电路与电子技术简明教程 课件 5-2 晶体二极管_第1页
电路与电子技术简明教程 课件 5-2 晶体二极管_第2页
电路与电子技术简明教程 课件 5-2 晶体二极管_第3页
电路与电子技术简明教程 课件 5-2 晶体二极管_第4页
电路与电子技术简明教程 课件 5-2 晶体二极管_第5页
已阅读5页，还剩7页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

《电子技术基础》[常用半导体]目录本征半导体及杂质半导体PN结晶体二极管的伏安特性第一节第二节第三节晶体二极管的应用晶体三极管符号、结构、分类晶体三极管的伏安特性第四节第五节第六节晶体二极管由一个PN结加上电极引线和外壳封装，就构成一个半导体二极管（晶体二极管、二极管），用VD表示。二极管有两根电极引线，从P区引出的电极为正极，从N区引出的电极为负极。二极管的结构与符号

晶体二极管的结构及符号按半导体材料分按用途分按PN结的结构分按照半导体材料的不同分为硅二极管和锗二极管按照用途分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管等按PN结的结构分为点接触型、面接触型、平面型等。晶体二极管二极管的分类晶体二极管常见的二极管符号与实物图（a）普通二极管（b）稳压二极管（c）发光二极管

（d）玻璃封装小电流二极管（e）稳压二极管（f）整流二极管+-+-+-晶体二极管的伏安特性二极管的伏安特性可以用方程表示，也可以用特性曲线来表示。

二极管的伏安特性曲线是指流过二极管的电流随加在二极管两端的电压变化的关系曲线。二极管的伏安特性曲线,可以用实验测得,伏安特性曲线分为正向特性、反向特性和击穿特性3部分。晶体二极管的伏安特性正向特性晶体二极管伏安特性曲线：正向特性oa段，只有当正向电压超过某一数值时，才有明显的正向电流，这个电压称为导通电压或开启电压，用Uon表示。正向特性反向特性击穿特性导通电压晶体二极管的伏安特性正向特性开启电压与二极管的材料和工作温度有关，常温下硅管的Uon为0.5～0.6V；锗管Uon为0.1～0.2V。当外加电压超过Uon后，正向电流迅速增大，这时二极管处于正向导通状态，随着电压u的增加，电流i按照指数的规律增加，当电流较大时，电流随着电压的增加几乎直线上升。二极管导通后硅管的正向压降为0.6～0.8V（通常取0.7V），锗管的正向压降为0.2～0.3V（通常取0.2V），用UT表示。正向特性反向特性击穿特性导通电压晶体二极管的伏安特性反向特性反向电流在一定范围内基本不随反向电压的变化而变化，这个电流称为反向饱和电流，用IS表示。反向饱和电流IS很小，而且相同温度下，硅管比锗管的反向电流更小。IS随着温度升高迅速增大。正向特性反向特性击穿特性导通电压晶体二极管的伏安特性反向击穿特性在一定温度下，当二极管加的反向电压超过某一数值时，反向电流将急剧增加，这种现象称为二极管反向击穿。二极管击穿时的电压称为反向击穿电压，用UBR表示。二极管在正常使用时应避免出现反向击穿，管子击穿后并不一定损坏，只有在没有限流措施时，反向电流超过一定限度，才会烧毁，造成永久性损坏。正向特性反向特性击穿特性导通电压晶体二极管的伏安特性例题电路如图所示，US=2V，设二极管的导通电压UD=0.7V,则输出电压UO是多少？思考电源正负极互换？+UD-+-二极管的伏安特性是非线性的，因此二极管是非线性元件。注意：使用二极管时不论是硅管还是锗管，即使

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论