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文档简介
核心观点1板块深度调整具备配置价值,中报业绩持续高速增长。2023年5月以来,受AI调整以及市场对美国后续制裁升级担忧,板块出现深度调整,随着华为Mate60
Pro手机回归利好催化,板块短暂出现一定反弹,但相较于4月高点仍有27.1%回撤幅度。从基本面角度看,2023H1十四家半导体设备企业合计实现营业收入205.54亿元,同比+38.27%,实现归母净利润44.57亿元,同比+79.55%,业绩兑现高增长;2023H1十四家半导体设备企业合同负债合计达到42.68亿元,同比+42.68%,继续创历史新高,2023H1半导体设备新接订单仍实现一定增长,充足在手订单对板块后续业绩快速增长提供支撑。不论从股价位置,还是基本面角度,半导体设备当前具备配置性价比。美、荷、日制裁尘埃落地,国产替代逻辑持续强化。①日本和荷兰出口管制分别于7月和9月相继生效,中国海关总署数据显示,6-7月中国大陆进口日本、和荷兰半导体设备金额同比提速明显,尤其进口荷兰光刻机设备价值量大幅提升,可见核心设备不是短期扩产的瓶颈。②中长期看,美、荷、日制裁尘埃落地,国内半导体设备有望加速实现进口替代。整体来看,半导体设备国产化率仍处于低位,对于量/检测、涂胶显影、离子注入设备等,我们判断2022年国产化率仍低于10%,国产替代空间较大。在技术层面上,国产半导体设备企业在薄膜沉积、刻蚀、量/检测、CMP、清洗等领域均已具备一定先进制程设备技术积淀。海外制裁升级背景下,半导体设备进口替代逻辑持续强化,我们看好晶圆厂加速国产设备导入,2023年半导体设备国产化率提升有望超出市场预期。大陆逆周期扩产加速趋势明显,半导体复苏拐点信号出现。①作为内资逻辑晶圆代工龙头,中芯国际2022年资本开支达到63.5亿美元,同比+41%,中芯国际并预计2023年基本持平;此外,我们判断存储扩产好于先前预期,晋华、粤芯等二三线晶圆厂合计资本开支有望持续提升。海外设备龙头ASML、Lam、KLA
2023Q2中国大陆地区收入占比环比实现了不同程度提升,根据各公司业绩说明会,对中国大陆晶圆厂扩产保持乐观态度,进一步验证国内晶圆厂逆周期扩产趋势。②2023年3月以来,全球和中国大陆半导体销售额出现连续数月环比改善,微观层面,全球主要半导体公司2023Q2收入整体呈现环比提升态势,全球晶圆代工龙头台积电、封测龙头日月光单月营收数据好转,进一步验证了半导体行业复苏拐点出现。我们认为中国大陆晶圆厂逆周期扩产叠加半导体行业景气度复苏拐点出现共振下,看好中国大陆半导体设备需求端放量。华为Mate
60系列手机回归,利好半导体产业链国产化。①2023年8月29日,华为高端智能手机Mate
60系列强势回归,引发国内消费者购机热潮,根据第三方拆解报告显示,Mate
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Pro搭载了新型麒麟9000s芯片,并采用了先进的7纳米,取得重大突破。②在半导体领域,华为研发和投资并举,海思已经建立起了比较完善的芯片产品体系,
产品涵盖AI
芯片昇腾系列、云计算处理器鲲鹏芯片、手机
SoC
芯片麒麟系列、5G
基站芯片天罡和
5G
基带芯片巴龙、联接芯片凌霄系列,为华为自研芯片提供支撑;产业投资则依托哈勃投资,根据企查查数据,截止2023年9月,哈勃已投出超过90家相关企业,不完全统计已经上市的企业14家。我们认为此次Mate
60系列回归具有重要意义,搭载了国产麒麟9000s芯片,是华为国产突破阶段性胜利,看好后续其他高端芯片的持续突破,全面利好半导体产业链国产替代,上游半导体设备环节有望受益。投资建议:半导体设备受益标的精测电子、拓荆科技、华海清科、芯源微、中科飞测、北方华创、中微公司、盛美上海、长川科技、至纯科技、万业企业、华峰测控。
零部件受益标的正帆科技、新莱应材、福晶科技、富创精密、茂来光学、江丰电子、华亚智能等。风险提示:海外制裁、半导体行业景气度下滑、晶圆厂资本开支不及预期等目录板块深度调整具备配置价值,中报业绩持续高速增长一美、荷、日制裁尘埃落地,国产替代逻辑持续强化二大陆逆周期扩产加速趋势明显,半导体复苏拐点信号出现三四华为Mate
60系列手机回归,利好半导体产业链国产化五投资建议、受益标的及风险提示21.12023年板块超额收益明显,前道环节表现优于后道封装截止2023年9月28日,半导体设备(长江)年初以来累计涨幅19.14%,具有明显超额收益,复盘2023年半导体设备板块行情走势,大致经历三个阶段。1)2023.2-2023.4,日本和荷兰半导体制裁官宣,本土晶圆厂扩产预期上修,以及先进制程扩产预期落地,板块迎来明显上涨。2)2023.5-2023.7,以AI为代表的科技股调整,市场对美国后续制裁升级担忧,板块出现深度调整。
3)2023.8-至今,华为Mate
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Pro手机回归,叠加ASML2000i以及后续光刻机获得出口许可等利好,带动板块迎来较为明显反弹。就不同环节2023年初至今股价涨幅表现看,前道设备优于后道测试设备:主要系后道封装行业景气度较差,持续承压,前道受益于晶圆厂逆周期扩张且国产替代逻辑,前道设备环节国产化率较低的量/检测、薄膜沉积环节涨幅靠前,测试机龙头年初至今甚至出现下跌。图表:2023年半导体设备板块行情经历三个阶段 图表:2023年前道设备公司涨幅优于后道设备公司70%60%50%40%30%20%10%0%-10%半导体设备(长江)年初以来涨幅(%)半导体设备(长江)年初以来涨幅(%)市场担心美国制裁升级华为Mate
60系列手机回归先进制程扩产预期,行业扩产预期上修100%80%60%40%20%0%-20%-40%2023年初以来涨幅(%)31.2
营收端持续兑现快速增长,利润端实现翻倍增长图表:2023H1半导体设备行业营收同比+38.27%我们选取十四家半导体设备行业重点标的【北方华创】【中微公司】【拓荆科技-U】
【华海清科】
