薄膜物理淀积技术课件

第九章：薄膜物理淀积技术MetalLayersinaChipMultilevelMetallizationonaULSIWaferPassivationlayerBondingpadmetalp+SiliconsubstrateViaILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3M-4p-Epitaxiallayerp+ILD-6LIoxideSTIn-wellp-wellILD-1Polygaten+p+p+n+n+LImetalCopperMetallization9.1.薄膜沉积的特点：微电子技术中的薄膜种类繁多，一般都不能（也不需要）形成与衬底晶格匹配的晶体。形成非晶或多晶薄膜即可（但要求其界面的应力足够小）。其生长的过程大致为： 晶核形成、晶粒成长、晶粒聚结、逢道填补、成积膜成长。油扩散泵原理:无油真空系统：

分子泵低温吸附泵溅射离子泵（Ti升华泵）真空的测量

9.4, 热偶规 电离规坩埚:与蒸发材料的粘润性和互溶度 钨、刚玉等

优点与缺点： 系统简单、可蒸镀各种材料、易做厚膜 纯度不够高、镀膜速率不易控制、均匀性较差（星型夹具）平衡蒸气压：合金与化合物蒸发：P305 无分解蒸发、分解蒸发；不同蒸气压的蒸发膜厚的实时测量： 石英振荡法（原理？） 精度可达~0.01ÅSimpleEvaporatorRoughingpumpHi-VacvalveHi-VacpumpProcesschamber(belljar)CrucibleEvaporatingmetalWafercarrier2）电子束蒸发： 纯度高 镀膜速率易控制3）溅射沉积直流溅射RFSputteringSystemArgonGasflowcontrollerTurbopumpRFgeneratorMatchingnetworkMicrocontrolleroperatorinterfaceExhaustChuckElectrodeTargetSubstrateBlockingcapacitorRoughingpumpPressurecontrollerGaspanel射频溅射：解决绝缘靶材料上的电荷堆积问题和合金材料的组分问题等离子体溅射：低压（电压、气压）磁控溅射：提高离化率、分离非离化离子优点：？工艺：（组分的控制，界面态）台阶覆盖：(台阶的应用)9.3.PVD的主要应用 PVD技术主要用于金属膜的制备

（也可以用于非金属薄膜材料的生长）9.3.1主要金属材料 连线材料（铝Al、铝铜合金、铜Cu） 阻挡层金属（W、Ti、Mo、Ta等） 硅化物（Pt、W、Ti等） 金属填充物（W等） 其它SiliconandSelectWaferFabMetals(at20°C)9.4.器件中的金属膜 在器件中的作用： —欧姆电极、连线、肖特基接触9.4.1.欧姆接触与肖特基接触（半导体物理）1、金属功函数与半导体亲合能对金—半接触时的界面空间电荷区的影响 阻挡层和反阻挡层的形成2、界面态的影响 ？

费米能级钉扎3、隧穿效应4、与半导体载流子浓度的关系5、实现低欧姆接触的途径 高掺杂（正面） 粗表面（背面） 合金（双面）：合金层和扩散层 表面态的形成6、实现肖特基接触的途径 表面态的处理—— 金属的选择 表面的处理 镀膜温度和速率表面费米能级的工艺调制9.4.2.Al在硅器件中的特点 Al是硅平面器件中的三种基本材料之一 主要做欧姆电极和连线，也能与p型硅形成欧姆接触。

欧姆电极和连线材料的要求： 电阻率低、稳定抗氧化、与基质材料的粘接性好、能与各型硅材料形成良好的欧姆接触、易于光刻、易于键合1、金属（Al）的电阻率、粘附性和可光刻性2、几个物理问题 1）合金的形成 相图 固溶度 金属化合金温度 的选择557°C 合金处理也将改 变界面态2）界面渗透 557°C金属化时，Al/Si界面的渗透主要是Si向Al内扩散。 金属/半导体界面的低温相互渗透，将使界面的机械强度增加，但也可能影响界面态的稳定。 Al/SiO2界面的在低温下可形成一极薄的Al2O3层3）Al/Si接触中的尖刺现象 Al向硅中扩散，（100）方向的扩散系数大，所以MOSIC器件中明显。JunctionSpikingJunctionshortShallowjunction

尖刺现象的抑制： Al/Si合金层结构——但Si从Al中分凝将在Al层中形成单晶硅“结瘤”或“外延膜”使接触整流化。 Al/多晶Si双层金属化结构——重掺杂（P、As）多晶硅具有低阻、互连性好、多晶粒不易在低温下再结晶等特点。但不适宜在p型层上作互连。

Al-阻挡层结构——用薄（几十纳米）金属膜（Ti0.03~0.28W、TiN0.4）作Al/Si间的阻挡层（可在600°C下阻挡Al20h）。TiW的压应力大，因而目前多用TiN。由于TiW、TiN与Si的欧姆接触和粘附性不好，故需在阻挡层和Si之间加一层金属硅化物（如：PtSi、Pd2Si、CoSi等），形成多层金属化电极。 4）电迁移现象： 表观现象为，Al电极引线在大电流密度作用下，一部分出现空洞而断裂，一部分出现Al原子堆积而形成小丘。

主要机理是，在高电流密度（~106A/cm2）Al离子被电子风“吹”离晶格位置。 对策包括，Al膜多晶化、Al-Cu等合金、夹心结构、介质膜覆盖和Cu基材料。肖特基接触还大量用于MESFET器件AlCu合金工艺（提高抗电迁移能力，Cu0.5~4%）Cu工艺：抗电迁移能力强、电阻率低、较少的工艺步骤通常用溅射（SPUTTER）方法淀积Al9.4.3.钛金属硅化的自对准工艺 要点：钛能与硅形成难腐蚀的低电阻的TiSi2合金 （工艺难点），而不易与其它介质材料形 成化合物。

Al栅的困难0.13mFormationofSelf-AlignedMetalSilicide(Salicide)2.TitaniumdepositionSiliconsubstrate1.ActivesiliconregionsFieldoxideSpaceroxidePolysiliconActivesiliconregion3.RapidthermalannealtreatmentTitanium-siliconreactionregions4.TitaniumstripTiSi2formationChipPerformanceIssuesRelatedtoaSalicideStructur