等注：2021年数据：SIA,ICInsights，中泰证券研究所驱动力：智能手机+服务器+PC是三大下游应用◼

三大驱动力：智能手机+服务器+PC➢

DRAM：智能手机占比39%，是第一大市场，2021年服务器占比34%，是第二大市场，PC占比13%，萎缩明显➢

NAND：2020年手机占比37%、PC

SSD占比28%，企业级SSD占比18%➢

智能手机端，出货量增速有限，单机容量提升是主要推动力。服务器端，受益人工智能、物联网和云计算等应用兴起，服务器出货量及单机容量提升推动增长图：DRAM下游应用构成（按需求量）Server

Mobile

PC

其他图：NAND下游应用构成（按需求量）HandsetsPCSSDGameConsoleEnterpriseSSDUFD+MemoryCard

Others100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%100%80%60%40%20%0%17%28%18%28%20%29%22%27%40%37%35%34%201920202021e2022e36：Dramexchange，SIA，中泰证券研究所存储：海外大厂寡头垄断◼

韩系、美系厂商主导，DRAM格局最为集中➢

CR3：DRAM

94%、NAND

67%、Nor

64%，DRAM集中度最高，Nor集中度最低➢

DRAM：2021年三星、海力士、美光三巨头合计市占率高达94%➢

NAND：六大厂商垄断，2021年六大厂商合计市占率高达93%➢

Nor：主要被台系厂商垄断，2021年旺宏、华邦的合计市占率达52%，占半壁江山，兆易创新市占率18%，全球第三。图：DRAM、NAND、Nor竞争格局对比（2021年数据）NorFlashNANDFlashDRAM三星美光海力士南亚科技华邦三星美光其他铠侠海力士旺宏赛普拉斯半导体美光科技华邦电兆易创新其他力晶Solidigm

西部数据其他3%14%26%34%7%23%6%43%11%18%26%13%28%19%11%37：Trendforce,CINNOResearch，中泰证券研究所；存储：海外大厂寡头垄断◼

DRAM全球三大寡头，大陆还看长鑫➢

三足鼎立：DRAM竞争格局历经洗牌，现阶段韩国三星、韩国海力士、美国美光三大寡头垄断市场，呈现“三足鼎立”之势➢

格局稳定：2021年三星、海力士、美光市占率依次为43%、28%、23%，合计占比超90%，自2013年美光收购尔必达后，三大厂商市场率合计始终位于90%以上图：DRAM竞争格局历经洗牌DRAM厂商数量截至2018年，三星、海力士、美光三足鼎立，合计市占率94%252015105038：WSTS，IDC，中泰证券研究所存储：海外大厂寡头垄断图：三星、海力士、美光全球DRAM市占率变化情况三星海力士美光60%40%20%0%2005

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2021图：DRAM行业集中度持续提升Top3厂商合集市占率其他厂商合计市占率150%100%50%0%2005

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202139：IDC，Dramexchange，中泰证券研究所存储：海外大厂寡头垄断◼

NAND：全球六大龙头竞争，格局稳定➢

NAND市场集中度不断提高。1996年全球NAND大厂现已多半退出市场，新进厂商通过技术突破占领市场份额。如今全球NAND市场被6家海外厂商垄断，六家厂商合计市占率长期稳定在95%+，格局稳定，2021年三星、铠侠、西部数据、海力士、美光、Solidigm的市场份额分别是34%、19%、14%、13%、11%、6%，CR6达到93%图：1996年全球NAND厂商多半已退出市场图：全球NAND目前由6家厂商垄断铠侠

海力士

美光

Solidigm三星西部数据其他3%4%6%100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%IntelADM8%36%AtmelOther10%FujitsuSharpSST12%SGD-Thomson21%40：ICE，Trendforce，中泰证券研究所；注：2020年海力士收购英特尔的NAND和SSD业务，2021年12月Solidigm

宣布正式成立，成为海力士在美国的独立子公司，大陆DRAM：第二大市场&自给率极低，长鑫引领发展◼

DRAM：大陆市场最大但自给率极低，长鑫引领发展➢

第二大市场：根据2019年数据，中国是全球第二大DRAM市场，占据34%的市场，仅次于美国的39%➢

自给率极低：长鑫量产前，本土自给率几乎为0➢

长鑫引领大陆DRAM发展：长鑫是大陆首家DRAM

IDM厂商，2016年在合肥成立，规划三期，产能共36万片/月。2019年19nm8Gb

DDR4投产，2022年量产17nm；2021年中国大陆DRAM产能占全球4%，长鑫产能占全球DRAM3%，引领大陆发展图：中国是全球第二大DRAM市场（2019年）图：长鑫制程紧跟海外大厂步伐2015201620172018201920202021

2022e三星海力士美光18%18nm1Ynm1Znm1Anm美国21nm20nm1Xnm1Ynm1Znm1Anm4%39%