【长川科技】【芯源微】【至纯科技】华峰测控】【盛美上海】【万业企业】【精测电子】【微导纳米】【晶升股份】【金海通】作为统计样本
,2023H1合计实现营业收入205.54亿元,同比+38.27%,其中封测行业景气度承压,相关公司营收出现较大幅度下滑。利润端:
2023H1
十四家半导体设备企业合计实现归母净利润44.57亿元,同比+79.55%,归母净利润增速显著高于营收入端增速,除了部分公司投资收益等影响,规模效应对板块盈利水平提升起到积极作用。-50%-20%10%40%70%45040035030025020015010050020192020202120222023H1营业收入(亿元)同比增速-50%-20%10%40%70%100%0201040306050807020192020202120222023H1图表:2023H1半导体设备行业归母净利润同比+79.55%归母净利润(亿元) 同比增速41.2
规模效应下费用率出现下滑,净利率提升明显图表:2023H1半导体设备行业期间费用率同比-1.88%图表:2023H1半导体设备行业净利率同比+4.33pct2023H1十四家半导体设备企业销售净利率21.64%,同比+4.33pct,盈利水平提升明显:
1)毛利端,
2023H1十四家半导体设备企业毛利率45.06%,同比-2.24pct,同比出现一定下滑,其中最主要的原因系半导体设备龙头北方华创高毛利电子元器件收入占比下降所致,此外封测行业景气度承压,相关公司毛利率出现下滑。
2)费用端,
2023H1十四家半导体设备企业期间费用率为27.86%,同比-1.88pct,主要系规模效应,费用率下降对盈利水平提升起到积极作用,此外报告期内部分半导体设备公司投资收益大幅增长,对净利率也起到正向作用。11.87%15.83%17.57%19.23%21.64%43.16%41.37%43.67%46.27%45.06%50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%20192020202120222023H1净利率毛利率31.48%31.54%30.98%28.15%27.86%-10%0%50%40%30%20%10%20192020202120222023H1管理费用率财务费用率销售费用率研发费用率期间费用率51.2
存货&合同负债同高增长,在手订单充足确保未来业绩图表:2023H1半导体设备行业合同负债同比+42.68%2023H1十四家半导体设备企业存货合计达到413.34元,同比+56.30%,创历史新高,主要系在手订单充足,发出商品和原材料大幅增长。2023H1十四家半导体设备企业合同负债合计达到42.68亿元,同比+42.68%,继续创历史新高,我们判断上半年半导体设备板块新接订单仍实现一定增长,在手订单持续创新高,充足订单对板块后续业绩快速增长提供支撑。413.3456.30%-50%-20%10%40%70%100%45040035030025020015010050020192020202120222023H1图表:2023H1半导体设备行业存货同比+56.30%存货(亿元) 同比增速-50%-20%10%42.68%40%70%100%20018016014012010080604020020192020202120222023H1合同负债(亿元)同比增速180.1267目录板块深度调整具备配置价值,中报业绩持续高速增长一美、荷、日制裁尘埃落地,国产替代逻辑持续强化二大陆逆周期扩产加速趋势明显,半导体复苏拐点信号出现三四华为Mate
60系列手机回归,利好半导体产业链国产化五投资建议、受益标的及风险提示82.1
美国:制裁升级至先进制程,后续制裁或好于市场担忧2022年10月7日,美国对向中国半导体制裁升级,主要针对先进制程芯片制造设备,对128层及以上3D
NAND芯片、18nm半间距及以下DRAM内存芯片、16nm或14nm或以下非平面晶体管结构(即FinFET或GAAFET)逻辑芯片相关设备进一步管控。此外在没有获得美国政府许可的情况下,美国国籍公民禁止在中国从事芯片开发或制造工作。担心持续的制裁升级,是板块出现调整的重要因素,此前市场担心美国或将在今年夏天通过进一步限制芯片制造设备的销售,但最终并未落地。近期华为Mate
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系列手机上市,引起市场强烈反响,加剧了市场对美国加大制裁管控的担忧。参考2018年以来美国对华半导体制裁,步步为营,半导体是中美重要的博弈,我们预计后续制裁倘若升级,大概率不会一步到位,有望好于市场担忧。图表:2018年以来美国对华半导体制裁步步为营时间事件2018年10月美国商务部发布公告,将福建晋华集成电路有限公司列入商务部实体名单,禁止美国企业向福建晋华出售技术和产品2019年5月美国商务部正式将华为列入“实体清单”,禁止美企向华为出售相关技术和产品2020年5月美商务部公告将延长华为的供货临时许可证90天至8月14日,但同时升级了对华为的芯片管制,以限制华为使用美国技术软件在国外设计和制造半导体的能力2020年12月美国商务部以“违反美国国家安全或外交政策利益”为由,宣布将中芯国际列入“实体清单”,这就意味着中芯国际生产10nm以下芯片所需要的原料和设备无法获得美国批准出口。2022年10月美国BIS公布对中国出口管制新规,主要针对先进芯片和芯片制造设备领域。2022年11月美国向日本和荷兰施压,要求两国的芯片制造领域相关企业立即禁止向中国出售产品,阻止先进芯片技术流入中国。2022年12月美国商务部决定将包括长江存储、寒武纪、上海集成电路研发中心、上海微电子、深圳鹏芯微等在内的36家中国实体(包括一家长江存储日本子公司)加入实体清单。92.2日本:出口管制7月已生效,聚焦14nm以下先进制程2023年3月31日,日本政府宣布将修订外汇与外贸法相关法令,5月正式颁布,7月施行:1)清单拟对六大类23种先进半导体制造设备追加出口管制,主要包括极紫外线(EUV)相关产品的制造设备和用于存储元件立体堆叠的刻蚀设备。按线宽来看,均为10~14nm以下的先进制程制造设备。