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存储器芯片的使用现状及发展趋势——文献综述存储器芯片的使用现状及未来发展趋势文献综述班级：XXX姓名：XXX学号：XXX一、选题背景存储器广泛应用于计算机、消费电子、网络存储、物联网、国家安全等重要领域，是一种重要的、基础性的产品。当前，伴随着第五代移动通信、物联网和大数据的快速发展，存储器的需求量迅速增加，存储容量、存取速度、功耗、可靠性和使用寿命等指标要求也越来越高。世界各大企业在这方面出现“百家争鸣、百花齐放”的大好局面，涌现出多种新型存储器，并且工艺水平和性能都在不断提高，给消费者提供了更多的选择空间。二、相关问题现状研究综述我们一般会将存储器划分为，易失性存储器和非易失性存储器，这种划分是根据断电后数据是否丢失而决定的。现有技术中，整个存储器芯片行业主要有三种种产品：DRAM、NANDFLASH和NORFLASH。DRAM是易失性存储器的代表，NANDFlash和NORFLASH是非易失性存储器的代表。尽管按照不同的分类特点，可形成存众多种类的储存芯片，但从该行业产业结构分析，上述三种存储器毫无疑问是全球重点厂商最为关注的产品领域。NANDFLASH和DRAM都是硅基互补金属氧化物半导体器件，在摩尔定律和海量数据存储需求的推动下，不断向大容量、高密度、快速、低功耗、长寿命方向发展。但随着特征尺寸不断减小至接近原子级，传统平面型结构遇到无法跨越的性能障碍，存储器的性能和可靠性达到极限，而且新工艺节点开发成本迅速增加，进一步降低预期收益。因此，存储器向两大方向转型发展：一是继续沿用硅基材料，用垂直堆叠替代特征尺寸微缩，从平面转向立体结构；二是使用新材料和新结构研制新兴传感器技术。前者的挑战是开发出可实现8层到32层甚至64层连续堆叠的材料和生产工艺，并保证每一层存储器性电性能的一致可控。后者的挑战是论证开发配套生产工艺，并保证新材料不会对既有生产线造成污染、产品性能优于现有存储器和可长期可靠使用等。新材料、结构和物理效应方面研究的不断突破，使得其他新兴存储器技术也因此得到发展。新兴存储器以大容量、低功耗、高速读写、超长保存周期、数据安全等为发展目标，包括利用自发极化现象开发的铁电随机存储器（FRAM）、利用电致相变现象的相变存储器（PCM）、利用磁电阻效应开发的磁性随机存储器（MRAM）、利用电致电阻转变效应开发的电阻随机存储器（RRAM），以及赛道存储参考文献[1]马欣.《我国“存储芯片”产业发展现状与展望研究》.科技经济导刊.2016[2]刘文生,黄胜利.《存储器的现状与未来》.中国电工技术学会电力电子学会第九届学术年会论文集.2016[3]郑兆远.《芯片行业猛刮中国风，百亿能否砸晕美光》.中关村在线业内资讯.2015-7[4]许兴军.《存储芯片行业研

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