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文档简介
集成逻辑门电路习题解答习题[9-1]选择填空:1.在数字电路中,稳态时晶体管一般工作在(放大,开关)状态。在题图9-1中,若UI<0,则晶体管(截止,饱和),此时UO=(5V,3.7V,2.3V);。在电路中其他参数不变的条件下,仅Rb减小时,晶体管的饱和程度(减轻,加深,不变);仅Rc减小时,饱和程度(减轻,加深,不变)。题图9-1中C的作用是(去耦,加速,隔直)。2.在电路参数上如何保证非门的逻辑功能?欲使晶体管处于饱和状态,ui需满足的条件为(a.UI>0;b.;c.),为什么?题图9-1题图9-2(a)解:1.开关,截止,3.7V,b,加深,减轻,增大,加速。2.应选(b);(a)不确切;(b)中VCC/Rc是临界饱和的基极电流值,应该用饱和区的值;(UI-0.7)/Rb是基极电流值应该大于等于VCC/Rc,等于是临界饱和,大于是过饱和。(c)中ui不确切。[9-2]选择填空:1.由TTL门组成的电路如题图9-2(a)所示,已知它们的输入短路电流为Iis=1.6mA,高电平输入电流IiH=40μA。试问:当A=B=1时,G1的(拉,灌)电流为;A=0时,G1的(拉,灌)电流为。2.G1后接逻辑门的数量是否对第1小题的答案有影响?为什么?3.题图9-2(b)中示出了某门电路的特性曲线,试据此确定它的下列参数:输出高电平UOH=;输出低电平UOL=;输入短路电流Iis=;高电平输入电流IiH;阈值电平UT=;开门电平UON=;关门电平UOFF=;低电平噪声容限UNL=;高电平噪声容限UNH=;最大灌电流IOLMax=;扇出系数No=。题图9-2(b)4.TTL门电路输入端悬空时,应视为(高电平,低电平,不定);此时如用指针式万用表测量输入端的电压,读数约为(3.5V,0V,1.4V)。5.集电极开路门(OC门)在使用时须在(输出与地,输出与输入,输出与电源)之间接一电阻。6.CMOS门电路的特点:静态功耗(很大,极低);而动态功耗随着工作频率的提高而(增加,减小,不变);输入电阻(很大,很小);噪声容限(高,低,等)于TTL门。7.某TTL反相器的延迟时间tPLH=15ns,tPHL=10ns。输入信号为占空比50%的方波,该方波的频率不得高于(50MHz,40MHz,30MHz)。解:1.灌,3.2mA,拉,160A2.更正“、G2”删去。有影响,G1后接逻辑门的数量对灌电流有影响,取决于G1的低电平扇出系数;G1的拉电流,取决于G1后接逻辑门的并联的输入端头数,即高电平扇出系数。3.3V,0.3V,1.4mA,0.02mA,1.5V,1.5V,1.5V,1.2V,1.5V,15mA,10。4.高电平,1.4V。5.输出与电源。6.极低,增加,很大,高。7.30MHz。[9-3]电路如题图9-3(a)~(f)所示,写出各逻辑门的输出逻辑函数表达式。题图9-3题9-3电路图解:F1=,F2=1,F3=,F4=,F5=1,F6=[9-4]TTL三态门电路如题图9-4所示。在下图示输入波形的情况下,画出其输出端的波形。题图9-4题9-4电路图解:当时,当时,于是,逻辑表达式F的波形见解图9-4所示。解图9-4[9-5]题图9-5中各电路中凡是能实现非功能的打对号,否则打×。图(a)为TTL门电路,图(b)为CMOS门电路。(a)TTL门(b)CMOS门题图9-5题9-5电路图解:(a)TTL门(b)CMOS门解图9-4左1:CMOS逻辑门输入端理论上没有电流,实际上是有电流的,不过很小,所以1M上的电压降不确定。一般CMOS门的输入端不允许解高阻值的电阻,或悬空。左2:CMOS逻辑门输入端不允许悬空。左3:同相传输。左4:TG为高阻输出。[9-6]要实现题图9-6中各TTL门电路输出端所示的逻辑关系各门电路的接法是否正确?如不正确,请予更正。题图9-6题9-6电路图解:见解图9-6。解图9-6[9-7]由CMOS传输门和反相器构成的电路如题图9-7(a)所示,试画出在图(b)波形作用下的输出uo的波形(ui1=10Vui2=5V)(a)(b)题图9-7题9-7电路图解:输出波形见解图9-6。解图9-6[9-8]甲乙两人用指针式万用表测量一个由TTL门组成的电路,发现某点的电位为1.8V。对此甲认为是由于该点的负载过重,导致
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