2)此次新增的23种半导体制造设备及技术在从日本对外出口时均会触发出口许可证要求,而这些新增物项在出口至中国大陆、中国香港和中国澳门时将仅能申请流程较为复杂、审批更加严格的许可证类型。图表:日本半导体设备出口管制清单内容以先进制程制造设备为主序号 新增设备类型薄膜设备(限于为使用极紫外线制造集成电路而特别设计的设备)成膜设备,且满足十项特定参数性能之一设计用于在真空或惰性环境中形成薄膜,且满足特定参数性能的设备4设计用于在特定真空或惰性环境中形成薄膜,且满足特定参数性能(与上一项参数性能不同)的设备5使用有机金属化合物形成钌膜层的设备,且满足特定参数性能6空间原子层沉积设备,且满足特定参数性能7在特定温度或通过特定方式成膜的设备,且满足特定参数性能8设计用于硅(包括添加了碳的硅)或硅锗(包括添加了碳的硅锗)的外延生长设备,且满足特定参数性能9设计通过特定方式形成特定钨膜层的设备10设计用于通过特定方式形成特定低介电层,使之不留空隙的设备11为使用极紫外线制造集成电路的设备而特别设计的薄膜12采用步进重复式或步进扫描式处理晶圆的光刻机,满足特定参数性能13为极紫外线制造集成电路设计的对抗进行蚀剂涂布、成膜、加热或显影的设备14外线制造集成电路设计的掩膜)15设计用于通过等离子体形成特定碳硬掩膜的设备16设计用于干法刻蚀的设备,且满足特定参数性能17设计用于湿法刻蚀的设备,且满足特定参数性能18设计用于各向异性干法刻蚀的设备,且满足特定参数性能19设计用于在特定真空状态下去除高分子残留及铜氧化膜,以及进行铜的成膜的设备20具有多个腔体,设计用于通过干式工艺去除表面氧化物进行前处理的设备,或者设计用于通过干式工艺去除表面污染物的设备21具有晶圆表面改性后进行干燥的工艺的单片式清洗设备221种退火设备在真空状态下工作的退火设备,且满足特定参数性能231种量/检
为对使用极紫外线制造集成电路设计的掩膜,或该设计带图形的掩膜测备 进行检查而设计的设备11种薄膜沉积设备3种清洗设备4种光刻/曝光设备
设计用于掩膜的,通过特定方式形成多层反射膜的设备(仅限为极紫3种刻蚀设备102.2
日本:全球半导体设备重要构成,众多细分领域全球领先图表:日本半导体设备厂商优势领域集中于薄膜/光刻/涂胶显影/刻蚀/清洗等领域日本在涂胶显影、清洗领域具备全球主导地位,并在薄膜沉积、刻蚀等领域全球领先。日本半导体设备产业已涌现出TEL、DNS、Hitachi等全球龙头,其中TEL为世界第三大半导体设备厂商,业务涵盖涂胶显影、CVD、ALD、刻蚀、清洗等,尤其在涂胶显影设备领域占据主导地位,我们预计全球市场份额近90%。此外,清洗设备也是日本半导体设备优势领域,2019年DNS和TEL两家合计全球占比达到77%。30020010002021年收入(亿美元)图表:2021年TEL营收位居全球半导体设备第三112.2
日本:中国大陆是重要出口市场,晶圆厂中标占比较高图表:2021年日本设备占中国半导体设备进口总额近30%中国大陆对于日本半导体设备依赖度较高,进口金额占比约30%。1)中观层面来看,2021年日本向中国出口半导体设备118亿美元,约占日本出口额的38.7%,约占中国进口额的28.8%。2)微观层面来看,2022财年TEL实现收入20038亿日元,其中对中国大陆市场实现收入5662亿日元,收入占比达到28%,进一步验证中国大陆市场对于日本半导体设备企业的重要性。细分设备类别来看,若以华虹无锡、上海积塔的中标结果来看,两家晶圆厂对于日本的涂胶显影设备、清洗设备和热处理设备的中标占比较高,2022年分别达到82%、33%和54%;而薄膜沉积设备、光刻机、刻蚀设备和量/检测设备的占比均低于15%。3052622001186825450400350300250200150100500中国日本美国荷兰进口总额(亿美元) 出口总额(亿美元) 对华出口(亿美元)41014.2%7.1%图表:2022年国内晶圆厂日本设备中标占比情况81.8%14.4%32.6%10.5%53.7%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%2.2
日本:中国大陆进口金额加速增长,制裁短期影响不大图表:2023年6月和7月中国大陆进口日本半导体设备金额提升明显随着日本出口芯片设备的禁令于7月23日正式生效临近,中国大陆进口日本半导体设备金额呈明显增长态势:2023年6月和7月进口金额分别为5.50亿美元、8.23亿美元,分别同比+16.96%、+64.80%,提升明显,7月更是创造了中国进口日本半导体设备金额单月新高。2023年1-7月中国大陆累计进口日本半导体设备金额达到37.98亿美元,同比+10.80%,在全球行业下行的背景下仍实现了稳步增长。进一步分析,CVD、干法刻蚀设备、热处理、光刻机等日本有一定优势的半导体设备细分环节,其中
CVD、干法刻蚀设备、光刻机中国大陆7月进口金额提升明显,热处理设备同比持续下降,我们判断主要与北方华创本土企业实现进口替代有一定关系。我们认为在日本出口管制生效前,中国大陆加速拉货,短期看日本制裁生效对国内晶圆厂扩产影响不大,中长期看本土设备突破以及国产替代的进度。-50%-20%10%40%70%100%9008007006005004003002001000从日本半导体设备进口金额(百万美元)同比增长(%)122.2
日本:中国大陆进口金额加速增长,制裁短期影响不大图表:2023年1-7月中国大陆进口日本光刻机金额160%130%100%70%40%10%-20%-50%200180160140120100806040200202301 202302 202303 202304 202305 202306 202307图表:2023年1-7月中国大陆进口日本刻蚀设备金额从日本等离子干法刻蚀设备进口金额(百万美元)同比增长(%)-75%-15%45%105%165%706050403020100202301202302202303202304202305202306
202307图表:2023年1-7月中国大陆进口日本CVD金额从日本进口CVD金额(百万美元) 同比增长(%)310%250%190%130%70%10%-50%300250200150100500202301202302202303202304202305202306
