光电器件技术智慧树知到课后章节答案2023年下苏州大学

光电器件技术智慧树知到课后章节答案2023年下苏州大学苏州大学

第一章测试

下列光电器件中，基于光电效应原理的是（）。

A:激光二极管B:光电二极管C:光发射相机管D:OLED

答案:光电二极管

下列光电器件中，基于辐射复合原理的是（）。

A:激光二极管B:太阳能电池C:光晶体管D:LED

答案:LED

下列应用场景中可能用到发光二极管的有（）。

A:家用光纤B:太阳能帆板C:交通指示灯D:手机显示屏

答案:家用光纤;交通指示灯;手机显示屏

激光二极管的基本原理是受激发射。（）

A:错B:对

答案:对

蓝色LED的发明获得2014年诺贝尔物理学奖。（）

A:错B:对

答案:对

第二章测试

不涉及化学杂质或物理缺陷的跃迁类型有（）。

A:到深能级的跃迁B:导带到受体的跃迁C:供体到受体的跃迁D:本征跃迁

答案:本征跃迁

下列发光方式中不属于按输入能量源分类的是（）。

A:光致发光B:电致发光C:辐射发光D:阳极发光

答案:阳极发光

属于电致发光激发方式的有（）。

A:本征B:隧穿C:注入D:雪崩

答案:本征;隧穿;注入;雪崩

人眼对蓝色光的敏感程度最高。（）

A:对B:错

答案:错

涉及热载流子的带内跃迁也称为俄歇过程。（）

A:对B:错

答案:对

第三章测试

下列哪个参数不决定发光二极管的外量子效率（EQE）（）。

A:非辐射复合速率B:开启电压C:外耦合效率D:辐射复合速率

答案:开启电压

荧光发射有机发光二极管的理论最大内量子效率为（）。

A:25%B:75%C:45%D:15%

答案:25%

有机发光二极管的主要优点有（）。

A:易与无机半导体集成B:低成本C:高载流子迁移率D:高稳定性

答案:易与无机半导体集成;低成本

发光二极管的光谱宽度要比激光二极管的光谱宽度更窄。（）

A:错B:对

答案:错

量子点发光二极管的缺点是饱和度较低的红色发射。（）

A:错B:对

答案:错

第四章测试

对于一个理想的光电探测器，其在波长620nm处的响应度为（）。

A:0.2A/WB:1.0A/WC:0.5A/WD:1.3A/W

答案:0.5A/W

下列关于图像传感器CCD与CMOS的说法，错误的是（）。

A:在噪声方面：CCD是单一放大，噪声较高；CMOS每个像素内都有一个放大器，噪声较低B:在速度方面：CCD需在同步时钟的控制下，一位一位地输出信息，速度较慢；CMOS具有随机存取能力，速度快C:在成本方面：CCD整个电路较为复杂，成本较高；CMOS采用主流集成技术，成本较低D:在功耗方面：CCD需要外加电压较大，功耗高；CMOS可低电压驱动，功耗低

答案:在噪声方面：CCD是单一放大，噪声较高；CMOS每个像素内都有一个放大器，噪声较低

雪崩式光电二极管的噪声来源是倍增过程中碰撞电离的不确定性。（）

A:错B:对

答案:对

为了提高抗辐射能力，在太阳能电池中加入锂，通过与辐射引起的点缺陷相结合来中和缺陷，从而防止电池寿命退化。（）

A:对B:错

答案:对

异质结太阳能电池相比于传统的太阳能电池的优势在于（）。

A:短波长光谱响应强B:耐辐射性强C:制备成本低D:串联电阻更低

答案:短波长光谱响应强;耐辐射性强;串联电阻更低

第五章测试

不属于化学气相沉积（CVD）技术实现金属化优点的是（）。

A:全局平面化B:制备效率高C:阶梯覆盖好D:保形

答案:全局平面化

在集成电路制备工艺中，刻蚀技术是通过物理或化学方法从硅表面去除不需要的材料的过程，以下说法错误的是（）。

A:湿法刻蚀各向异性刻蚀差，容易出现钻蚀现象B:干法刻蚀具有较好的各向异性C:刻蚀技术可分为湿法刻蚀和干法刻蚀D:各向同性是指在同一个方向上的刻蚀

答案:各向同性是指在同一个方向上的刻蚀

在所有集成电路技术中，CMOS技术的功耗最低，所以它对ULSI电路十分有吸引力。（）

A:对B:错

答案:对

分子束外延技术可以制备单层的薄层。（）