标准解读

《GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法》是一项国家标准，旨在规范使用腐蚀方法对硅片中流动图形缺陷进行检测的过程。该标准适用于半导体材料领域，特别是对于单晶硅片的质量控制具有重要意义。标准内容涵盖了术语定义、检测原理、所需设备与试剂、样品准备、操作步骤以及结果分析等方面。

在术语和定义部分，明确了“流动图形缺陷”是指由于晶体生长过程中或后续处理阶段出现的不均匀性导致，在特定条件下通过化学腐蚀后能在硅片表面显现出的图案化缺陷。此外，还对腐蚀剂的选择提出了具体要求，包括但不限于氢氟酸（HF）、硝酸（HNO3）等混合溶液，并强调了安全操作的重要性。

关于检测方法，标准详细描述了从硅片清洗到腐蚀处理再到观察记录的一整套流程。首先需要将待测硅片彻底清洁以去除表面污染；然后按照指定比例配制好腐蚀液，并将硅片浸入其中一定时间；最后取出并用去离子水冲洗干净后自然干燥或吹干。在此基础上，利用光学显微镜或其他适当的仪器对硅片表面形成的流动图形缺陷进行观察与分类。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2023-11-27 颁布
  • 2024-06-01 实施
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GB/T 43315-2023硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法_第1页
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文档简介

ICS77040

CCSH.21

中华人民共和国国家标准

GB/T43315—2023

硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

Testmethodforflowpatterndefectsinsiliconwafer—Etchingtechnique

2023-11-27发布2024-06-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T43315—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位中环领先徐州半导体材料有限公司山东有研半导体材料有限公司中环领先

:()、、

半导体材料有限公司浙江海纳半导体股份有限公司厦门万明电子有限公司有色金属技术经济研究

、、、

院有限责任公司浙江金瑞泓科技股份有限公司麦克斯电子材料股份有限公司浙江旭盛电子有限

、、、

公司

。

本文件主要起草人朱志高陈俊宏陈凤林高海棠李素青朱晓彤由佰玲吕莹潘金平张海英

:、、、、、、、、、、

胡晓亮方丽霞陈跃骅黄景明

、、、。

Ⅰ

GB/T43315—2023

硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

1范围

本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法

。

本文件适用于电阻率大于的硅片流动图形缺陷的检测

1Ω·cm。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4原理

试样经特定择优腐蚀液腐蚀腐蚀液与硅反应产生氢气气泡在有孔洞及部分间隙型缺陷的位置显

,,

示出类似字结构的流动型缺陷用金相显微镜观察并计算流动型缺陷的密度

“V”,,。

5干扰因素

51择优腐蚀液放置时间太长会挥发或产生沉淀物影响腐蚀效果

.,,。

52试样表面粗糙或存在刮伤划痕等影响检测结果

.、,。

53试样摆放太近可能在试样表面产生气泡缺陷影响观察结果

.,,。

54试样摆放方式平放或竖着摆放影响腐蚀效果

.(),。

55腐蚀率与腐蚀液的使用次数温度放置时间腐蚀试样数量有关可根据前一批次试样的腐蚀率

.、、、,

计算下一批次试样所需的腐蚀时间以达到腐蚀效果的一致性

,。

6试验条件

除另有规定外应在下列条件下进行测试

,:

环境温度为

a)(22±5)℃;

环境相对湿度不大于

b)80%。

7试剂或材料

除另有

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