202307从日本进口光刻机金额(百万美元)
同比增长(%)-60%-30%0%30%60%90%140120100806040200202301
202302
202303
202304
202305
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202307图表:2023年1-7月中国大陆进口日本热处理设备金额从日本进口氧化扩散等热处理设备金额(百万美元)同比增长(%)13142.3
荷兰:出口管制生效,2000i以及后续型号短期获得许可2023年3月8日,荷兰政府以“国家安全”为由,宣布将对包括“最先进的”深紫外光刻机(DUV)在内的特定半导体制造设备实施新的出口管制,并加入美国对华芯片出口管制的阵营。2023年6月30日,荷兰政府公布了有关半导体设备出口管制的新规定,新的出口管制侧重于先进的芯片制造技术,包括最先进的沉积和浸没光刻系统,将于2023年9月1日生效,体现在以下两方面:1)对DUV设备(光源波长大于等于193nm)的限制门槛是同时满足两个条件:光源波长×K/数值孔径<=45nm;套刻精度<=1.5nm。根据ASML官网声明,对外出口其最先进的浸没式DUV光刻系统(TWINSCAN
NXT:2000i和后续的浸没式系统),需要向荷兰政府申请出口许可证,而1980Di浸润式光刻系统(套刻精度1.6nm),以及更低端的光刻设备的出口未受荷兰政府管控。
2)新规还对用于金属原子层沉积(ALD)的设备、进行无空隙等离子体放大沉积的设备等进行限制。近期,根据中国日报报道,ASML已向荷兰政府提出TWINSCAN
NXT:2000i及后续推出的浸润式光刻系统的出口许可证申请,荷兰政府也已经颁发了截至9月1日所需的许可证,允许ASML2023年继续发运TWINSCAN
NXT:2000i及后续推出的浸润式光刻系统。自2024年1月1日起,ASML将基本不会获得向中国客户发运这些设备的出口许可证。152.3
荷兰:出口管制生效,2000i以及后续型号短期获得许可图表:ASML主要型号光刻机参数ASML光刻机包含DUV(干式和浸没式)和EUV两大系列,浸没式DUV是先进制程分界点,包含1965Ci、1970Ci、1980Di、2000i、2050i和2100i等系列,后四种型号是ASML浸没式DUV主力机型,其中2000i、2050i、2100i是先进制程扩产的主要型号。型号光源波长(nm)最高分辨率(nm)NADCO(nm)wph干式DUVTWINSCAN
XT:400Li-line3652200.48-0.6512250TWINSCAN
XT:860MKrF2481100.55-0.8012240TWINSCAN
XT:1060KKrF248800.50-0.933.5205TWINSCAN
XT:1460KArF193650.65-0.933.5205TWINSCAN
XT:1470ArF193570.70-0.93<4.5300浸没式DUVTWINSCAN
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XT:1970CiArFi193(134)380.85-1.352250TWINSCAN
XT:1980DiArFi193(134)381.351.6275TWINSCAN
XT:2000iArFi193(134)381.351.4275TWINSCAN
XT:2050iArFi193(134)381.351295TWINSCAN
XT:2100iArFi193(134)381.350.9295EUVTWINSCAN
NXE:3400CEUV13.5130.331.4135TWINSCAN
NXE:3400DEUV13.5130.331.4160162.3
荷兰:中国大陆进口光刻机加速增长,设备价值量提升明显图表:2023年5月份以来从荷兰进口光刻机均价提升明显图表:2023年5月份以来从荷兰进口光刻机金额加速提升随着荷兰出口管制正式生效临近,中国大陆从从荷兰进口光刻机金额同样呈现加速增长态势。1)从进口金额看,5、6、7月分别达到3.84亿美元、8.74亿美元、6.23亿美元,同比+67%、+501%、+799%,提速明显,2023年1-7月累计进口金额达到25.86亿美元,接近2022年ASML在中国大陆的销售额(31.08亿美元),同比+65%,拉货势头明显。2)从进口台数和均价看,5、6、7月进口荷兰光刻机台数为13、22、15台,设备均价达到2952、3974、4171万美元,同比+106%、+228%、+320%,光刻机设备价值量提升明显,我们推测主要系部分高端浸没式DUV光刻机占比提升明显。我们认为短期看随着更高端光刻机加速进口,光刻机目前不是国内晶圆厂较为先进制程扩产瓶颈。900%800%700%600%500%400%300%200%100%0%-100%10009008007006005004003002001000光刻机进口金额(百万美元)同比增长(%)129181316127111312
1311916
虽然分辨率在38nm左右,可适用于10-16nm制程,理论上通过多重曝光,可以支持到7nm。2016年6月,台积电领先业界成功产出良率达到2位数的256Mb的静态随机存取记忆体,并于2018年实现量产。考虑到ASML的1980Di机台量产时间是2016年,而2000i
DUV机台在2018下半年才实现发货,我们推测台积电的第一代7nm工艺基于
NXT:1980Di
实现的。图表:2018年台积电7nm工艺实现量产182.3荷兰:多重曝光打破技术瓶颈,1980Di可用作先进制程图表:曝光-蚀刻-曝光-蚀刻的双重曝光工艺图表:多重曝光方法原理图资料来源:MENTOR
GRAPHICS,华西证券研究所当前主流的1.35NA的193nm浸没式光刻机能够提供36-40nm的half-pitch分辨率,可以满足28nm逻辑技术节点的要求,如果小于该尺寸,就需要双重曝光甚至多重曝光技术。双重曝光实现方式:曝光——刻蚀——曝光——刻蚀(Lithography-Etch-
Lithography-Etch),就是把原来一层光刻图形拆分到两个或多个掩膜上,利用多次曝光和刻蚀来实现原来一层设计的图形。多重曝光虽可以解决光刻机分辨率极限,1980Di可以用作更先进工艺节点,套刻精度是需要考虑的关键问题,此外多重曝光会使得成本提升,良率降低。资料来源:MENTOR
GRAPHICS,华西证券研究所2.4美、日、荷制裁落地,设备进口替代逻辑持续强化202120223883697.617.062.0%8.9%37035220.031.55.4%8.9%888410.620.824.7%盛美上海市场份额(%) 13.1% 15.7% 14.7% 12.0%至纯科技清洗设备收入(亿元) - 0.8 2.2 7.07.99.5%至纯科技市场份额(%) - 2.0% 4.0% 7.9%芯源微清洗设备收入(亿元)
0.7 1.0 0.8 2.95.56.5%41%677.5711.3%6814.3121.1%1855.092.8%1.70.9%0.70.4%芯源微清洗设备市场份额(%) 1.9% 2.4% 1.4% 3.3%清洗设备国产化率(%)(仅考虑上述三家) 15% 20% 20% 23%中国大陆涂胶显影设备市场规模(亿元)
30 32 45 70芯源微涂胶显影设备收入(亿元)
1.3 1.1 2.4 5.1芯源微市场份额(%) 4.3% 3.4% 5.4% 7.2%中国大陆CMP设备市场规模(亿元)
23 24 33 53华海清科CMP设备收入(亿元)
0.3 1.9 3.5 6.9华海清科市场份额(%) 1.3% 7.9% 10.5% 13.1%中国大陆量/检测设备市场规模(亿元)
84 88 123 194中科飞测营业收入(亿元)
0.3 0.6 2.4 3.6中科飞测市场份额(%) 0.4% 0.7% 2.0% 1.9%上海精测营业收入(亿元)
0.0 0.0 0.6 1.1上海精测市场份额(%) 0.0% 0.0% 0.5% 0.6%上海睿励营业收入(亿元)
0.3 0.1 0.2 0.4上海睿励市场份额(%) 0.3% 0.1% 0.2% 0.2%量/检测设备国产化率(%)(仅考虑上述三家) 0.7% 0.9% 2.6% 2.6%4.0%涂胶显影设备CMP设备量/检测设备清洗设备图表:2018年以来中国大陆半导体设备企业快速进步,最直接的体现为相关企业市场份额快速提升2018 2019 2020中国大陆薄膜沉积设备市场规模(亿元)
168 176 245薄膜沉积设备 拓荆科技营业收入(亿元)
0.7 2.5 4.4拓荆科技市场份额(%) 0.4% 1.4% 1.8%中国大陆刻蚀设备市场规模(亿元)
160 168 234刻蚀设备 中微公司刻蚀设备收入(亿元)
5.7 - 12.9中微公司市场份额(%) 3.6% - 5.5%中国大陆清洗设备市场规模(亿元)
38 40 56盛美上海清洗设备收入(亿元)
5.0 6.3 8.2测算192.4美、日、荷制裁落地,设备进口替代逻辑持续强化图表:2022年国内大部分半导体设备环节国产化率仍不足20%整体来看,半导体设备国产化率仍处于低位。收入口径下,2022年11家半导体设备企业合计实现营收378亿元,同比+54%,对应半导体设备市场整体国产化率仍不足20%。细分领域来看,国产半导体设备企业在清洗、热处理、CMP、刻蚀设备等领域已取得一定市场份额。然而,对于光刻、量/检测、涂胶显影、离子注入设备等领域,我们判断2022年国产化率仍低于10%,国产替代空间较大。图表:2022年半导体设备整体国产化率仍不足20%设备种类国产化率市场规模(亿元)国内企业薄膜沉积设备<25%497北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米等光刻机<1%474上海微电子等刻蚀设备>25%474中微公司、北方华创等量/检测设备<5%249精测电子、中科飞测、上海睿励等清洗设备>30%113盛美上海、北方华创、至纯科技、芯源微等涂胶显影设备<10%90芯源微等CMP设备>30%68华海清科等热处理设备>30%56北方华创、屹唐半导体、盛美上海等离子注入设备<10%45万业企业、中科信60%50%40%30%20%10%0%40035030025020015010050020172018201920202021 2022E营业收入(亿元) 同比(%) 国产化率测算202.4美、日、荷制裁落地,设备进口替代逻辑持续强化国产半导体设备先进制程产业化进展加速,具备持续扩张的条件。持续高度研发投入下,国产半导体设备企业在薄膜沉积、刻蚀、量/检测、CMP、清洗等领域均已具备一定先进制程设备技术积淀,并且产业化进展正在快速推进,具备持续扩张的底层技术基础。图表:本土半导体设备企业在多个环节先进制程领域产业化进展加速公司 设备类型 先进制程进展PECVDSiN、SiON、TEOS、ACHM等工艺:逻辑14nm产业化验证中;存储128L
3D
NAND、19/17nm
DRAM产业化验证中;SiO2工艺:逻辑14nm及10nm以下产业化验证中;Thick
TEOS工艺:存储DRAM19/17nm产业化验证中;NO
stack工艺:存储3D
NAND128L产业化验证中SACVDBPSG工艺刻蚀调节层:DRAM19/17nm产业化验证中ALDSiO2、SiN等介质材料薄膜:逻辑28-14nm
SADP、STI
Liner工艺已实现产业化应用;存储128L以上3D
NAND、19/17nm
DRAM产业化验证中;AI2O3、ALN等金属化合物薄膜:逻辑28nm以下制程研发中CCP刻蚀设备1)逻辑:在5nm及更先进产线实现多次批量销售;28nm及以下一体化大马士革刻蚀设备已通过初步验证,即将进入市场2)3D
NAND:可在64L、128L及更高层数实现量产,60:1极高深宽比刻蚀设备已完成开发进入产线验证ICP刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产。正在进行下一代产品的技术研发,以满足5nm以下的逻辑芯片、1Xnm的DRAM芯片和200L以上的3D
NAND芯片等产品的刻蚀需求薄膜沉积设备满足先进逻辑器件接触孔填充应用,以及64L、128L
3D
NAND中的多个关键应用。首台CVD钨设备已付运至关键存储客户端验证评估,新型号高深宽比CVD钨和ALD钨设备已开始实验室测试并对接关键客户验证EPI(外延设备)
面向28nm及以下的逻辑器件、存储器件和功率器件等的广泛应用。公司正在开放拥有自主知识产权的外延设备,以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。目前该设备研发进展顺利,已进入样机的制造和调试阶段华海清科CMP设备逻辑:在28-14nm产线已实现量产,14nm制造设备正处于开发阶段存储:在128L及以上3D
NAND产线已实现量产,在1X/1Y
DRAM芯片制造产线已实现量产芯源微涂胶显影设备新型前道设备可通过选装全面覆盖I-Line、KrF、ArFdry、ArF浸没式等多种光刻技术,实现了在28nm及以上工艺节点的全覆盖,已通过客户端验证达到量产要求精测电子量/检测设备膜厚量测设备:可应用于28nm
FEOL以及14nm
BEOL,已取得一线客户批量订单OCD:满足28nm制程需求,已通过多家客户验证并成功交付,可测量FinFET、NAND等多种样品;电子束缺陷复查设备(Review
SEM):可应用于1Xnm产线,已取得一线客户批量订单至纯科技清洗设备湿法设备已满足28nm全部工艺要求且均获得订单,14nm及以下湿法设备也有4台设备交付拓荆科技中微公司21目录板块深度调整具备配置价值,中报业绩持续高速增长一美、荷、日制裁尘埃落地,国产替代逻辑持续强化二大陆逆周期扩产加速趋势明显,半导体复苏拐点信号出现三四华为Mate
60系列手机回归,利好半导体产业链国产化五投资建议、受益标的及风险提示22233.1逆周期扩产加速推进,中芯国际资本开支维持高位图表:2021年中国大陆半导体销售额全球占比为35%资料来源:Knometa
Research,华西证券研究所相较IC设计、封测环节,晶圆制造是中国大陆当前半导体行业短板,自主可控驱动本土晶圆厂逆周期大规模扩产。中国大陆市场晶圆产能缺口较大,2021年底晶圆全球产能占比仅为16%(包含台积电、海力士等外资企业在本土的产能),远低于半导体销售额全球占比。外部制裁事件频发的背景下,晶圆环节自主可控需求越发强烈,本土晶圆厂逆周期扩产诉求持续放大。中国台湾21%中国大陆16%日本15%欧洲5%图表:2021年底中国大陆晶圆产能全球占比仅16%其他地区9%韩国23%美洲11%美洲21%
欧洲9%日本8%中国大陆35%亚太及其他地区27%243.1逆周期扩产加速推进,中芯国际资本开支维持高位项目地点
2021年底产能(万片/月)规划产能(万片/月)状态3.5建成上海
1.5上海 03.5在建6建成北京
5.2北京
6.210建成5在建北京 0北京 05计划4建成10在建中芯深圳
Fab16A/B 逻辑代工28nm 12寸 深圳 0中芯西青
28~180nm逻辑
12寸 天津 0中芯东方
28nm逻辑
12寸 上海临港 010计划厂商 实施主体 工厂代码 工艺 尺寸类型中芯南方
SN1 逻辑代工FinFET14-7nm 12寸中芯南方
SN2 逻辑代工FinFET14-7nm 12寸中芯北方
B1(Fab4、6) 逻辑代工0.18µm~55nm 12寸中芯北方
B2 逻辑代工65-24nm 12寸中芯国际
中芯京城
B3P1 逻辑代工45/40-32/38nm 12寸中芯京城
B3P2 逻辑代工45/40-32/38nm 12寸150%100%50%0%-50%200%60技术和产品正在验证;京城产线正在搬入设备,已经进入量产,天津产线正在
50建设本开支方面,2022年中芯国际资本开支达到63.5亿美元,同比+41%,公 40司并预计2023年资本开支基本持平。 30202023年我们预计存储企业扩产好于先前预期,二三线晶圆厂粤芯、晋华、燕
10东等合计扩产量预计仍有一定增长。 0图表:中芯国际持续大规模扩产,已成为中国大陆晶圆代工扩产主力中芯国际未来产能增量将主要来自深圳、京城、上海临港、天津西青四条12英寸产线,规划总产能为34万片/月。根据中芯国际2023Q2业绩说明会,2023年12英寸产能增长来自中芯京城和深圳产线,目前上海临港正在建设先导线,
70201820192020202120222023E图表:2023年中芯国际资本开支预计同比基本持平资本性支出(亿美元) 同比(%)3.2
中国大陆营收占比提升,海外龙头对大陆扩产指引乐观图表:2023Q1ASML中国大陆地区收入占比8%SEMI数据显示,2023Q2中国大陆半导体设备出货金额75.5亿美金,占比29.25%,是唯一同环比均实现增长地区,进一步验证国内晶圆厂逆周期扩产。下面从全球半导体设备龙头可以得出同样结论:ASML2023Q2实现营业收入69亿欧元,同比+27.8%,中国大陆地区收入占比24%,环比大幅提升16pct;2023Q2浸没式DUV销售39台,环比增加14台。根据ASML业绩说明会,中国对Fab建设的战略投资,使得未来几年内这些需求是非常可持续的,对中国大陆晶圆厂扩产保持乐观态度。图表:2023Q2ASML中国大陆地区收入占比24%0%10%20%30%40%90807060504030201002022Q12022Q22022Q32022Q42023Q1
2023Q2图表:2023Q2中国大陆半导体设备出货占比提升明显中国大陆半导体设备出货金额(亿美元)中国大陆占比(%)Taiwan,China49%SouthKorea26%USA15%ChinaJapan8% 1%EMEA1%1725743850454035302520151050EUV ArFi
ArFdry KrF I-LineTaiwan,China34%SouthKorea27%USA10%China24%Japan2%EMEA2%Rest
ofAsia1%1225396431350454035302520151050EUV ArFiArFdryKrF I-Line3.2
中国大陆营收占比提升,海外龙头对大陆扩产指引乐观图表:2023Q2
KLA
中国大陆地区收入占比30%图表:2023Q2
Lam中国大陆地区收入占比26%如果说ASML中国地区收入大幅提升与9月1日生效的制裁新规有关,而美国的设备龙头显示中国大陆出货同样快速提升:①Lam
2023Q2实现营收32.1亿美元,同比-30.82%,环比-17%,中国大陆地区占比26%,环比+4pct。根据Lam业绩说明会:至少在公司需要的可见性范围内,中国继续进行投资,前景依然乐观。②KLA
2023Q2实现营收23.55亿美元,同比-5.31%,环比-3.21%,中国大陆地区收入占比30%,环比+4pct,仍是第一大收入地区。考虑到2022年10月7日美国制裁新规出来以来,美国半导体设备公司在中国大陆的业务都是成熟制程,进一步验证了中国大陆对于成熟制程的扩产力度。26273.3
半导体行业逐步回暖,景气度拐点信号已经出现图表:2023年3月以来中国半导体销售额持续改善图表:2023年3月以来全球半导体销售额持续改善根据SIA数据,2023年2月全球半导体单月销售额触底,为3970亿美元,同比-20.70%,此后连续5个月出现环比改善,3-7月环比增长幅度分别为0.33%、0.53%、1.75%、3.66%、2.34%,拐点信号明显,可见全球半导体整体复苏呈现加速态势,后续伴随下游需求市场回暖以及去库存结束,全球半导体行业有望进入新一轮上升周期。中国半导体行业同样出现复苏迹象,2023年3月以来,连续4个月环比为正,环比增幅分别为1.19%、3.15%、3.93%、4.37%、2.58%,环比增速均高于全球市场,考虑到中国市场下游新能源等领域发展较快,更看好中国半导体市场复苏弹性。资料来源:
wind
,SIA,华西证券研究所-50%-35%-20%-5%10%25%40%01020304050602021-01
2021-05
2021-09
2022-01
2022-05
2022-09
2023-01
2023-05全球半导体销售额(十亿美元)同比增长(%)-50%-35%-20%-5%10%25%40%201816141210864202021-012021-052021-092022-012022-052022-092023-01
2023-05中国半导体销售额(十亿美元)同比增长(%)3.3
半导体行业逐步回暖,景气度拐点信号已经出现从微观数据,行业复苏拐点出现可以得到进一步验证:①根据Semiconductor
Intelligence的数据,全球主要半导体公司2023Q2收入整体呈现环比提升态势,在
15
家最大的公司中,有
13
家显示出收入增长。唯一收入下降的公司是高通(下降10%)和英飞凌科技(下降
0.7%)。②对于2023Q3展望:有
9
家预测收入增长,幅度从
0.4%到
6.4%,我们预计
2023
年下半年的需求将有所改善。图表:全球15大半导体公司2023Q2整体营收呈现环比提升态势公司2023Q2营收(十亿美元)2023Q2环比()2023Q3环比()英特尔12.911.03.5三星SC11.27.3-英伟达13.587.818.5博通8.81.6-高通7.17-10.00.4SK
海力士5.5539.0-AMD5.360.16.4TI4.533.50.4英飞凌4.46-0.7-2.2意法半导体4.331.91.2美光3.751.63.9恩智浦3.35.73.1ADI3.260.4-5.0联发科3.21.74.8瑞萨2.682.50.4资料来源:Semiconductor
Intelligence,wind,华西证券研究所
28293.3
半导体行业逐步回暖,景气度拐点信号已经出现120%100%80%60%40%20%0%2021Q12021Q32022Q12022Q32023Q1中芯国际产能利用率(%)中芯国际产能利用率(%)-50%-20%10%40%70%100%050010001500200025002022M12022M42022M72022M102023M12023M4
2023M7图表:2023年7月和8月台积电营收出现环比提升 图表:2023Q2中芯国际产能利用率恢复至78.30%台积电单月营收(亿新台币) 台积电同比(%)-20%-35%-50%-5%10%25%40%70060050040030020010002022-01
2022-04
2022-07
2022-10
2023-01
2023-04
2023-07图表:日月光单月营收已经连续三个月环比改善日月光营收(亿新台币):当月值 同比增长(%)-50%-20%10%40%70%100%0501001502002502021-01
2021-05
2021-09
2022-01
2022-05
2022-09
2023-01
2023-05图表:DRAM芯片台股营收降幅出现明显收窄DRAM芯片台股营收:当月值(亿新台币)
同比增长(%)303.4
自主可控&下游景气复苏,看好2024年半导体设备需求放量历史数据表明,全球半导体设备销售额与半导体销售额同比增速呈现高度联动效应,同时在行业上行周期时,半导体设备可以表现出更高的同比增速,具备更强增长弹性。展望2024年,全球范围内来看,在终端消费持续复苏的背景下,SEMI预计2024年全球晶圆厂设备支出约1000亿美元,同比增长14%,2024年半导体设备需求有望明显反弹,进入下一轮上行周期。对于中国大陆市场,叠加自主可控需求,我们看好2024年半导体设备需求加速放量。图表:全球半导体和半导体设备销售额同比增速高度联动40%30%20%10%0%2011
2012
2013
2014
2015
2016
2017
2018
2019
2020
2021
2022-10%-20%全球半导体销售额同比(%)全球半导体设备销售额同比(%)31目录板块深度调整具备配置价值,中报业绩持续高速增长一美、荷、日制裁尘埃落地,国产替代逻辑持续强化二大陆逆周期扩产加速趋势明显,半导体复苏拐点信号出现三四华为Mate
60系列手机回归,利好半导体产业链国产化五投资建议、受益标的及风险提示4.1
受美国制裁影响,华为智能手机出货量下滑明显图表:2021和2022年华为智能手机出货跌出中国市场前五IDC数据显示,2018
-2020年,华为智能手机出货量稳居世界前三,2019年智能手机出货量达到2.41亿部,全球市占率17.6%。根据Canalys数据,2020Q2华为更是在全球智能手机同比大幅下滑的背景下,实现出货近
5580
万台,超过三星,登顶全球智能手机出货榜首。但随着美国对华为制裁升级以及芯片出口限制,华为智能手机销量大幅下降,遇到了前所未有的困境,2020
年
11
月华为宣布出售旗下荣耀手机,2020年智能手机出货量降至1.89亿部,同比-21.45%,全球市占率同比-3.0pct。
Couterpoint
数据显示,2021和2022年华为智能手机出货量继续大幅下滑,
在中国智能手机市场市占率仅为10.0%和7.9%,跌出国内市场前五,美国制裁下,华为图智表能:手20机18业-2务01短9年期华受为到智重能创手机。出货量全球前三(百万台)201820192020品牌销量市占率品牌销量市占率品牌销量市占率三星292.320.80%三星295.721.60%三星266.720.60%苹果208.814.90%华为240.617.60%苹果206.115.90%华为20614.70%苹果19113.90%华为18914.60%小米122.68.70%小米125.69.20%小米147.811.40%OPPO113.18.10%OPPO114.38.30%vivo111.78.60%其他46232.90%其他403.629.40%其他37128.70%324.2 Mate
60
系列回归,搭载国产麒麟芯片引爆市场2023年华为恢复了高端旗舰机发布节奏,2023年3月发布了P60系列手机,智能手机销量恢复快速增长。IDC数据显示,2023Q2中国智能手机市场出货量约6570万台,同比下降2.1%,在行业持续低迷的背景下,华为智能手机逆势增长,2023Q2出货量同比大幅增长76.1%,国内市占率达到13.0%,同比+5.7pct。2023年8月29日,华为商城Mate
60
Pro上架开售,仅一分钟售罄;9月3日华为商城、京东、天猫开启Mate
60
pro
全款抢购,开售数秒售罄;9月8日华为商城开启Mate60
pro预定,同样抢购一空,Mate60系列产品发售;9月10号,华为商城开启全款销售,数秒再次售罄。随着Mate
60系列引发的抢购热潮,宣告华为高端旗舰机全面回归。图表:2023Q2华为智能手机出货量同比大幅增长76.1% 图表:2023年8月29日,华为Mate
60
Pro
上架开售7.3%13.0%76.1%-40.0%-20.0%0.0%20.0%40.0%60.0%80.0%100.0%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%OPPOvivo荣耀 苹果 小米 华为 其他图表标题2022Q22023Q22023Q2出货量同比增长33344.2 Mate
60
系列回归,搭载国产麒麟芯片引爆市场我们认为Mate
60系列之所以引发抢购热潮,主要因为Mate
60系列顺利上市象征着华为突破美国封锁制裁,取得阶段性胜利。全球著名的半导体行业观察机构TechInsights,公开发布了对Mate60
Pro
的拆解报告:Mate60
Pro搭载了新型麒麟9000s芯片,并采用了先进的7纳米。目前国内外各机构对华为新手机的拆解来看,除了麒麟9000s芯片,包括其它10000多种部件,已基本实现国产化。关于Mate
60Pro是否是5G手机未有明显标识,根据IT之家,通过用户实测反馈,实测华为Mate
60
Pro的蜂窝移动网络下载速度远超4G网络的上限。此外,华为Mate
60
Pro与中国电信合作,成为全球首款支持卫星通话的大众智能手机,进一步提升华为高端智能手机产品竞争力。图表:Mate
60pro
拆机显示搭载国产麒麟SoC芯片 图表:Mate
60
Pro
是首款支持卫星通话大众智能手机354.3 研发与产业投资并举,华为大力布局半导体领域在美国制裁管控下,华为始终走在国产替代的前列,并取得积极成果,最直观的体现:①华为持续加大研发投入,研发费用率逐年提升,2022年华为研发费用高达1615亿元,研发费用率为25.1%,较2018年提升11pct,高强度研发投入驱动下,中国证券报报道,华为用3年时间内完成13000+颗器件的替代开发、4000+电路板的反复换板开发,逐步完成各类零部件国产化替代。②华为受制于美国,核心在于芯片卡脖子,根据国家知识产权局公开信息,2022-2023年华为陆续公布了15条芯片堆叠封装相关发明专利,显示了华为在芯片领域研发实力和创新能力,在不提升制程工艺前提下,芯片堆叠可以提升芯片产品性能,我们认为一定程度上可以缓解先进制程卡脖子问题。图表:2018-2022年华为研发费用率持续提升 图表:2022年以来华为公告了多项芯片堆叠封装专利申请公布号 申请公布日 专利名称 申请人及电子设备芯片堆叠结构及其制作方法、芯片封装结构
华为技术有限公司芯片堆叠结构及其制备方法、芯片堆叠封装
华为技术有限公司、电子设备包含有垂直柱状晶体管的芯片堆叠结构
华为技术有限公司、电子设备芯片堆叠结构及其制作方法、芯片封装结构
华为技术有限公司、电子设备芯片堆叠结构及其形成方法、芯片封装结构
华为技术有限公司用于高速信号传输的芯片及芯片堆叠结构
华为技术有限公司多芯片堆叠封装、电子设备及制备方法
华为技术有限公司芯片堆叠结构、制作方法及电子设备
华为技术有限公司存储芯片堆叠封装及电子设备
华为技术有限公司一种芯片堆叠结构及其制作方法
华为技术有限公司芯片堆叠封装结构、电子设备
华为技术有限公司芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备
华为技术有限公司一种多芯片堆叠封装及制作方法
华为技术有限公司CN116745913A 2023.09.12CN116724389A 2023.09.08CN116670827A 2023.08.29CN116635996A 2023.08.22CN116504752A 2023.07.28CN116110879A 2023.05.12CN115461858A 2022.12.09CN115210854A 2022
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